ZXTAM322
MPPS 微型封装电源解决方案
15V NPN低饱和晶体管
摘要
V
首席执行官
= 15V ;
SAT
= 45米;我
C
= 4.5A
描述
包装创新采用2mm x 2mm MLP （微型引线封装）的轮廓，
这种新的4
th
新一代低饱和晶体管提供极低的导通状态
亏损使得它非常适用于DC-DC电路和各种驱动和电源使用
管理功能。
此外，用户也将获得其他几个
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
较低的封装高度（ NOM 。 0.9毫米）
PCB面积和器件布局储蓄
减少元件数量
采用2mm x 2mm MLP
（单芯片）
特点
低等效导通电阻
超低饱和电压
（ 100mVmax @ 1A ）
h
FE
指定可达12A
I
C
= 4.5A的连续集电极电流
采用2mm x 2mm MLP
应用
直流 - 直流转换器（ FET驱动器）
充电电路
电源开关
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZXTAM322TA
ZXTAM322TC
REEL
7
’‘
13
’‘
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
采用2mm x 2mm MLP单
仰视图
器件标识
SA
第2期 - 2002年6月
1
ZXTAM322
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流（ C）
连续集电极电流（A ）
连续集电极电流（B ）
基极电流
在TA功耗= 25° C（一）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （D ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （ E）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
极限
40
15
7.5
15
4.5
5
1000
1.5
12
2.45
19.6
1
8
3
24
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
结到环境（D ）
结到环境（ E）
笔记
（一）对于单一的设备表面安装在FR4 PCB 10sq cm1oz铜在静止空气条件
所有外露焊盘连接。
（ b）对于单个设备的表面安装在10sq cm1oz铜的FR4 PCB中在t 5秒测得的静止空气条件
所有外露焊盘
连接。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参考瞬态热阻抗曲线。
（四）对单个设备的表面安装在10sq cm1oz铜在FR4 PCB在静止空气条件
只有很少的引线连接。
（五）对单个设备的表面安装在65sq cm2oz铜的FR4 PCB在静止空气条件
所有外露焊盘连接。
（六）所需的，用于安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘更小，如图
包装尺寸数据。用1盎司的重量和最小铜安装在1.5mm厚的FR4电路板的器件的热阻
1mm宽赛道的Rth = 300 ° C / W给予的P合计= 420兆瓦的额定功率。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
83
51
125
42
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
第2期 - 2002年6月
2
ZXTAM322
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
8
70
165
240
200
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
200
300
200
150
80
0.94
0.88
415
450
320
240
80
120
30
120
160
40
兆赫
pF
ns
ns
1.0
0.95
分钟。
40
15
7.5
典型值。
70
18
8.2
25
25
25
14
100
200
280
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=32V
V
EB
=6V
V
CES
=12V
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 3A ，我
B
=50mA*
I
C
= 4.5A ，我
B
=50mA*
I
C
= 4.5A ，我
B
=100mA*
I
C
= 4.5A ，我
B
=50mA*
I
C
= 4.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 0.2A ，V
CE
=2V*
I
C
= 3A ，V
CE
=2V*
I
C
= 5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 12A ，V
CE
=2V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=1A
I
B1
=I
B2
=10mA
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第2期 - 2002年6月
4
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MPPS 微型封装电源解决方案
15V NPN低饱和晶体管
摘要
V
首席执行官
= 15V ;
SAT
= 45米;我
C
= 4.5A
描述
包装创新采用2mm x 2mm MLP （微型引线封装）的轮廓，
这种新的4
th
新一代低饱和晶体管提供极低的导通状态
亏损使得它非常适用于DC-DC电路和各种驱动和电源使用
管理功能。
此外，用户也将获得其他几个
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
较低的封装高度（ NOM 。 0.9毫米）
PCB面积和器件布局储蓄
减少元件数量
采用2mm x 2mm MLP
（单芯片）
特点
低等效导通电阻
超低饱和电压
（ 100mVmax @ 1A ）
h
FE
指定可达12A
I
C
= 4.5A的连续集电极电流
采用2mm x 2mm MLP
应用
直流 - 直流转换器（ FET驱动器）
充电电路
电源开关
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZXTAM322TA
ZXTAM322TC
REEL
7
’‘
13
’‘
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
采用2mm x 2mm MLP单
仰视图
器件标识
SA
第2期 - 2002年6月
1
ZXTAM322
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流（ C）
连续集电极电流（A ）
连续集电极电流（B ）
基极电流
在TA功耗= 25° C（一）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （D ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （ E）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
极限
40
15
7.5
15
4.5
5
1000
1.5
12
2.45
19.6
1
8
3
24
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
结到环境（D ）
结到环境（ E）
笔记
（一）对于单一的设备表面安装在FR4 PCB 10sq cm1oz铜在静止空气条件
所有外露焊盘连接。
（ b）对于单个设备的表面安装在10sq cm1oz铜的FR4 PCB中在t 5秒测得的静止空气条件
所有外露焊盘
连接。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参考瞬态热阻抗曲线。
（四）对单个设备的表面安装在10sq cm1oz铜在FR4 PCB在静止空气条件
只有很少的引线连接。
（五）对单个设备的表面安装在65sq cm2oz铜的FR4 PCB在静止空气条件
所有外露焊盘连接。
（六）所需的，用于安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘更小，如图
包装尺寸数据。用1盎司的重量和最小铜安装在1.5mm厚的FR4电路板的器件的热阻
1mm宽赛道的Rth = 300 ° C / W给予的P合计= 420兆瓦的额定功率。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
83
51
125
42
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
第2期 - 2002年6月
2
ZXTAM322
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
8
70
165
240
200
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
200
300
200
150
80
0.94
0.88
415
450
320
240
80
120
30
120
160
40
兆赫
pF
ns
ns
1.0
0.95
分钟。
40
15
7.5
典型值。
70
18
8.2
25
25
25
14
100
200
280
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=32V
V
EB
=6V
V
CES
=12V
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 3A ，我
B
=50mA*
I
C
= 4.5A ，我
B
=50mA*
I
C
= 4.5A ，我
B
=100mA*
I
C
= 4.5A ，我
B
=50mA*
I
C
= 4.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 0.2A ，V
CE
=2V*
I
C
= 3A ，V
CE
=2V*
I
C
= 5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 12A ，V
CE
=2V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=1A
I
B1
=I
B2
=10mA
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
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第2期 - 2002年6月
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QQ：2881677436 复制
