【SOT223 N沟道增强模式垂直DMOS FET第3期 - 1996年1月7特点*紧凑型几何*快速开】,IC型号ZVN4206G,ZVN4206G PDF资料,ZVN4206G经销商,ic,电子元器件-51电子网

SOT223 N沟道增强

模式垂直DMOS FET

第3期 - 1996年1月

7

特点

*紧凑型几何

*快速开关速度

*无二次击穿和出色的温度稳定性

*高输入阻抗和低电流驱动

*易于parralleling的

ZVN4206G

D

S

D

G

应用

* DC-DC变换器

*电磁阀/继电器驱动器用于汽车应用

*步进电机驱动器和打印头驱动程序

PARTMARKING详细信息 -

ZVN4206

绝对最大额定值。

参数

漏源电压

连续漏电流在T

AMB

=25°C

漏电流脉冲

栅源电压

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

符号

V

DS

I

D

I

DM

V

GS

P

合计

T

j

:T

英镑

价值

60

1

8

±

20

2

-55到+150

单位

V

A

V

W

°C

3 - 401

ZVN4206G

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

符号最小值。

60

1.3

3

100

10

100

3

1

1.5

300

100

60

20

8

12

15

马克斯。

单位条件。

V

nA

A

mS

pF

ns

V

DD

≈25V,

I

D

= 1.5A ，V

根

=10V

V

DS

=25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

I

D

= 1mA时， V

GS

=0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= V

GS

V

GS

=± 20V, V

DS

=0V

V

DS

=60V, V

GS

=0V

V

DS

=48V, V

GS

= 0V ，T = 125°C

(2)

V

DS

=25V, V

GS

=10V

V

GS

= 10V ，我

D

=1.5A

V

GS

= 5V ，我

D

=0.5A

V

DS

=25V,I

D

=1.5A

漏源击穿电压BV

DSS

门源阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流（ 1 ）

静态漏源导通状态

电阻（1）

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

R

DS （ ON）

正向跨导（ 1 ）（ 2 ）G

fs

输入电容（ 2 ）

共源输出

电容（2）

反向传输电容（ 2 ）

导通延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

上升时间（ 2 ）（3）

关断延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

下降时间（2）（ 3）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比

≤2%

（ 2 ）样品测试。

（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器

3 - 402

ZVN4206G

典型特征

10

V

GS =

20V

16V

14V

12V

10V

9V

8V

7V

2

6V

5V

4.5V

4V

3.5V

50

10

V

GS =

20V

16V

14V

12V

10V

9V

8V

7V

6V

5V

4.5V

4V

3.5V

10

I

D

- 漏电流（安培）

6

I

D

- 漏电流（安培）

8

6

4

2

0

10

20

30

40

0

2

4

6

8

V

DS

- 漏源

电压（伏）

V

DS

- 漏源

电压（伏）

输出特性

饱和特性

V

DS-

漏源

电压（伏）

10

I

D

- 漏电流（安培）

6

V

DS =

10V

4

8

6

4

I

D=

3A

1.5A

0.5A

0

2

4

6

8

10

2

0

2

4

6

8

10

V

GS-

门源电压

（伏）

V

GS-

门源

电压（伏）

电压饱和特性

R

DS （ ON）

- 漏源导通电阻

()

传输特性

V

GS

=3.5V

10

4.5V

6V

8V 10V

2.6

归一化

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-50 -25

)

