【ZXMP6A18K60V P沟道增强型MOSFET摘要V（ BR ） DSS= -60V ，RDS 】,IC型号ZXMP6A18KTC,ZXMP6A18KTC PDF资料,ZXMP6A18KTC经销商,ic,电子元器件-51电子网

ZXMP6A18K

60V P沟道增强型MOSFET

摘要

（ BR ） DSS

= -60V ，R

DS （ ON）

= 0.055 : I

= -10.4A

描述

这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的

结构相结合的低效益的导通电阻与快

开关速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，

电源管理应用。

特点

低导通电阻

开关速度快

低门槛

低栅极驱动器

DPAK封装

应用

电机驱动

隔离开关

订购信息

设备

ZXMP6A18KTC

带尺寸

（英寸）

胶带宽度

16mm

QUANTITY每卷

引脚 - 顶视图

2500台

器件标识

ZXMP

6A18

第1期 - 2006年3月

捷特科PLC 2006

www.zetex.com

ZXMP6A18K

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

= 10V ;牛逼

=25°C

(b)

= 10V ;牛逼

=70°C

(b)

= 10V ;牛逼

=25°C

(a)

漏电流脉冲

(c)

连续源电流（体二极管）

(b)

脉冲源电流（体二极管）

(c)

在T功耗

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

=25°C

(b)

线性降额因子

在T功耗

=25°C

(d)

线性降额因子

工作和存储温度范围

-10.4

-8.3

-6.8

-37.5

-11.5

-37.5

4.3

34.4

10.1

80.8

2.15

17.2

-55到+150

毫瓦/°C的

°C

符号

DSS

极限

-60

±20

单位

英镑

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

结到环境

(d)

符号

价值

12.3

单位

° C / W

注意事项：

（一）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，以

静止空气条件。

（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。

（三）重复评价50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最大

结温。

（四）对于器件表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在

静止空气条件。

第1期 - 2006年3月

捷特科PLC 2006

www.zetex.com

ZXMP6A18K

特征

第1期 - 2006年3月

捷特科PLC 2006

www.zetex.com

ZXMP6A18K

电气特性（在T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

零栅极电压漏极电流

门体漏

门源阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

(*)

正向跨导

(*)()

动态

()

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关

() ()

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

源极 - 漏极二极管

二极管的正向电压

(*)

反向恢复时间

()

反向恢复电荷

()

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

-60

-1.0

100

-1.0

0.055

0.080

8.7

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

政府飞行服务队

= -250 A，V

=0V

=-60V, V

=0V

=±20V, V

=0V

= -250 A，V

= -10V ，我

=-3.5A

= -4.5V ，我

=-2.9A

=-15V,I

=-3.5A

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

1580

160

140

=-30 V, V

=0V,

f=1MHz

4.6

5.8

3.9

9.8

=-30V,V

=-10V,

=-3.5A

=-30V,V

=-5V,

=-3.5A

= -30V ，我

=-1A

=6.0W,V

=-10V

-0.85

-0.95

= 25 ° C，I

=-4.2A,

=0V

= 25 ° C，I

=-2.1A,

的di / dt = 100A / μs的

注意事项：

300μS 。占空比

2%.

（*）的测量脉冲条件下进行。宽度

（）的开关特性是独立的工作结温。

（）为设计辅助而已，不受生产测试。

第1期 - 2006年3月

捷特科PLC 2006

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ZXMP6A18K

典型特征

第1期 - 2006年3月

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ZXMP6A18K

60V P沟道增强型MOSFET

摘要

（ BR ） DSS

= -60V ，R

DS （ ON）

= 0.055 : I

= -10.4A

描述

这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的

结构相结合的低效益的导通电阻与快

开关速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，

电源管理应用。

特点

低导通电阻

开关速度快

低门槛

低栅极驱动器

DPAK封装

应用

电机驱动

隔离开关

订购信息

设备

ZXMP6A18KTC

带尺寸

（英寸）

胶带宽度

16mm

QUANTITY每卷

引脚 - 顶视图

2500台

器件标识

ZXMP

6A18

第1期 - 2006年3月

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ZXMP6A18K

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

= 10V ;牛逼

=25°C

(b)

= 10V ;牛逼

=70°C

(b)

= 10V ;牛逼

=25°C

(a)

漏电流脉冲

(c)

连续源电流（体二极管）

(b)

脉冲源电流（体二极管）

(c)

在T功耗

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

=25°C

(b)

线性降额因子

在T功耗

=25°C

(d)

线性降额因子

工作和存储温度范围

-10.4

-8.3

-6.8

-37.5

-11.5

-37.5

4.3

34.4

10.1

80.8

2.15

17.2

-55到+150

毫瓦/°C的

°C

符号

DSS

极限

-60

±20

单位

英镑

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

结到环境

(d)

符号

价值

12.3

单位

° C / W

注意事项：

（一）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，以

静止空气条件。

（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。

（三）重复评价50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最大

结温。

（四）对于器件表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在

静止空气条件。

第1期 - 2006年3月

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特征

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ZXMP6A18K

电气特性（在T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

零栅极电压漏极电流

门体漏

门源阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

(*)

正向跨导

(*)()

动态

()

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关

() ()

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

源极 - 漏极二极管

二极管的正向电压

(*)

反向恢复时间

()

反向恢复电荷

()

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

-60

-1.0

100

-1.0

0.055

0.080

8.7

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

政府飞行服务队

= -250 A，V

=0V

=-60V, V

=0V

=±20V, V

=0V

= -250 A，V

= -10V ，我

=-3.5A

= -4.5V ，我

=-2.9A

=-15V,I

=-3.5A

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

1580

160

140

=-30 V, V

=0V,

f=1MHz

4.6

5.8

3.9

9.8

=-30V,V

=-10V,

=-3.5A

=-30V,V

=-5V,

=-3.5A

= -30V ，我

=-1A

=6.0W,V

=-10V

-0.85

-0.95

= 25 ° C，I

=-4.2A,

=0V

= 25 ° C，I

=-2.1A,

的di / dt = 100A / μs的

注意事项：

300μS 。占空比

2%.

（*）的测量脉冲条件下进行。宽度

（）的开关特性是独立的工作结温。

（）为设计辅助而已，不受生产测试。

第1期 - 2006年3月

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ZXMP6A18K

典型特征

第1期 - 2006年3月

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