ZXMN6A08E6
60V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 60V ;
DS （ ON）
= 0.100
I
D
= 3.0A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
SOT23-6
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23-6封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN6A08E6TA
ZXMN6A08E6TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
器件标识
6A8
顶视图
第1期 - 2002年3月
1
ZXMN6A08E6
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V GS = 10V ; T A = 25°C （B ）
V GS = 10V ; T A = 70 ° C（ B）
V GS = 10V ; T A = 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T A功率耗散= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T A = 25 ° C功耗（二）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
极限
60
20
3.0
2.4
2.4
4.0
2.6
6.4
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
A
我DM
IS
我SM
PD
PD
T J ： T英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。
第1期 - 2002年3月
2
ZXMN6A08E6
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
1
0.100
0.180
6.6
S
60
0.5
100
V
A
nA
V
I D = 250 A，V GS = 0V
V DS = 60V ，V GS = 0V
V GS = 20V ，V DS = 0V
I = 250 A，V DS = V GS
D
V GS = 10V ， I D = 4.8A
V GS = 4.5V ， I D = 4.2A
V DS = 15V ， I D = 4.8A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件。
静态漏源导通电阻R DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V SD
吨RR
Q RR
0.88
19.2
30.3
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
Qg
Q GS
Q GD
2.6
2.1
12.3
4.6
4.0
5.8
1.4
1.9
国际空间站
OSS
RSS
459
44.2
24.1
克FS
pF
pF
pF
V DS = 40 V ，V GS = 0V ，
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V DS = 30V ，V GS = 10V ，
I
D
=1.4A
V DS = 30V ，V GS = 5V ，
I
D
=1.4A
V DD = 30V ， I D = 1.5A
R G = 6.0 ，V GS = 10V
1.2
V
ns
nC
T J = 25° C， I S = 4A ，
V GS = 0V
T J = 25°C ， I F = 1.4A ，
的di / dt = 100A / μs的
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2002年3月
4
对产品线
Diodes公司
ZXMN6A08E6
60V N沟道增强型MOSFET
超前信息
产品概述
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
80mΩ @ V
GS
=10V
100V
150mΩ @ V
GS
=4.5V
2.5A
I
D
T
A
= 25°C
3.5A
特点和优点
低导通电阻
开关速度快
低栅极驱动器
低门槛
“绿色”成分，并符合RoHS标准（注1 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
说明与应用
这种MOSFET的设计，以减少通态电阻
并同时保持出色的开关性能，使其成为理想的
高效率的电源管理应用。
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
机械数据
案例： SOT23-6
外壳材料：模压塑料， UL可燃性分类
等级94V -0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.018克（近似值）
SOT23-6
D
D
G
顶视图
引脚输出 - 顶视图
D
D
S
D
G
S
等效电路
订购信息
（注1 ）
产品
ZXMN6A08E6TA
注意事项：
记号
见下文
卷尺寸（英寸）
7
胶带宽度（mm）
8
QUANTITY每卷
3,000
1. Diodes公司将“绿色”产品为那些符合RoHS标准，不含卤素和锑化合物;有关更多信息，
二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到。用于包装的详细信息，请访问我们的网站。
标识信息
6A8
6A8 =产品型号标识代码
ZXMN6A08E6
文件编号DS33376启5 - 2
1第8
www.diodes.com
2010年8月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXMN6A08E6
超前信息
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
V
GS
= 10V
（注3）
T
A
= 70 ℃（注3）
（注2 ）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
价值
60
±20
3.5
2.8
2.8
16
2.6
16
单位
V
V
A
A
A
A
漏电流脉冲
V
GS
= 10V
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功耗
线性降额因子
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
（注2 ）
P
D
（注3）
（注1 ）
（注3）
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
1.1
8.8
1.7
13.6
113
73