on

S(

V

GS =

10V

I

D=

1.5A

14V

1.0

20V

R

D

ce

an

IST

es

eR

rc

ou

-S

in

a

Dr

V

GS =

V

DS

I

D=

1mA

栅极阈值电压V

GS （ TH）

0

25 50 75 100 125 150 175 200 225

0.1

1.0

10

I

D-

漏电流

（安培）

T

j

-Junction温度（℃ ）

导通电阻V漏极电流

归一化

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

V温度

3 - 403

ZVN4206G

典型特征

1000

g

fs

-Transconductance （MS ）

700

600

500

400

300

200

100

0

1

2

3

g

fs

-Transconductance （MS ）

900

800

V

DS =

10V

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

DS =

10V

4

5

6

7

8

9

10

I

D

- 漏电流（安培）

V

GS

-Gate源极电压（伏特）

跨导V漏电流

跨导V栅源电压

V

DS

=

20V 40V 60V

I

D=

1.5A

V

GS

-Gate源极电压（伏特）

200

16

14

12

10

8

6

4

2

0

C-电容（pF ）

160

120

80

40

0

10

20

30

40

50

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

60

70

80

0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

V

DS

- 漏源极电压（伏特）

Q-费（ NC ）

电容V漏源电压

栅极电荷V栅源电压

3 - 404

SOT223 N沟道增强

模式垂直DMOS FET

第3期 - 1996年1月

7

特点

*紧凑型几何

*快速开关速度

*无二次击穿和出色的温度稳定性

*高输入阻抗和低电流驱动

*易于parralleling的

ZVN4206G

D

S

D

G

应用

* DC-DC变换器

*电磁阀/继电器驱动器用于汽车应用

*步进电机驱动器和打印头驱动程序

PARTMARKING详细信息 -

ZVN4206

绝对最大额定值。

参数

漏源电压

连续漏电流在T

AMB

=25°C

漏电流脉冲

栅源电压

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

符号

V

DS

I

D

I

DM

V

GS

P

合计

T

j

:T

英镑

价值

60

1

8

±

20

2

-55到+150

单位

V

A

V

W

°C

3 - 401

ZVN4206G

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

符号最小值。

60

1.3

3

100

10

100

3

1

1.5

300

100

60

20

8

12

15

马克斯。

单位条件。

V

nA

A

mS

pF

ns

V

DD

≈25V,

I

D

= 1.5A ，V

根

=10V

V

DS

=25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

I

D

= 1mA时， V

GS

=0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= V

GS

V

GS

=± 20V, V

DS

=0V

V

DS

=60V, V

GS

=0V

V

DS

=48V, V

GS

= 0V ，T = 125°C

(2)

V

DS

=25V, V

GS

=10V

V

GS

= 10V ，我

D

=1.5A

V

GS

= 5V ，我

D

=0.5A

V

DS

=25V,I

D

=1.5A

漏源击穿电压BV

DSS

门源阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流（ 1 ）

静态漏源导通状态

电阻（1）

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

R

DS （ ON）

正向跨导（ 1 ）（ 2 ）G

fs

输入电容（ 2 ）

共源输出

电容（2）

反向传输电容（ 2 ）

导通延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

上升时间（ 2 ）（3）

关断延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

下降时间（2）（ 3）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比

≤2%

（ 2 ）样品测试。

（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器

3 - 402

ZVN4206G

典型特征

10

V

GS =

20V

16V

14V

12V

10V

9V

8V

7V

2

6V

5V

4.5V

4V

3.5V

50

10

V

GS =

20V

16V

14V

12V

10V

9V

8V

7V

6V

5V

4.5V

4V

3.5V

10

I

D

- 漏电流（安培）

6

I

D

- 漏电流（安培）

8

6

4

2

0

10

20

30

40

0

2

4

6

8

V

DS

- 漏源

电压（伏）

V

DS

- 漏源

电压（伏）

输出特性

饱和特性

V

DS-

漏源

电压（伏）

10

I

D

- 漏电流（安培）

6

V

DS =

10V

4

8

6

4

I

D=

3A

1.5A

0.5A

0

2

4

6

8

10

2

0

2

4

6

8

10

V

GS-

门源电压

（伏）

V

GS-

门源

电压（伏）

电压饱和特性

R

DS （ ON）

- 漏源导通电阻

()

传输特性

V

GS

=3.5V

10

4.5V

6V

8V 10V

2.6

归一化

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-50 -25

)

on

S(

V

GS =

10V

I

D=

1.5A

14V

1.0

20V

R

D

ce

an

IST

es

eR

rc

ou

-S

in

a

Dr

V

GS =

V

DS

I

D=

1mA

栅极阈值电压V

GS （ TH）

0

25 50 75 100 125 150 175 200 225

0.1

1.0

10

I

D-

漏电流

（安培）

T

j

-Junction温度（℃ ）

导通电阻V漏极电流

归一化

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

V温度

3 - 403

ZVN4206G

典型特征

1000

g

fs

-Transconductance （MS ）

700

600

500

400

300

200

100

0

1

2

3

g

fs

-Transconductance （MS ）

900

800

V

DS =

10V

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

DS =

10V

4

5

6

7

8

9

10

I

D

- 漏电流（安培）

V

GS

-Gate源极电压（伏特）

跨导V漏电流

跨导V栅源电压

V

DS

=

20V 40V 60V

I

D=

1.5A

V

GS

-Gate源极电压（伏特）

200

16

14

12

10

8

6

4

2

0

C-电容（pF ）

160

120

80

40

0

10

20

30

40

50

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

60

70

80

0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

V

DS

- 漏源极电压（伏特）

Q-费（ NC ）

电容V漏源电压

栅极电荷V栅源电压

3 - 404