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SM - 8 DUAL NPN中功率

晶体管

第2期 - 1997年8月

B

1

E

1

B

2

E

2

ZDT651

C

1

C

1

C

2

C

2

PARTMARKING详细信息？ T651

SM-8

（ 8铅SOT223 ）

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

T

j

:T

英镑

价值

80

60

5

6

2

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

°C

热特性

参数

在T总功率耗散

AMB

= 25°C*

“关于”任何单一芯片

这两个死“的”平等

减免上述25° C *

“关于”任何单一芯片

这两个死“的”平等

热阻 - 结到环境*

“关于”任何单一芯片

这两个死“的”平等

符号

P

合计

价值

2.25

2.75

18

22

55.6

45.5

单位

W

W

毫瓦/°C的

毫瓦/°C的

° C / W

° C / W

*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式

与铜等于2平方英寸的PCB 。

ZDT651

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射

导通电压

静态正向电流

传输比

符号最小值。

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

70

100

80

40

140

0.12

0.23

0.9

0.8

200

200

170

80

175

30

45

800

80

60

5

0.1

10

0.1

0.3

0.5

1.25

1

典型值。

马克斯。

单位

V

V

V

A

A

A

条件。

I

C

=100

A

I

C

=10mA*

I

E

=100

A

V

CB

=60V

V

CB

=60V,

T

AMB

=100°C

V

EB

=4V

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

I

C

= 2A ，我

B

=200mA*

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 50mA时V

CE

=2V*

I

C

= 500毫安，V

CE

=2V*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 2A ，V

CE

=2V*

V

V

V

V

300

跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

on

t

关闭

兆赫

pF

ns

ns

I

C

= 100mA时V

CE

=5V

f=100MHz

V

CB

= 10V F = 1MHz的

I

C

= 500毫安，V

CC

=10V

I

B1

=I

B2

=50mA

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

ZDT651

典型特征

0.6

0.5

225

- （伏）

0.4

I

C

/I

B

=10

0.3

- 增益

175

V

CE

=2V

125

0.2

V

0.1

h

75

0

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

0

0.01

0.1

1

10

I

C

-

集电极电流（安培）

I

C

-

集电极电流（安培）

V

CE （ SAT ）

V I

C

h

FE

V I

C

1.4

1.2

1.2

1.0

V

CE

=2V

0.8

- （伏）

1.0

I

C

/I

B

=10

0.8

V

V

0.6

0.6

0.4

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

I

C

-

集电极电流（安培）

- （伏）

I

C

-

集电极电流（安培）

V

BE （ SAT ）

V I

C

V

BE（上）

V I

C

td

tr

tf

ns

140

ts

ns

1400

I

B1

=I

B2

=I

C

/10

120

1200

ts

开关时间

100

1000

80

800

td

60

600

tf

40

400

tr

20

200

0

0

0.01

0.1

1

I

C

-

集电极电流（安培）

转换速度

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型号

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数量

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单价/备注

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联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

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ZETEX

2443+

23000

SM-8

一级代理专营，原装现货，价格优势

北京显周科技有限公司

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联系人：刘先生

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