【SOT323 NPN硅平面高频三极管ISSUE 1 1998年11月特点*高FT= 900MHz的敏】,IC型号ZUMT5179,ZUMT5179 PDF资料,ZUMT5179经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SOT323 NPN硅平面

高频三极管

ISSUE 1 1998年11月

特点

*

高F

T

= 900MHz的敏

*

最大容量为1pF =

*

低噪音4.5分贝

PARTMARKING详细信息 - T6

ZUMT5179

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

功耗

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

价值

20

12

2.5

50

330

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 发射极可持续

电压

集电极 - 基极击穿

电压

发射极 - 基极击穿

电压

集电极截止

当前

静态正向电流

传输比

集电极 - 发射极饱和

电压

基射

饱和电压

跃迁频率

集电极 - 基极电容

小信号电流增益

噪声系数

共发射极放大器

功率增益

符号

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

f

T

C

cb

h

fe

N

F

GPE

15

25

3

900

25

分钟。

12

20

2.5

0.02

1.0

250

0.4

1.0

2000

1

300

14

4.5

ps

dB

dB

V

V

兆赫

pF

马克斯。

单位

V

V

V

A

A

条件。

I

C

= 3毫安，我

B

=0

I

C

= 1μA ，我

E

=0

I

E

= 10μA ，我

C

=0

V

CB

= 15V ，我

E

=0

V

CB

= 15V ，我

E

=0, T

AMB

=150°C

I

C

= 3mA电流， V

CE

=1V

I

C

= 10毫安，我

B

=1mA

I

C

= 10毫安，我

B

=1mA

I

C

= 5毫安，V

CE

= 6V ， F = 100MHz的

I

E

=0, V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 2毫安，V

CE

= 6V ， F = 1kHz时

I

E

= 2毫安，V

CB

= 6V ， F = 31.9MHz

I

C

= 1.5毫安，V

CE

=6V

R

S

= 50Ω ， F = 200MHz的

I

C

= 5毫安，V

CE

=6V

f=200MHz

集电极基时间常数rb'C

c

辣妹参数数据可应要求提供此设备

ZUMT5179

典型特征

200

175°C

0.8

150

100°C

25°C

V

CE

=1V

1.0

V

CE

=1V

-55°C

V

BE

- （伏）

h

FE

- 获得

0.6

100

25°C

100°C

175°C

0.4

-55°C

50

0.2

0

0.1

1

10

100

0

0.1

1

10

100

I

C

-

（MA ）

I

C

-

（MA ）

h

FE

V I

C

V

BE（上）

V I

C

1500

V

CE

=6V

f=100MHz

1.2

1.0

I

E

=0

f=1MHz

f

T

- （兆赫）

1000

0.8

C

CB

- （ pF）的

0.1

1

10

100

0.6

0.4

0.2

500

0

0

0.1

1

10

30

I

C

-

（MA ）

V

CB

-

（伏）

f

T

V I

C

C

CB

v V

CB

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