SM- 8双极型晶体管H桥
ZHB6792
初步数据表发出1998年5月
特点
*小型封装
*低导通损耗
*低驱动要求
*可在高达70V供电
* 1安培连续电流
PARTMARKING详细信息 - ZHB6792
SM-8
（ 8铅SOT223 ）
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
NPN晶体管
70
70
5
2
1
穿透概率
-70
-70
-5
-2
-1
单位
V
V
V
A
A
°C
工作和存储温度范围T
j
:T
英镑
-55到+150
原理图
E1, E4
接线图
C
1,
C
2
B1
Q1
Q4
B4
B
1
B
2
E
2
,E
3
B
3
5
E
1
,E
4
C
3
,C
4
6
7
C1, C2
C3, C4
B2
Q2
Q3
B3
B
4
E2, E3
8
1
2
3
4
ZHB6792
热特性
参数
在T总功率耗散
AMB
= 25°C*
在任何单个晶体管?? ??
Q1和Q3 ??上？或Q2和Q4 ??上？一样
减免上述25° C *
在任何单个晶体管?? ??
Q1和Q3 ??上？或Q2和Q4 ??上？一样
热阻 - 结到环境*
在任何单个晶体管?? ??
Q1和Q3 ??上？或Q2和Q4 ??上？一样
符号
P
合计
1.25
2
10
16
100
62.5
W
W
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
价值
单位
100
热阻（ ° C / W）
热阻（ ° C / W）
t1
80
tP
D=t1
tP
60
t1
50
40
30
20
10
0
100us
tP
D=t1
tP
60
40
20
0
100us
D=1
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
单脉冲
D=1
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
单脉冲
1ms
10毫秒100毫秒
1s
10s
100s
1ms
10毫秒100毫秒
1s
10s
100s
脉冲宽度
脉冲宽度
瞬态热阻
单个晶体管"On"
2.0
10
瞬态热阻
Q1和Q3和Q2和Q4 "On"
最大功率耗散 - （瓦特）
1.5
Du
al
功率Dissapation （W）的
双晶体管
单个晶体管
1.0
罪
GLE
1
全铜
最低
铜
双晶体管
单个晶体管
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.1
0.1
1
10
牛逼 - 温度（℃ ）
PCB面积（平方英寸）
降额曲线
钯V PCB面积比较
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在印刷电路板上
铜等于2平方英寸。
?? "Two设备on"是为桥梁的标准工作状态。例如。相对的NPN / PNP双
rurned上。
ZHB6792
NPN晶体管
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
BreakdownVoltages
符号最小值。
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
截止电流
I
CBO
I
EBO
饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
V
BE（上）
h
FE
500
400
150
150
200
12
46
1440
兆赫
pF
pF
ns
ns
70
70
5
0.1
0.1
0.15
0.5
0.9
0.9
典型值。马克斯。
单位测试条件。
V
V
V
A
A
V
V
V
V
I
C
=100A
I
C
=10mA*
I
E
=100A
V
CB
=55V
V
EB
=4V
I
C
= 0.1A ，我
B
=0.5mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
=100mA,V
CE
=2V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=2V*
I
C
=1A,V
CE
=2V*
I
C
= 50mA时V
CE
= 5V ， F = 50MHz的
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 500毫安，我
B1
=50mA
I
B2
= 50mA时V
CC
=10V
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
ZHB6792
PNP晶体管
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流
转让
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
250
200
100
225
22
35
750
-0.75
800
分钟。
-75
-70
-5
-0.1
-0.1
-0.45
-0.5
-0.95
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
V
V
V
V
条件。
I
C
=-100A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100A
V
CB
=-40V
V
EB
=-4V
I
C
= -500mA ，我
B
=-5mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-25mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-25mA*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
兆赫
pF
pF
ns
ns
I
C
= -50mA ，V
CE
=-5V
f=50MHz
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
=-500mA,
I
B1
=-50mA
I
B2
= -50mA ，V
CC
=-10V
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
SM- 8双极型晶体管H桥
ZHB6792
初步数据表发出1998年5月
特点
*小型封装
*低导通损耗
*低驱动要求
*可在高达70V供电
* 1安培连续电流
PARTMARKING详细信息 - ZHB6792
SM-8
（ 8铅SOT223 ）
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
NPN晶体管
70
70
5
2
1
穿透概率
-70
-70
-5
-2
-1
单位
V
V
V
A
A
°C
工作和存储温度范围T
j
:T
英镑
-55到+150
原理图
E1, E4
接线图
C
1,
C
2
B1
Q1
Q4
B4
B
1
B
2
E
2
,E
3
B
3
5
E
1
,E
4
C
3
,C
4
6
7
C1, C2
C3, C4
B2
Q2
Q3
B3
B
4
E2, E3
8
1
2
3
4
ZHB6792
热特性
参数
在T总功率耗散
AMB
= 25°C*
在任何单个晶体管?? ??
