【ZXT849K30V NPN低饱和晶体管D- PAK摘要BV首席执行官= 30V ，RSAT= 33】,IC型号ZXT849KTC,ZXT849KTC PDF资料,ZXT849KTC经销商,ic,电子元器件-51电子网

ZXT849K

30V NPN低饱和晶体管D- PAK

摘要

BV

首席执行官

= 30V ，R

SAT

= 33m

描述

打包在D-朴外形高电流，高性能的30V NPN

晶体管提供低导通损耗，非常适合在DC-DC电路中使用

和各种驱动和电源管理功能。

典型;我

C

= 7A

特点

7安培连续电流

高达20A的峰值电流

低等效导通电阻

低饱和电压

优秀

FE

性能高达20安培

DPAK

应用

直流 - 直流转换器

直流 - 直流模块

电源开关

电机控制

汽车电路

引脚

订购信息

设备

ZXT849KTC

REEL

SIZE

13”

TAPE

宽度

16mm

单位数量

REEL

2500个/卷

器件标识

ZXT849

顶视图

第2期 - 2003年12月

1

半导体

ZXT849K

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

(b)

基极电流

在T功耗

A

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

(b)

符号

BV

CBO

BV

CER

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CM

I

C

I

B

P

D

P

D

P

D

T

j

, T

英镑

极限

80

30

7

20

7

0.5

2.1

16.8

3.2

25.6

4.2

33.6

-55到+150

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

°C

(c)

工作和存储温度范围

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

结到环境

(c)

符号

R

JA

R

JA

R

JA

价值

59

39

30

单位

° C / W

笔记

（一）（对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜在静止空气条件。

（二）对于器件表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜在静止空气条件。

（三）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜在静止空气条件。

第2期 - 2003年12月

半导体

2

ZXT849K

典型特征

第2期 - 2003年12月

3

半导体

ZXT849K

电气特性

（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

符号

BV

CBO

BV

CER

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

CER

I

EBO

V

CE （ SAT ）

27

55

115

230

基射极饱和电压

基射极导通电压

静态正向电流传输比

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

H

FE

100

40

跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

ON

t

关闭

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度

1.04

0.93

190

200

165

90

100

75

45

630

300秒;占空比

2%.

300

分钟。

80

30

7

典型值。

125

40

8

20

10

40

80

180

280

1.15

1.1

MAX 。单位条件

V

nA

mV

I

C

=100 A

I

C

= 1 ，R

BE

= 1k

I

C

=10mA*

I

E

=100 A

V

CB

=70V

V

CB

= 70V ，R

BE

= 1k

V

EB

=6V

I

C

= 0.5A ，我

B

=20mA*

I

C

= 1A ，我

B

=20mA*

I

C

= 2A ，我

B

=20mA*

I

C

= 7A ，我

B

=350mA*

I

C

= 7A ，我

B

=350mA*

I

C

= 7A ，V

CE

=1V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=1V*

I

C

= 1A ，V

CE

=1V*

I

C

= 7A ，V

CE

=1V*

I

C

= 20A ，V

CE

=2V*

兆赫我

C

= 100mA时V

CE

=10V

f=50MHz

pF

nS

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的*

I

C

= 1A ，V

CC

=10V,

I

B1

=I

B2

=100mA

第2期 - 2003年12月

半导体

4

ZXT849K

典型特征

第2期 - 2003年12月

5

半导体

ZXT849K

30V NPN低饱和晶体管D- PAK

摘要

BV

首席执行官

= 30V ，R

SAT

= 33m

描述

打包在D-朴外形高电流，高性能的30V NPN

晶体管提供低导通损耗，非常适合在DC-DC电路中使用

和各种驱动和电源管理功能。

典型;我

C

= 7A

特点

7安培连续电流

高达20A的峰值电流

低等效导通电阻

低饱和电压

优秀

FE

性能高达20安培

DPAK

应用

直流 - 直流转换器

直流 - 直流模块

电源开关

电机控制

汽车电路

引脚

订购信息

设备

ZXT849KTC

REEL

SIZE

13”

TAPE

宽度

16mm

单位数量

REEL

2500个/卷

器件标识

ZXT849

顶视图

第2期 - 2003年12月

1

半导体

ZXT849K

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

(b)

基极电流

在T功耗

A

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

(b)

符号

BV

CBO

BV

CER

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CM

I

C

I

B

P

D

P

D

P

D

T

j

, T

英镑

极限

80

30

7

20

7

0.5

2.1

16.8

3.2

25.6

4.2

33.6

-55到+150

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

°C

(c)

工作和存储温度范围

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

结到环境

(c)

符号

R

JA

R

JA

R

JA

价值

59

39

30

单位

° C / W

笔记

（一）（对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜在静止空气条件。

（二）对于器件表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜在静止空气条件。

（三）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜在静止空气条件。

第2期 - 2003年12月

半导体

2

ZXT849K

典型特征

第2期 - 2003年12月

3

半导体

ZXT849K

电气特性

（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

符号

BV

CBO

BV

CER

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

CER

I

EBO

V

CE （ SAT ）

27

55

115

230

基射极饱和电压

基射极导通电压

静态正向电流传输比

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

H

FE

100

40

跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

ON

t

关闭

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度

1.04

0.93

190

200

165

90

100

75

45

630

300秒;占空比

2%.

