ZXMP2120E5
200V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -200V ;
DS （ ON）
= 28 ; I
D
= -122mA
描述
这200V增强型P沟道MOSFET为用户提供了
有竞争力的产品规范高效的功率处理能力，高
阻抗，并没有产生热失控和热致
二次击穿。应用受益于该设备包括：
各种电信和一般的高压电路。
一个4引脚SOT223版本也可以（ ZXMP2120G4 ） 。
特点
SOT23-5
高压
低导通电阻
开关速度快
低栅极驱动器
低门槛
SOT23-5封装的变体设计，以增加之间的间距
高电压引脚。
应用
初级侧MOSFET的在48伏的DC- DC转换器有源钳位
订购信息
设备
ZXMP2120E5TA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度（mm）
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
N / C
D
N / C
S
器件标识
G
P120
引脚 - 顶视图
第2期 - 2006年9月
1
ZXMP2120E5
绝对最大额定值
参数
漏源电压
门源电压
符号
V
DSS
V
GS
极限
-200
±20
-122
-0.7
-0.7
0.75
6
T
j
:
T
英镑
-55到+150
单位
V
V
mA
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
连续漏电流（ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C)
(a)
I
D
I
DM
漏电流脉冲（三）
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
工作和存储温度范围
I
SM
P
D
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
θJA
价值
167
单位
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
第2期 - 2006年9月
2
ZXMP2120E5
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
-200
-1.5
-3.5
20
-10
-100
-300
28
50
V
V
nA
A
A
mA
mS
I
D
= -1mA ，V
GS
=0V
I = -1mA ，V
DS
= V
GS
D
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件。
V
GS
=
20V, V
DS
=0V
V
DS
=-200 V, V
GS
=0
V
DS
=-160 V, V
GS
=0V,
T=125°C
(2)
V
DS
=-25 V, V
GS
=-10V
V
GS
= -10V ，我
D
=-150mA
V
DS
=-25V,I
D
=-150mA
通态漏电流
(1)
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导
(1)(2)
动态
输入电容
(2)
输出电容
(2)
反向传输电容
(2)
开关
导通延迟时间
(2) (3)
上升时间
(2)(3)
打开-O FF延迟时间
(2) (3)
下降时间
(2)(3)
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
100
25
7
pF
pF
pF
V
DS
=-25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
7
15
12
15
ns
ns
ns
ns
V
DD
= -25V ，我
D
=-150mA
注意事项：
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2%.
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关与50Ω的源阻抗和<5ns测次上升时间的脉冲发生器。
第2期 - 2006年9月
3
ZXMP2120E5
200V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -200V ;
DS （ ON）
= 28 ; I
D
= -122mA
描述
这200V增强型P沟道MOSFET为用户提供了
有竞争力的产品规范高效的功率处理能力，高
阻抗，并没有产生热失控和热致
二次击穿。应用受益于该设备包括：
各种电信和一般的高压电路。
一个4引脚SOT223版本也可以（ ZXMP2120G4 ） 。
特点
SOT23-5
高压
低导通电阻
开关速度快
低栅极驱动器
低门槛
SOT23-5封装的变体设计，以增加之间的间距
高电压引脚。
应用
初级侧MOSFET的在48伏的DC- DC转换器有源钳位
订购信息
设备
ZXMP2120E5TA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度（mm）
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
N / C
D
N / C
S
器件标识
G
P120
引脚 - 顶视图
第2期 - 2006年9月
1
ZXMP2120E5
绝对最大额定值
参数
漏源电压
门源电压
符号
V
DSS
V
GS
极限
-200
±20
-122
-0.7
-0.7
0.75
6
T
j
:
T
英镑
-55到+150
单位
V
V
mA
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
连续漏电流（ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C)
(a)
I
D
I
DM
漏电流脉冲（三）
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
工作和存储温度范围
I
SM
P
D
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
θJA
价值
167
单位
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
第2期 - 2006年9月
2
ZXMP2120E5
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
-200
-1.5
-3.5
20
-10
-100
-300
28
50
V
V
nA
A
A
mA
mS
I
D
= -1mA ，V
GS
=0V
I = -1mA ，V
DS
= V
GS
D
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件。
V
GS
=
20V, V
DS
=0V
V
DS
=-200 V, V
GS
=0
V
DS
=-160 V, V
GS
=0V,
T=125°C
(2)
V
DS
=-25 V, V
GS
=-10V
V
GS
= -10V ，我
D
=-150mA
V
DS
=-25V,I
D
=-150mA
通态漏电流
(1)
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导
(1)(2)
动态
输入电容
(2)
输出电容
(2)
反向传输电容
(2)
开关
导通延迟时间
(2) (3)
上升时间
(2)(3)
打开-O FF延迟时间
(2) (3)
下降时间
(2)(3)
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
100
25
7
pF
pF
pF
V
DS
=-25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
7
15
12
15
ns
ns
ns
ns
V
DD
= -25V ，我
D
=-150mA
注意事项：
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2%.
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关与50Ω的源阻抗和<5ns测次上升时间的脉冲发生器。
第2期 - 2006年9月
3
QQ：2881677436 复制
