【SOT23封装P沟道增强模式垂直DMOS FET第3期？ 1996年1月特点* VDS- 200V7】,IC型号ZVP1320F,ZVP1320F PDF资料,ZVP1320F经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SOT23封装P沟道增强

模式垂直DMOS FET

第3期？ 1996年1月

特点

* V

DS

- 200V

7

ZVP1320F

D

S

PARTMARKING详细信息 -

MT

G

绝对最大额定值。

参数

漏源电压

连续漏电流在T

AMB

=25°C

漏电流脉冲

门源电压

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

参数

漏源击穿

电压

门极 - 源

电压

门体漏

零栅压漏

当前

通态漏电流（ 1 ）

符号最小值。

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

-100

80

25

50

15

5

8

8

8

16

-200

-1.5

-3.5

20

-10

-50

符号

V

DS

I

D

I

DM

V

GS

P

合计

T

j

:T

英镑

价值

-200

-35

-400

±

20

单位

V

mA

mA

V

mW

°C

330

-55到+150

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

MAX 。单位条件。

V

V

nA

A

A

I

D

= -1mA ，V

GS

=0V

I

D

= -1mA ，V

DS

= V

GS

V

GS

=

±

20V, V

DS

=0V

V

DS

=-200V, V

GS

=0V

V

DS

=-160V, V

GS

=0V,

T=125°C

(2)

V

DS

=-25V, V

GS

=-10V

V

GS

= -10V ，我

D

=-50mA

V

DS

= -25V ，我

D

=-50mA

mA

静态漏源导通国家科研

DS （ ON）

电阻（1）

正向跨导

(1)(2)

输入电容（ 2 ）

共源输出

电容（2）

反向传输

电容（2）

导通延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

上升时间（ 2 ）（3）

关断延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

下降时间（2）（ 3）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

mS

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V

DS

=-25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

V

DD

≈

-25V ，我

D

=-50mA

（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300

秒。占空比

≤

2 ％（ 2 ）样品测试。

（3 ）测定的，用50开关时间

源阻抗和＆lt; 5纳秒的上升时间的脉冲发生器

3 - 423

ZVP1320F

典型特征

-280

-240

V

GS =

-20V

-10V

-9V

-8V

-7V

-160

-120

-80

-40

-4V

0

0

-4

-8

-12

-16

-20 -24

-28 -32 -36

-40

-6V

-5V

-160

-140

V

GS

=

-20V

-10V

-8V

-7V

-6V

-5V

I

D

- 漏电流（mA ）

-200

I

D

- 漏电流（mA ）

-120

-100

-80

-60

-40

-20

0

0

-2

-4

-6

-8

-4V

-10

V

DS

- 漏源

电压（伏）

V

DS

- 漏源

电压（伏）

输出特性

饱和特性

-10

V

DS-

漏源

电压（伏）

-140

I

D

- 漏电流（mA ）

-120

-100

-80

-60

-40

-20

0

V

DS =

-10V

-8

-6

I

D=

-60mA

-40mA

-2

-20mA

0

0

-2

-4

-6

-8

-10

-4

0

-2

-4

-6

-8

-10

V

GS-

门源电压

（伏）

V

GS-

门源

电压（伏）

电压饱和特性

传输特性

g

FS-

正向跨导（MS ）

50

40

60

50

40

30

20

10

C-电容（pF ）

30

C

国际空间站

20

V

DS =

-10V

10

C

OSS

C

RSS

-100

0

0

-20

-40

-60

-80

0

-20

-40

-60

-80

-100

-120

V

DS

- 漏源电压

（伏）

I

D

- 漏电流

（MA ）

电容V漏源电压

跨导V漏电流

3 - 424

ZVP1320F

典型特征

g

fs

-forward跨导（MS ）

V

GS

-Gate源极电压（伏特）

60

50

40

30

20

10

0

0

-2

-4

-6

-8

-10

V

DS =

-10V

0

-2

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-10

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0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

V

DS

=

-50V -100V -200V

I

D=

-150mA

V

GS

-Gate源极电压（伏特）

Q-费（ NC ）

跨导V栅源电压

栅极电荷V栅源电压

R

DS （ ON）

- 漏源电阻

()

