本出版物受代之以更高版本。为了确定以后的版本是否存在，或
要求出版物，接触的副本：
ZiLOG公司全球总部
532街赛
圣何塞，加利福尼亚95126-3432
电话： 408.558.8500
传真： 408.558.8300
www.ZiLOG.com
ZiLOG公司是ZiLOG公司Inc.在美国和其他国家的注册商标。所有其它产品和/或服务
本文中提到的名称可能是与它们相关联的公司的商标。
文档免责声明
2005
由ZiLOG公司保留所有权利。本出版物中涉及的设备，应用程序或技术资料
描述意在说明可能的用途，并可以被取代。 ZiLOG公司， INC 。不承担或责任
PROVIDE准确性的信息的表示，设备或技术中所说明
在TH IS DOCUM EN T.字LO GA LSO DO ES不要选丁字ASSU ME LI能力FO RI NTELLECTU AL物业
侵权相关以任何方式利用信息，设备或技术描述
此处还是其它原因。除非有明确的书面批准ZiLOG公司，利用信息，设备或技术作为
生命支持系统中的关键组件没有被授权。无许可证或其他权利被输送，暗示或以其他方式，由
在任何知识产权这个文件。
PRS000502-1005
初步
Z8FMC16 MCU
编程特定网络阳离子
1
闪存编程概述
在Z8喝采！
Z8FMC16电机控制设有一个闪存程序存储器的选择
的8KB或16KB 。通过使用闪存，你可以轻松地更新代码的能力。
在Z8喝采！
设有一个片上闪存控制器，通常管理的时机
编程，页擦除和整体擦除操作闪光灯控制信号。闪存
控制器也可以被旁路，以允许直接控制闪光信号通过通用
通用输入/输出（ GPIO ）引脚。快闪记忆体能够更快地通过控制编程
闪存信号直接。绕过闪存控制器是有益的，当
编程的大量设备，并且是最有可能被使用的第三方
谁的供应商正在开发的多点帮派的程序员。
绕过Flash控制器
闪存控制器旁路模式是通过写下面三个字节指令的使能
到片上调试器（ OCD ）通过DBG接口：
1.
80H
- 该指令启动自动波特率计算DBG接口数据和
时钟速率。
2.
F0H
- 强迫症TESTMODE写寄存器命令。
3.
04H
- 数据要被写入到TESTMODE寄存器。这个数据使闪光
控制器旁路模式。
闪存存储器控制信号
根据不同的大小（字节数） ，可以在闪存存储器中，闪存存储器
利用其直接连接四十了两个信号。
16个信号的地址线。
8个信号进行数据输入。
8个信号进行数据的输出。
10个信号用于控制操作。
列出了Flash存储器控制信号和所述的
表1
PRS000502-1005
初步
闪存编程概述
Z8FMC16 MCU
编程特定网络阳离子
2
.
表1.闪存存储器控制信号
信号
方向
I
描述
XADDR [9：0 ]
X地址输入选择一行。 XADDR [9：0 ]对应于上部
10位的程序存储器地址空间（ PROGMEM [15： 6 ]）。
对于Z8喝采！
少于64KB的程序存储器设备中，
未使用的高地址位必须被设置为0 。
Y地址输入中选择一个行内的一个字节。 YADDR [5：0 ]
对应于程序存储器地址空间的低6位
（ PROGMEM [5： 0]）。
数据输入。
数据输出。
X地址启用。
Y地址使能。
读出放大器启动。
输出使能。
清除启用。这个信号用于选择擦除操作。
整体擦除选择。这个信号被用于页面之间进行区分
擦除和整体擦除操作。
程序启用。这个信号被用来选择一个节目的操作。
非易失性存储器使能。在页擦除，质量该信号用于
擦除和编程操作。
这个信号应在所有的操作被设置为1 。
信息区域中进行选择。
YADDR [5：0 ]
I
DIN [7：0 ]
DOUT [7 ：0]的
XE
YE
SE
OE
抹去
MAS1
PROG
NVSTR
TMR
IFREN
I
O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
闪存部门
当绕过闪存控制器，所有的闪存操作（读取，编程，网页
擦除和整体擦除）可供选择。操作模式是由闪存存储器设置
控制信号如上述
表2中。
闪存主存储器或闪存信息区的选择取决于
如上述IFREN信号
表3中。
PRS000502-1005
初步
闪存编程概述
Z8FMC16 MCU
编程特定网络阳离子
3
表2.闪光模式真值表
模式
XE
YE
SE
OE
PROG
ERASE MAS1
NVSTR TMR
IFREN
读
节目
页擦除
整体擦除
H
H
H
H
H
H
L
L
H
L
L
L
H
L
L
L
L
H
L
L
L
L
H
H
L
L
L
H
L
H
H
H
H
H
H
H
L / H
1
L / H
1
L / H
1
L / H
1
SEE
表3
对于IFREN信号的操作信息。
表3. IFREN信号真值表
模式
IFREN = 1
IFREN = 0
读
节目
页擦除
整体擦除
阅读资料区
页擦除信息
区域
整体擦除信息
区域
阅读主内存
页擦除主内存
整体擦除主内存
计划信息领域项目主内存
闪光旁路模式寄存器结构
对于使用闪存控制器旁路模式对于所有的封装尺寸，该信号必须
内部登记。这使得通过引脚PWM2L和端口的所有数据访问出现
[6：0 ] 。其它三个引脚（ PWM2H ， PWM1L和PWM1H ） ，选择输入数据中的一个
寄存器或数据输出寄存器，如图
表4 。
PRS000502-1005
初步
闪存编程概述
