ZO-28/F
偏移装置
热力追踪
概述
的ZO- 28 / F是一个偏压装置设计有非常高的功率双极工作
晶体管，经营A类和AB 。它具有极低的源阻抗
和高电流处理能力。该封装可以被物理地安装
到相同的散热器作为射频晶体管，提供了非常精确的热
跟踪。
案例外形
55GU
绝对最大额定值
最大功率耗散@ 25
o
C
最大电压和电流
维尔京群岛
喷油器供应电压
Is
供应电流
Ic
控制电流
的hFE
晶体管的电流增益 - 最小
最高温度
储存温度
工作结温
40瓦
35伏
3.5安培
0.3安培
30
- 65 + 150
o
C
+200
o
C
参见案例纲要连接
电气特性@ 25
O
C
符号
BVsco
BViso
BViss
的hFE
录像机
特征
供应商 - 控制器故障
喷油器打开
喷油器 - 供应商明细
控制器Opne
喷油器 - 供应商明细
控制器短路
直流电流增益
二极管两端的电压降
热阻
TEST
条件
II = 0的= 5毫安
II = 10毫安
II = 50毫安
II = 1 ，可见= 5伏
II = 0A ， IC = 50毫安
民
4
50
90
30
1.34
1.4
1.48
4.37
o
典型值
最大
单位
伏
伏
伏
伏
C / W
θ
jc
首次发行1997年6月
千兆赫科技有限公司保留随时更改而不另行通知的权利。 GHz的建议之前
此处所述产品（ S）都成规范的书面，或者使用的关键应用程序的
性能特征进行验证通过联系厂家。
GHz的科技公司3000 Oakmead村道，圣克拉拉，加利福尼亚95051-0808电话。 408 / 986-8031传真408 / 986-8120
Z0-28/F
在Z0-28设计
该Z0-28由三个半导体元件，一个晶体管和两个二极管。唯一的额外成分
必要的是电阻RC（见图）和必要的RF滤波带任何偏见的系统。该Z0-28操作为发射极
跟随者，占了非常低的源阻抗。该晶体管可以从任何电压高达28进行操作
伏。该Z0-28能40瓦的功耗，足以满足大多数电流和电压的要求。电源
晶体管的静态基电压是由R c中的值与供给电压确定。
两个二极管提供所需的热稳定的操作的热跟踪。一个二极管来补偿射频
晶体管的基极 - 发射极结中的Z0-28 。通过安装Z0-28与所述功率晶体管的热接触，所述
其它二极管可以补偿功率器件的基极发射极结。该二极管被制成具有相同的
技术作为用于改善的热稳定性的射频功率晶体管。
GHz的科技公司3000 Oakmead村道，圣克拉拉，加利福尼亚95051-0808电话。 408 / 986-8031传真408 / 986-8120
QQ：2880707522 复制
