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NPN硅平面中功率
高压晶体管
第2期 - 2002年4月
特点
* 400伏V
首席执行官
* 0.5安培连续电流
* P
合计
= 1瓦
应用
*电话拨号器电路
ZTX658
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
400
400
5
1
500
1
5.7
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
V
V
A
mA
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+200
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极截止
当前
符号最小值。
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CBO
400
400
5
100
100
100
0.3
0.25
0.5
0.9
0.9
50
50
40
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=320V
V
CE
=320V
V
EB
=4V
I
C
= 20mA时，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA*
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
IC = 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 1mA时， V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
=的200mA， V
CE
=10V*
发射极截止电流I
EBO
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
关闭电压
静态正向电流
传输比
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
3-229
ZTX658
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号
分钟。
50
10
130
3300
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
ns
ns
条件。
I
C
= 20mA时， V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
= 20V ， F = 1MHz的
I
C
= 100mA时V
C
=100V
I
B1
= 10毫安，我
B2
=-20mA
过渡频率f
T
输出Capcitance
开关时间
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
热特性
参数
热阻：结到环境
1
结到环境
2
结到外壳
符号
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)2
R
号（j -情况下）
马克斯。
175
116
70
单位
° C / W
° C / W
° C / W
??设备安装在P.C.B.用铜等于1平方英寸的最小值。
2.5
200
最大功率耗散 - （瓦特）
热阻（ ° C / W）
D = 1 （直流）
2.0
t
1
D =吨
1
/t
P
t
P
C
1.5
as
e
te
m
pe
1.0
Am
ra
100
D=0.5
BIE
tu
NT吨
re
em
0.5
0
每
在ü
re
D=0.2
D=0.1
单脉冲
-40 -20
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180 200
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
牛逼 - 温度
(°C)
脉冲宽度（秒）
降额曲线
最大瞬态热阻抗
3-230
ZTX658
典型特征
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=20
I
C
/I
B
=50
T
AMB
=25°C
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
1.6
I
C
/I
B
=10
V
CE （ SAT ）
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
V
CE （ SAT ）
- （伏）
0.01
0.1
1
10
20
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10
20
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
CE （ SAT ）
V I
C
1.6
h
FE
- 归一化增益
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
+100°C
+25°C
-55°C
V
CE
=10V
1.6
300
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=10
h
FE
- 典型增益
V
BE （ SAT ）
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
200
100
0.01
0.1
1
10 20
0
0.001
0.01
0.1
1
10
20
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
1.0
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
V
BE （ SAT ）
V I
C
在T单脉冲测试
AMB
=25°C
1.6
1.4
V
CE
=10V
I
C
- 集电极电流（安培）
V
BE
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10 20
0.1
0.01
特区
1s
100ms
10ms
1.0ms
0.1ms
0.001
1
10
100
1000
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE
-
集电极电压（伏特）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3-231
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