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ZXMD65N03N8
双30V N沟道增强型MOSFET
摘要
( BR ) DSS
= 30V ;
DS ( ON)
=0.029
D
=6.5A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率,低电压,功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMD65N03N8TA
带尺寸
(英寸)
13
胶带宽度(mm)
12毫米浮雕
QUANTITY
每卷
1000个单位
器件标识
ZXMD
65N03
顶视图
草案发行A - 2000年8月
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