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ZXGD3101N8
SYNCHRONOU S R ECTIFIER控制器
描述
该ZXGD3101用于驱动MOSFET的构造为理想
二极管的替代品。该装置是由一个差动放大器的
检测阶段和高电流驱动器。该检测器监测
MOSFET的反向电压，这样，如果体二极管导通
发生正的电压被施加到MOSFET的栅极端子。
一旦该正电压被施加到栅极的MOSFET的
交换机上允许反向电流。该探测器“输出
电压是正比于在MOSFET漏源逆
电压下降，这是通过驾驶员施加到门。此操作
提供了快速关断的电流衰减。
特点
关断传播延迟为15ns和关断时间为20ns 。
合适的不连续模式（DCM ） ，临界
导通模式（临界模式）和连续模式（ CCM ）
手术
对符合能源之星V2.0和欧典
V3行为
无卤部分
5-15V的Vcc范围
应用
反激式转换器中：
转接器
液晶显示器
服务器电源的
机顶盒
LLC转换器中：
高电源适配器
液晶电视
路灯
机械数据
案例： SO- 8
标识信息：请参阅第13页
请参阅文档： AN54 ， AN69 ， DN90 ， DN91和DN94提供
从该网站
订购信息
产品
ZXGD3101N8TC
状态
活跃
包
SO-8
记号
ZXGD3101
卷尺寸（英寸）
13
胶带宽度（mm）
12
QUANTITY每卷
2500
ZXGD3101N8
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最大额定值
参数
电源电压（注1 ）
连续漏极引脚电压（注1 ）
GATEH和GATEL输出电压（注1 ）
驱动器峰值源电流
驱动器峰值灌电流
参考电流
偏压
偏置电流
在T功耗
A
=25°C
工作结温
储存温度
符号
V
CC
V
D
V
G
I
来源
I
SINK
I
REF
V
BIAS
I
BIAS
P
D
T
J
T
英镑
极限
15
-3 180
-3 V
CC
+ 3
4
7
25
V
CC
100
490
-40到+150
-50至+150
单位
V
V
V
A
A
mA
V
mA
mW
°C
°C
热特性
参数
结到环境（注2 ）
交界处领导（注3 ）
符号
R
θJA
R
ΦLA
价值
255
120
单位
° C / W
° C / W
ESD额定值
模型
人体
机
注意事项：
1.所有电压都是相对于GND引脚
2.安装在最小1盎司重量的铜的FR4 PCB在静止空气条件。
3.输出驱动器 - 结点到焊点处的导线5和6月底
等级
4000
400
单位
V
V
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电气特性
@T
A
= 25 ° C，V
CC
= 10V,
参数
输入和电源特性
符号
R
BIAS
= 1.8kΩ ，R
REF
=3k
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
漏
≤
-200m V
工作电流
栅极驱动器
关断阈值电压（注4 ）
I
OP
V
漏
≥
0V
-
-
3
8
-
mA
-
V
T
V
G（ OFF）
V
G
= 1V ， （注5 ）
V
漏
≥
0V ， （注5 ）
V
漏
= -60mV ， （注6 ）
-45
-
5.0
7.0
8.4
9.2
9.3
-16
0.6
7.5
8.5
9
9.4
9.5
2.5
2.5
525
0
1
-
-
mV
GATE输出电压（注4 ）
V
漏
= -80mV ， （注6 ）
V
G
V
漏
= -100mV ， （注6 ）
V
漏
≤
-140mV ， （注6 ）
V
漏
≤
-200mV ， （注6 ）
GATEH峰值电流源
GATEL峰值灌电流
打开的传播延迟
关闭传播延迟
门上升时间
GATE下降时间
注意事项：
V
-
-
-
-
-
A
A
ns
ns
ns
ns
I
来源
I
SINK
t
d1
t
d2
t
r
t
f
V
GH
= 1V
V
GL
= 5V
C
L
= 2.2nF ， （注6及7 ）
15
305
20
4. GATEH连接到GATEL
5. R
H
= 100kΩ的，R
L
= O / C
6. R
L
= 100kΩ的，R
H
= O / C
7.参见图6 ：测试电路，图7 ：时序图第12页
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原理图符号和引脚输出详细
VCC
+
迪FF erential
- 放大器
栅极驱动器
振幅
控制
漏
+
高伏
- 比较器
TURN- ON / OFF
控制
GATEH
司机
GATEL
门槛
电压
控制
REF
BIAS
GND
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
注意事项：
符号
NC
REF
GATEL
GATEH
V
CC
GND
BIAS
漏
说明与功能
无连接
该引脚可以连接到GND
参考
该引脚连接到V
CC
经由电阻器R
REF
. R
REF
应选择源约3毫安到该引脚。
（注8）
门关闭
该引脚吸收电流，我
SINK
从同步MOSFET栅极。
门打开
该引脚的电流源，我
来源
，在同步MOSFET栅极。
电源
这是电源引脚。建议解耦这点与陶瓷电容器紧紧地。
地
这是在地面参考点。连接到同步MOSFET源端。
BIAS
该引脚连接到V
CC
经由电阻器R
BIAS
. R
BIAS
应选择源1.6的时候，我
REF
这个引脚。
（注9 ）
漏极连接
该引脚直接连接到同步MOSFET漏极。
8. REF引脚应假定为在GND + 0.7V 。
9. BIAS引脚应该被认为是在GND + 0.3V 。
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手术
正常工作
该装置的动作进行说明的一步一步参照下面的时序图。
1.检测器监测的MOSFET漏源电压。
2.当由于变压器的作用， MOSFET的体二极管被迫进行有大约-0.6V的漏极引脚。
3.检测器输出正的电压相对于地，这个电压被馈送到MOSFET驱动器级和电流源出
在GATEH引脚。
4.当前出GATEH引脚的来源为同步MOSFET栅极开启设备。
5. GATEH输出电压现在是成正比的MOSFET两端的漏源电压降是由于电流流过
MOSFET。
6. MOSFET的导通一直持续到漏极电流达到零。
7.在零电流检测器的输出电压是零和同步MOSFET栅极电压被拉低，通过GATEL ，转动装置
关。
体二极管
传导
漏
当前
零
MOSFET
栅电流
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