Q1和Q3 ??上？或Q2和Q4 ??上？一样
减免上述25° C *
在任何单个晶体管?? ??
Q1和Q3 ??上？或Q2和Q4 ??上？一样
热阻 - 结到环境*
在任何单个晶体管?? ??
Q1和Q3 ??上？或Q2和Q4 ??上？一样
符号
P
合计
1.25
2
10
16
100
62.5
W
W
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
价值
单位
100
热阻（ ° C / W）
热阻（ ° C / W）
t1
80
tP
D=t1
tP
60
t1
50
40
30
20
10
0
100us
tP
D=t1
tP
60
40
20
0
100us
D=1
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
单脉冲
D=1
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
单脉冲
1ms
10毫秒100毫秒
1s
10s
100s
1ms
10毫秒100毫秒
1s
10s
100s
脉冲宽度
脉冲宽度
瞬态热阻
单个晶体管"On"
2.0
10
瞬态热阻
Q1和Q3和Q2和Q4 "On"
最大功率耗散 - （瓦特）
1.5
Du
al
功率Dissapation （W）的
双晶体管
单个晶体管
1.0
罪
GLE
1
全铜
最低
铜
双晶体管
单个晶体管
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.1
0.1
1
10
牛逼 - 温度（℃ ）
PCB面积（平方英寸）
降额曲线
钯V PCB面积比较
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在印刷电路板上
铜等于2平方英寸。
?? "Two设备on"是为桥梁的标准工作状态。例如。相对的NPN / PNP双
rurned上。
ZHB6792
NPN晶体管
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
BreakdownVoltages
符号最小值。
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
截止电流
I
CBO
I
EBO
饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
V
BE（上）
h
FE
500
400
150
150
200
12
46
1440
兆赫
pF
pF
ns
ns
70
70
5
0.1
0.1
0.15
0.5
0.9
0.9
典型值。马克斯。
单位测试条件。
V
V
V
A
A
V
V
V
V
I
C
=100A
I
C
=10mA*
I
E
=100A
V
CB
=55V
V
EB
=4V
I
C
= 0.1A ，我
B
=0.5mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
=100mA,V
CE
=2V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=2V*
I
C
=1A,V
CE
=2V*
I
C
= 50mA时V
CE
= 5V ， F = 50MHz的
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 500毫安，我
B1
=50mA
I
B2
= 50mA时V
CC
=10V
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
ZHB6792
PNP晶体管
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流
转让
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
250
200
100
225
22
35
750
-0.75
800
分钟。
-75
-70
-5
-0.1
-0.1
-0.45
-0.5
-0.95
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
V
V
V
V
条件。
I
C
=-100A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100A
V
CB
=-40V
V
EB
=-4V
I
C
= -500mA ，我
B
=-5mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-25mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-25mA*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
兆赫
pF
pF
ns
ns
I
C
= -50mA ，V
CE
=-5V
f=50MHz
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
=-500mA,
I
B1
=-50mA
I
B2
= -50mA ，V
CC
=-10V
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
QQ：2880707522 复制
