【SM - 8 DUAL NPN中功率达林顿晶体管第1期 - 1995年11月ZDT605C1C1C2】,IC型号ZDT605,ZDT605 PDF资料,ZDT605经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13751165337

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第17页 > ZDT605

SM - 8 DUAL NPN中功率

达林顿晶体管

第1期 - 1995年11月

ZDT605

C

1

C

1

C

2

C

2

PARTMARKING详细信息？ T605

B

1

E

1

B

2

E

2

SM-8

（ 8铅SOT223 ）

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

T

j

:T

英镑

价值

140

120

10

4

1

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

°C

热特性

参数

在T总功率耗散

AMB

= 25°C*

“关于”任何单一芯片

这两个死“的”平等

减免上述25° C *

“关于”任何单一芯片

这两个死“的”平等

热阻 - 结到环境*

“关于”任何单一芯片

这两个死“的”平等

符号

P

合计

价值

2.25

2.75

18

22

55.6

45.5

单位

W

W

毫瓦/°C的

毫瓦/°C的

° C / W

° C / W

*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在印刷电路板上

铜等于2平方英寸。

3 - 324

ZDT605

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 基极击穿

电压

集电极 - 发射极击穿

电压

发射极 - 基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和

电压

基射

饱和电压

基射极电压TurnOn

静态前进

电流传输比

符号

V

（ BR ） CBO

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

CES

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

2K

5K

2K

0.5K

150

90典型

15典型

0.5典型

1.6典型

分钟。

140

120

10

0.01

10

10

0.1

1.0

1.5

1.8

1.7

马克斯。

单位

V

V

V

A

A

A

A

条件。

I

C

=100

A

I

C

=10mA*

I

E

=100

A

V

CB

=120V

V

CB

=120V,

T

AMB

=100°C

V

CES

=120V

V

EB

=8V

I

C

= 250毫安，我

B

=0.25mA*

I

C

= 1A ，我

B

=1mA*

I

C

= 1A ，我

B

=1mA*

I

C

= 1A ，V

CE

=5V*

I

C

= 50mA时V

CE

=5V*

I

C

= 500毫安，V

CE

=5V*

I

C

= 1A ，V

CE

=5V*

I

C

= 2A ，V

CE

=5V*

V

V

V

V

100K

兆赫

pF

pF

s

s

跃迁频率

输入电容

输出电容

开关时间

f

T

C

IBO

C

敖包

t

on

t

关闭

I

C

= 100mA时V

CE

=10V

f=20MHz

V

EB

= 0.5V ， F = 1MHz的

V

CE

= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 0.5A ，V

CE

=10V

I

B1

=I

B2

=0.5mA

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

3 - 325

ZDT605

典型特征

1.8

1.6

- （伏）

1.4

1.2

1.0

0.8

I

C

/I

B

=100

- 增益归为1安培

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

2.5

-55°C

+25°C

+100°C

2.0

V

CE

=5V

1.5

V

0.6

0.4

0.2

0

1.0

0.5

h

0.01

0.1

1

10

0.001

0.01

0.1

1

10

I

+

-

集电极电流（安培）

I

+

-

集电极电流（安培）

V

CE （ SAT ）

V I

C

h

FE

V I

C

2.2

2.0

1.8

1.6

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.01

-55°C

+25°C

+100°C

- （伏）

1.4

1.2

1.0

0.8

I

C

/I

B

=100

- （伏）

V

0.6

0.4

0.01

0.1

1

10

V

V

CE

=5V

0.1

1

10

I

+

-

集电极电流（安培）

I

+

-

集电极电流（安培）

V

BE （ SAT ）

V I

C

V

BE（上）

V I

C

3 - 326

查看更多ZDT605PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

ZDT605

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

ZDT605

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

ZDT605

ZETEX

2443+

23000

SM-8

一级代理专营，原装现货，价格优势

北京显周科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

ZDT605

√ 欧美㊣品

▲10/11+

8763

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

查询更多ZDT605供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！