1000

2.4

归一化

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

V

GS

=-5V

-6V

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-40 -20

Dr

IST

es

eR

c

ur

So

n-

ai

-8V

-10V

100

-20V

R

D

ce

an

)

on

S(

V

GS =

-10V

I

D=

-50mA

门Thresh的

老

V

GS =

V

DS

I

D=

-1mA

电压V

GS

（ TH ）

10

-1

-10

-100

-1000

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180

I

D-

漏极电流（mA ）

T - 温度（℃ ）

导通电阻V漏极电流

归一化

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

与温度

3 - 425

SOT23封装P沟道增强

模式垂直DMOS FET

第3期？ 1996年1月

特点

* V

DS

- 200V

7

ZVP1320F

D

S

PARTMARKING详细信息 -

MT

G

绝对最大额定值。

参数

漏源电压

连续漏电流在T

AMB

=25°C

漏电流脉冲

门源电压

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

参数

漏源击穿

电压

门极 - 源

电压

门体漏

零栅压漏

当前

通态漏电流（ 1 ）

符号最小值。

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

-100

80

25

50

15

5

8

8

8

16

-200

-1.5

-3.5

20

-10

-50

符号

V

DS

I

D

I

DM

V

GS

P

合计

T

j

:T

英镑

价值

-200

-35

-400

±

20

单位

V

mA

mA

V

mW

°C

330

-55到+150

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

MAX 。单位条件。

V

V

nA

A

A

I

D

= -1mA ，V

GS

=0V

I

D

= -1mA ，V

DS

= V

GS

V

GS

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±

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DS

=0V

V

DS

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=0V

V

DS

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(2)

V

DS

=-25V, V

GS

=-10V

V

GS

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D

=-50mA

V

DS

= -25V ，我

D

=-50mA

mA

静态漏源导通国家科研

DS （ ON）

电阻（1）

正向跨导

(1)(2)

输入电容（ 2 ）

共源输出

电容（2）

反向传输

电容（2）

导通延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

上升时间（ 2 ）（3）

关断延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

下降时间（2）（ 3）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

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D（上）

t

r

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pF

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V

DS

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GS

= 0V ， F = 1MHz的

V

DD

≈

-25V ，我

D

=-50mA

（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300

秒。占空比

≤

2 ％（ 2 ）样品测试。

（3 ）测定的，用50开关时间

源阻抗和＆lt; 5纳秒的上升时间的脉冲发生器

3 - 423

ZVP1320F

典型特征

-280

-240

V

GS =

-20V

-10V

-9V

-8V

-7V

-160

-120

-80

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0

0

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V

GS

=

-20V

-10V

-8V

-7V

-6V

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I

D

- 漏电流（mA ）

-200

I

D

- 漏电流（mA ）

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0

-2

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V

DS

- 漏源

电压（伏）

V

DS

- 漏源

电压（伏）

输出特性

饱和特性

-10

V

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漏源

电压（伏）

-140

I

D

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-8

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0

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V

GS-

门源电压

（伏）

V

GS-

门源

电压（伏）

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传输特性

g

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正向跨导（MS ）

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50

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-20

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V

DS

- 漏源电压

（伏）

I

D

- 漏电流

（MA ）

电容V漏源电压

跨导V漏电流

3 - 424

ZVP1320F

典型特征

g

fs

-forward跨导（MS ）

V

GS

-Gate源极电压（伏特）

60

50

40

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0

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-2

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V

DS =

-10V

0

-2

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2.0

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V

DS

=

-50V -100V -200V

I

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-150mA

V

GS

-Gate源极电压（伏特）

Q-费（ NC ）

跨导V栅源电压

栅极电荷V栅源电压

R

DS （ ON）

- 漏源电阻

()

1000

2.4

归一化

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

V

GS

=-5V

-6V

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-40 -20

Dr

IST

es

eR

c

ur

So

n-

ai

-8V

-10V

100

-20V

R

D

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V

GS =

-10V

I

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-50mA

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老

V

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-10

-100

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I

D-

漏极电流（mA ）

T - 温度（℃ ）

导通电阻V漏极电流

归一化

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

与温度

3 - 425

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ZVP1320F

-

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-

-

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联系人：杨小姐

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ZVP1320F

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更多配单专家

深圳市银芯龙科技有限公司

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15+

99000

SOT23

产品优势可售样板

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23000

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市世品佳电子有限公司

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电话：0755-82723761/82772189

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百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！

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联系人：李

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联系人：刘经理

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