300

分钟。

80

30

7

典型值。

125

40

8

20

10

40

80

180

280

1.15

1.1

MAX 。单位条件

V

nA

mV

I

C

=100 A

I

C

= 1 ，R

BE

= 1k

I

C

=10mA*

I

E

=100 A

V

CB

=70V

V

CB

= 70V ，R

BE

= 1k

V

EB

=6V

I

C

= 0.5A ，我

B

=20mA*

I

C

= 1A ，我

B

=20mA*

I

C

= 2A ，我

B

=20mA*

I

C

= 7A ，我

B

=350mA*

I

C

= 7A ，我

B

=350mA*

I

C

= 7A ，V

CE

=1V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=1V*

I

C

= 1A ，V

CE

=1V*

I

C

= 7A ，V

CE

=1V*

I

C

= 20A ，V

CE

=2V*

兆赫我

C

= 100mA时V

CE

=10V

f=50MHz

pF

nS

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的*

I

C

= 1A ，V

CC

=10V,

I

B1

=I

B2

=100mA

第2期 - 2003年12月

半导体

4

ZXT849K

典型特征

第2期 - 2003年12月

5

半导体

ZXT849K

30V NPN低饱和晶体管D- PAK

摘要

BV

首席执行官

= 30V ，R

SAT

= 33m

描述

打包在D-朴外形高电流，高性能的30V NPN

晶体管提供低导通损耗，非常适合在DC-DC电路中使用

和各种驱动和电源管理功能。

典型;我

C

= 7A

特点

7安培连续电流

高达20A的峰值电流

低等效导通电阻

低饱和电压

优秀

FE

性能高达20安培

DPAK

应用

直流 - 直流转换器

直流 - 直流模块

电源开关

电机控制

汽车电路

引脚

订购信息

设备

ZXT849KTC

REEL

SIZE

13”

TAPE

宽度

16mm

单位数量

REEL

2500个/卷

器件标识

ZXT849

顶视图

第2期 - 2003年12月

1

半导体

ZXT849K

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

(b)

基极电流

在T功耗

A

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

(b)

符号

BV

CBO

BV

CER

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CM

I

C

I

B

P

D

P

D

P

D

T

j

, T

英镑

极限

80

30

7

20

7

0.5

2.1

16.8

3.2

25.6

4.2

33.6

-55到+150

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

°C

(c)

工作和存储温度范围

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

结到环境

(c)

符号

R

JA

R

JA

R

JA

价值

59

39

30

单位

° C / W

笔记

（一）（对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜在静止空气条件。

（二）对于器件表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜在静止空气条件。

（三）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜在静止空气条件。

第2期 - 2003年12月

半导体

2

ZXT849K

典型特征

第2期 - 2003年12月

3

半导体

ZXT849K

电气特性

（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

符号

BV

CBO

BV

CER

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

CER

I

EBO

V

CE （ SAT ）

27

55

115

230

基射极饱和电压

基射极导通电压

静态正向电流传输比

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

H

FE

100

40

跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

ON

t

关闭

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度

1.04

0.93

190

200

165

90

100

75

45

630

300秒;占空比

2%.

300

分钟。

80

30

7

典型值。

125

40

8

20

10

40

80

180

280

1.15

1.1

MAX 。单位条件

V

nA

mV

I

C

=100 A

I

C

= 1 ，R

BE

= 1k

I

C

=10mA*

I

E

=100 A

V

CB

=70V

V

CB

= 70V ，R

BE

= 1k

V

EB

=6V

I

C

= 0.5A ，我

B

=20mA*

I

C

= 1A ，我

B

=20mA*

I

C

= 2A ，我

B

=20mA*

I

C

= 7A ，我

B

=350mA*

I

C

= 7A ，我

B

=350mA*

I

C

= 7A ，V

CE

=1V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=1V*

I

C

= 1A ，V

CE

=1V*

I

C

= 7A ，V

CE

=1V*

I

C

= 20A ，V

CE

=2V*

兆赫我

C

= 100mA时V

CE

=10V

f=50MHz

pF

nS

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的*

I

C

= 1A ，V

CC

=10V,

I

B1

=I

B2

=100mA

第2期 - 2003年12月

半导体

4

ZXT849K

典型特征

第2期 - 2003年12月

5

半导体