ZXTD6717E6
互补NPN / PNP低饱和双晶体管
摘要
NPN ： V
首席执行官
=15V; V
CE （ SAT ）
= 0.1V ;我
C
= 1.5A;
PNP ： V
首席执行官
=-12V; V
CE （ SAT ）
= -0.175V ;我
C
= -1.25A;
描述
这种新的组合装置包括互补NPN和PNP低
住在SOT23-6封装饱和晶体管。用户受益很
高效的性能结合了高电流操作，极低
V
CE （ SAT ）
高
FE
导致极低的通态损耗。这种双重晶体管
非常适合于各种有效的驱动功能，包括电机，灯使用时，
继电器和螺线管，也将有利于电路需要高输出电流的开关。
特点
低饱和电压
R
CE （ SAT ）
值
-
h
FE
200分钟在1A
I
C
= 1.5A连续（ NPN ） ， 1.25A （ PNP ）
SOT23-6封装的P
D
= 1.1W
NPN = 135mΩ为1.5A
PNP = 150mΩ为1.25A
SOT23-6
C2
C1
B2
B1
E2
E1
应用
各种驾驶功能
灯
汽车
继电器和螺线管
高输出电流开关
订购信息
顶视图
设备
ZXTD6717E6TA
ZXTD6717E6TC
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
器件标识
6717
第2期 - 2001年7月
1
ZXTD6717E6
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25° C（一）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
LIMIT NPN
15
15
5
5
1.5
200
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
LIMIT PNP
-12
-12
-5
-3
-1.25
-200
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
125
45
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
第2期 - 2001年7月
2
ZXTD6717E6
NPN晶体管
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
16.5
40
75
150
205
0.93
0.865
200
300
250
200
75
30
420
450
390
300
150
75
180
15
50
250
兆赫
pF
ns
ns
分钟。
15
15
5
10
10
10
20
55
100
200
245
1.1
1.1
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=10V
V
EB
=4V
V
CES
=10V
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 250毫安，我
B
=10mA*
I
C
= 500毫安，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1.5A ，我
B
=20mA*
I
C
= 1.5A ，我
B
=20mA*
I
C
= 1.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 100mA时V
CE
=2V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
= 3A ，V
CE
=2V*
I
C
= 5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 1A ，V
CC
=10V
I
B1
=I
B2
=100mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第2期 - 2001年7月
3
ZXTD6717E6
PNP晶体管
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
-25
-55
-110
-160
-185
-0.99
-0.85
300
300
200
125
75
30
490
450
340
250
140
80
220
15
50
135
兆赫
pF
ns
ns
分钟。
-12
-12
-5
-10
-10
-10
-40
-100
-175
-215
-240
-1.10
-1.0
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=-100 A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-10V
V
EB
=-4V
V
CES
=-10V
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA*
I
C
= -250mA ，我
B
=-10mA*
I
C
= -500mA ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -1.25A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -1.25A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -1.25A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -100mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1.25A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -1A ，V
CC
=-10V
I
B1
=I
B2
=-100mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第2期 - 2001年7月
4
ZXTD6717E6
互补NPN / PNP低饱和双晶体管
摘要
NPN ： V
首席执行官
=15V; V
CE （ SAT ）
= 0.1V ;我
C
= 1.5A;
PNP ： V
首席执行官
=-12V; V
CE （ SAT ）
= -0.175V ;我
C
= -1.25A;
描述
这种新的组合装置包括互补NPN和PNP低
住在SOT23-6封装饱和晶体管。用户受益很
高效的性能结合了高电流操作，极低
V
CE （ SAT ）
高
FE
导致极低的通态损耗。这种双重晶体管
非常适合于各种有效的驱动功能，包括电机，灯使用时，
继电器和螺线管，也将有利于电路需要高输出电流的开关。
特点
低饱和电压
R
CE （ SAT ）
值
-
h
FE
200分钟在1A
I
C
= 1.5A连续（ NPN ） ， 1.25A （ PNP ）
SOT23-6封装的P
D
= 1.1W
NPN = 135mΩ为1.5A
PNP = 150mΩ为1.25A
SOT23-6
C2
C1
B2
B1
E2
E1
应用
各种驾驶功能
灯
汽车
继电器和螺线管
高输出电流开关
订购信息
顶视图
设备
ZXTD6717E6TA
ZXTD6717E6TC
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
器件标识
6717
第2期 - 2001年7月
1
ZXTD6717E6
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25° C（一）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
LIMIT NPN
15
15
5
5
1.5
200
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
LIMIT PNP
-12
-12
-5
-3
-1.25
-200
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
125
45
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
第2期 - 2001年7月
2
ZXTD6717E6
NPN晶体管
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
16.5
40
75
150
205
0.93
0.865
200
300
250
200
75
30
420
450
390
300
150
75
180
15
50
250
兆赫
pF
ns
ns
分钟。
15
15
5
10
10
10
20
55
100
200
245
1.1
1.1
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=10V
V
EB
=4V
V
CES
=10V
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 250毫安，我
B
=10mA*
I
C
= 500毫安，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1.5A ，我
B
=20mA*
I
C
= 1.5A ，我
B
=20mA*
I
C
= 1.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 100mA时V
CE
=2V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
= 3A ，V
CE
=2V*
I
C
= 5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 1A ，V
CC
=10V
I
B1
=I
B2
=100mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第2期 - 2001年7月
3
ZXTD6717E6
PNP晶体管
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
-25
-55
-110
-160
-185
-0.99
-0.85
300
300
200
125
75
30
490
450
340
250
140
80
220
15
50
135
兆赫
pF
ns
ns
分钟。
-12
-12
-5
-10
-10
-10
-40
-100
-175
-215
-240
-1.10
-1.0
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=-100 A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-10V
V
EB
=-4V
V
CES
=-10V
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA*
I
C
= -250mA ，我
B
=-10mA*
I
C
= -500mA ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -1.25A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -1.25A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -1.25A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -100mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1.25A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -1A ，V
CC
=-10V
I
B1
=I
B2
=-100mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第2期 - 2001年7月
4
QQ：2880707522 复制