本出版物受代之以更高版本。为了确定以后的版本是否存在，或
要求出版物，接触的副本：
ZiLOG公司全球总部
532街赛
圣何塞，加利福尼亚95126-3432
电话： 408.558.8500
传真： 408.558.8300
www.ZiLOG.com
ZiLOG公司是ZiLOG公司Inc.在美国和其他国家的注册商标。所有其它产品和/或服务
本文中提到的名称可能是与它们相关联的公司的商标。
文档免责声明
2005
由ZiLOG公司保留所有权利。本出版物中涉及的设备，应用程序或技术资料
描述意在说明可能的用途，并可以被取代。 ZiLOG公司， INC 。不承担或责任
PROVIDE准确性的信息的表示，设备或技术中所说明
在TH IS DOCUM EN T.字LO GA LSO DO ES不要选丁字ASSU ME LI能力FO RI NTELLECTU AL物业
侵权相关以任何方式利用信息，设备或技术描述
此处还是其它原因。除非有明确的书面批准ZiLOG公司，利用信息，设备或技术作为
生命支持系统中的关键组件没有被授权。无许可证或其他权利被输送，暗示或以其他方式，由
在任何知识产权这个文件。
PRS000502-1005
初步
Z8FMC16 MCU
编程特定网络阳离子
1
闪存编程概述
在Z8喝采！
Z8FMC16电机控制设有一个闪存程序存储器的选择
的8KB或16KB 。通过使用闪存，你可以轻松地更新代码的能力。
在Z8喝采！
设有一个片上闪存控制器，通常管理的时机
编程，页擦除和整体擦除操作闪光灯控制信号。闪存
控制器也可以被旁路，以允许直接控制闪光信号通过通用
通用输入/输出（ GPIO ）引脚。快闪记忆体能够更快地通过控制编程
闪存信号直接。绕过闪存控制器是有益的，当
编程的大量设备，并且是最有可能被使用的第三方
谁的供应商正在开发的多点帮派的程序员。
绕过Flash控制器
闪存控制器旁路模式是通过写下面三个字节指令的使能
到片上调试器（ OCD ）通过DBG接口：
1.
80H
- 该指令启动自动波特率计算DBG接口数据和
时钟速率。
2.
F0H
- 强迫症TESTMODE写寄存器命令。
3.
04H
- 数据要被写入到TESTMODE寄存器。这个数据使闪光
控制器旁路模式。
闪存存储器控制信号
根据不同的大小（字节数） ，可以在闪存存储器中，闪存存储器
利用其直接连接四十了两个信号。
16个信号的地址线。
8个信号进行数据输入。
8个信号进行数据的输出。
10个信号用于控制操作。
列出了Flash存储器控制信号和所述的
表1
PRS000502-1005
初步
闪存编程概述
Z8FMC16 MCU
编程特定网络阳离子
2
.
表1.闪存存储器控制信号
信号
方向
I
描述
XADDR [9：0 ]
X地址输入选择一行。 XADDR [9：0 ]对应于上部
10位的程序存储器地址空间（ PROGMEM [15： 6 ]）。
对于Z8喝采！
少于64KB的程序存储器设备中，
未使用的高地址位必须被设置为0 。
Y地址输入中选择一个行内的一个字节。 YADDR [5：0 ]
对应于程序存储器地址空间的低6位
（ PROGMEM [5： 0]）。
数据输入。
数据输出。
X地址启用。
Y地址使能。
读出放大器启动。
输出使能。
清除启用。这个信号用于选择擦除操作。
整体擦除选择。这个信号被用于页面之间进行区分
擦除和整体擦除操作。
程序启用。这个信号被用来选择一个节目的操作。
非易失性存储器使能。在页擦除，质量该信号用于
擦除和编程操作。
这个信号应在所有的操作被设置为1 。
信息区域中进行选择。
YADDR [5：0 ]
I
DIN [7：0 ]
DOUT [7 ：0]的
XE
YE
SE
OE
抹去
MAS1
PROG
NVSTR
TMR
IFREN
I
O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
闪存部门
当绕过闪存控制器，所有的闪存操作（读取，编程，网页
擦除和整体擦除）可供选择。操作模式是由闪存存储器设置
控制信号如上述
表2中。
闪存主存储器或闪存信息区的选择取决于
如上述IFREN信号
表3中。
PRS000502-1005
初步
闪存编程概述
Z8FMC16 MCU
编程特定网络阳离子
3
表2.闪光模式真值表
模式
XE
YE
SE
OE
PROG
ERASE MAS1
NVSTR TMR
IFREN
读
节目
页擦除
整体擦除
H
H
H
H
H
H
L
L
H
L
L
L
H
L
L
L
L
H
L
L
L
L
H
H
L
L
L
H
L
H
H
H
H
H
H
H
L / H
1
L / H
1
L / H
1
L / H
1
SEE
表3
对于IFREN信号的操作信息。
表3. IFREN信号真值表
模式
IFREN = 1
IFREN = 0
读
节目
页擦除
整体擦除
阅读资料区
页擦除信息
区域
整体擦除信息
区域
阅读主内存
页擦除主内存
整体擦除主内存
计划信息领域项目主内存
闪光旁路模式寄存器结构
对于使用闪存控制器旁路模式对于所有的封装尺寸，该信号必须
内部登记。这使得通过引脚PWM2L和端口的所有数据访问出现
[6：0 ] 。其它三个引脚（ PWM2H ， PWM1L和PWM1H ） ，选择输入数据中的一个
寄存器或数据输出寄存器，如图
表4 。
PRS000502-1005
初步
闪存编程概述
QQ：2881677436 复制
