ZXMN3A01F
30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ;
DS （ ON）
=0.12
I
D
=2.0A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23封装
SOT23
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
电机控制
订购信息
设备
ZXMN3A01FTA
ZXMN3A01FTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
器件标识
7N3
顶视图
第1期 - 2002年3月
1
ZXMN3A01F
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
20
2.0
1.64
1.81
8
1.3
8
625
5
806
6.4
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。
第1期 - 2002年3月
2
ZXMN3A01F
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
1
0.106
3.5
0.12
0.18
30
0.5
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = 250μA ，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 10V ，我
D
=2.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2.0A
V
DS
=4.5V,I
D
=2.5A
符号
分钟。
TYP 。 MAX 。单位条件。
静态漏源通态阻抗R
DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
190
38
20
pF
pF
pF
V
DS
=25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.7
2.3
6.6.
2.9
2.3
3.9
0.6
0.9
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=15V,V
GS
=10V,
I
D
=2.5A
V
DS
=15V,V
GS
=5V,
I
D
=2.5A
V
DD
= 15V ，我
D
=2.5A
R
G
=6.0, V
GS
=10V
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
17.7
13.0
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=1.7A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=2.5A,
的di / dt = 100A / μs的
第1期 - 2002年3月
4
ZXMN3A01E6
30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ;
DS （ ON）
=0.12
I
D
=3.0A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23-6封装
SOT23-6
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN3A01E6TA
ZXMN3A01E6TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
器件标识
3A1
顶视图
第1期 - 2002年3月
1
ZXMN3A01E6
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V GS = 10V ; T A = 25°C （B ）
V GS = 10V ; T A = 70 ° C（ B）
V GS = 10V ; T A = 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T A功率耗散= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T A = 25 ° C功耗（二）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
极限
30
20
3.0
2.4
2.4
10
2.4
10
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
A
我DM
IS
我SM
PD
PD
T J ： T英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
70
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。
第1期 - 2002年3月
2
ZXMN3A01E6
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
1
0.106 0.12
0.18
3.5
30
0.5
100
V
A
nA
V
S
I D = 250μA ，V GS = 0V
V DS = 30V ，V GS = 0V
V GS = 20V ，V DS = 0V
I = 250μA ，V DS = V GS
D
V GS = 10V ， I D = 2.5A
V GS = 4.5V ， I D = 2.0A
V DS = 4.5V ， I D = 2.5A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
条件。
静态漏源导通电阻R DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V SD
吨RR
Q RR
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
Qg
Q GS
Q GD
国际空间站
OSS
RSS
克FS
190
38
20
pF
pF
pF
V DS = 25 V ，V GS = 0V ，
f=1MHz
1.7
2.3
6.6.
2.9
2.3
3.9
0.6
0.9
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V DS = 15V ，V GS = 10V ，
I
D
=2.5A
V DS = 15V ，V GS = 5V ，
I
D
=2.5A
V DD = 15V ， I D = 2.5A
R G = 6.0Ω ，V GS = 10V
0.84
17.7
13.0
0.95
V
ns
nC
T J = 25 ° C， I S = 1.7A ，
V GS = 0V
T J = 25°C ， I F = 2.5A ，
的di / dt = 100A / μs的
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2002年3月
4
ZXMN3A01F
30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ;
DS （ ON）
=0.12
I
D
=2.0A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23封装
SOT23
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
电机控制
订购信息
设备
ZXMN3A01FTA
ZXMN3A01FTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
器件标识
7N3
顶视图
第1期 - 2002年3月
1
ZXMN3A01F
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
20
2.0
1.64
1.81
8
1.3
8
625
5
806
6.4
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。
第1期 - 2002年3月
2
ZXMN3A01F
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
1
0.106
3.5
0.12
0.18
30
0.5
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = 250μA ，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 10V ，我
D
=2.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2.0A
V
DS
=4.5V,I
D
=2.5A
符号
分钟。
TYP 。 MAX 。单位条件。
静态漏源通态阻抗R
DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
190
38
20
pF
pF
pF
V
DS
=25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.7
2.3
6.6.
2.9
2.3
3.9
0.6
0.9
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=15V,V
GS
=10V,
I
D
=2.5A
V
DS
=15V,V
GS
=5V,
I
D
=2.5A
V
DD
= 15V ，我
D
=2.5A
R
G
=6.0, V
GS
=10V
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
17.7
13.0
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=1.7A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=2.5A,
的di / dt = 100A / μs的
第1期 - 2002年3月
4
QQ：2880707522 复制