-55到150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。
3.同注（2 ） ，除了设备测量在t
≤
10秒。
4.同注（2 ），除了该装置是脉冲的以D = 0.02和脉冲宽度300μS 。该脉冲电流由最大结温限制。
ZXMN6A08E6
文件编号DS33376启5 - 2
2第8
www.diodes.com
2010年8月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXMN6A08E6
超前信息
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注5 ）
正向跨导（注5 & 6 ）
二极管的正向电压（注5 ）
反向恢复时间（注6 ）
反向恢复电荷（注6 ）
动态特性（注6 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷（注7 ）
总栅极电荷（注7 ）
门源费（注7 ）
栅 - 漏极电荷（注7 ）
导通延迟时间（注7 ）
导通上升时间（注7 ）
关断延迟时间（注7 ）
关断下降时间（注7 ）
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
60
1.0
典型值
0.067
0.100
6.6
0.88
19.2
30.3
459
44.2
24.1
3.7
5.8
1.4
1.9
2.6
2.1
12.3
4.6
最大
0.5
±100
0.080
0.150
1.2
单位
V
μA
nA
V
S
V
ns
nC
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4.2A
V
DS
= 15V ，我
D
= 4.8A
I
S
= 4A ，V
GS
= 0V ，T
J
= 25°C
I
F
= 1.4A ，的di / dt = 100A / μs的，
T
J
= 25°C
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
V
DS
= 30V
I
D
= 1.4A
V
DD
= 30V, V
GS
= 10V
I
D
= 1.5A ，R
G
6.0Ω
脉冲条件下5.测定。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
6.辅助设计只，不受生产测试。
7.开关特性是独立的工作结点温度。
ZXMN6A08E6
文件编号DS33376启5 - 2
4 8
www.diodes.com
2010年8月
Diodes公司
ZXMN6A08E6
60V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
60
R
DS （ ON）
( )
0.080 @ V
GS
= 10V
0.150 @ V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
3.5
2.5
描述
从Zetex的新一代沟道MOSFET采用了独特的结构
兼具低导通电阻和快速开关的优点，使其成为理想的
高效率的电源管理应用。
SOT23-6
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23-6封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZXMN6A08E6TA
ZXMN6A08E6TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
顶视图
器件标识
6A8
第4期 - 2006年5月
1
ZXMN6A08E6
绝对最大额定值
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V GS = 10V ; T A = 25°C （B ）
V GS = 10V ; T A = 70 ° C（ B）
V GS = 10V ; T A = 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T A功率耗散= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T A = 25 ° C功耗（二）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
极限
60
20
3.5
2.8
2.8
16
2.6
16
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
A
我DM
IS
我SM
PD
PD
T J ： T英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
第4期 - 2006年5月
2
ZXMN6A08E6
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
1
0.080
0.150
6.6
S
60
0.5
100
V
A
nA
V
I D = 250 A，V GS = 0V
V DS = 60V ，V GS = 0V
V GS = 20V ，V DS = 0V
I = 250 A，V DS = V GS
D
V GS = 10V ， I D = 4.8A
V GS = 4.5V ， I D = 4.2A
V DS = 15V ， I D = 4.8A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件。
静态漏源导通电阻R DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V SD
吨RR
Q RR
0.88
19.2
30.3
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
Qg
Q GS
Q GD
2.6
2.1
12.3
4.6
4.0
5.8
1.4
1.9
国际空间站
OSS
RSS
459
44.2
24.1
克FS
pF
pF
pF
V DS = 40 V ，V GS = 0V ，
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V DS = 30V ，V GS = 10V ，
I
D
=1.4A
V DS = 30V ，V GS = 5V ，
I
D
=1.4A
V DD = 30V ， I D = 1.5A
G6.0 ，V GS = 10V
1.2
V
ns
nC
T J = 25° C， I S = 4A ，
V GS = 0V
T J = 25 ° C， I S = 1.4A ，
的di / dt = 100A / μs的
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS ;占空比
≤2%
.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第4期 - 2006年5月
4
QQ：2880707522 复制
