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X28HT512
512K
X28HT512
高温, 5伏,字节可变ê
2
舞会
64K ×8位
特点
175
°
C全功能
描述
该X28HT512是64K ×8 CMOS ê
2
PROM , fabri-
cated与Xicor公司专有的高性能,悬空
ING栅CMOS技术,提供Xicor公司的精良
UCTS优异的高低温性能character-
istics 。像所有的Xicor公司的可编程非易失性memo-
里斯的X28HT512是5V唯一设备。该X28HT512
采用了JEDEC批准的引脚为单字节宽, memo-
里斯,行业标准的EPROM兼容。
该X28HT512支持128字节页写操作
化,有效地提供了39μs /字节写周期,
使整个存储器写入在小于2.5
秒。
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 自定时
- 不删除之前写入
- 不复杂的编程算法
-No Overerase问题
高度可靠的直写细胞
-Endurance :10,000写周期
- 数据保存: 100年
- 更高温度的功能是可能的
按工作在字节模式
引脚配置
扁平封装
CERDIP
SOIC (R)的
VBB
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
X28HT512
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/04
I/O3
6
A12
5
A15
NC
2
V
3
BB
8
A1
13
A2
12
A4
10
A6
PGA
I/O0
I/O2
I/O3
I/O5
I/O6
15
17
19
21
22
A0
14
A3
11
A5
A7
CE
I/O1
VSS
I/O4
I/O7
16
18
20
23
24
A10
25
OE
26
A9
28
A13
30
A14
31
X28HT512
(底视图)
9
A11
27
A8
29
7
VCC
NC
36
34
NC
1
WE
35
NC
32
NC
33
NC
4
6614 FHD F23
6614 FHD F02.1
Xicor公司,公司1991年, 1995年, 1996年专利待定
6614-1.5 97年8月5日T2 / C0 / D0 EW
1
特性如有变更,恕不另行通知
X28HT512
引脚说明
地址(A
0
–A
15
)
的地址输入中选择一个8位的存储器位置
在读或写操作。
芯片使能( CE )
该芯片使能输入必须为低电平,使所有的读/
写操作。当
CE
为高电平时,功率消耗
被减小。
输出使能( OE )
输出使能输入控制数据输出缓冲器
与用于启动读取操作。
数据输入/输出( I / O
0
-I / O
7
)
数据从X28HT512通过写入或读出
I / O引脚。
反向偏置电压(V
BB
)
它需要提供-3V引脚1.这个负
提高电压较高温度的功能。
写使能( WE)
写使能输入控制数据到的写作
X28HT512.
引脚名称
符号
A
0
–A
15
I / O
0
-I / O
7
WE
CE
OE
V
BB
V
CC
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
–3V
+5V
无连接
6614 PGM T01
工作原理图
512K-BIT
E2PROM
ARRAY
A7–A15
X缓冲器
锁存器和
解码器
A0–A6
缓冲器
锁存器和
解码器
I / O缓冲器
和锁存器
I/O0–I/O7
数据输入/输出
CE
OE
WE
VCC
VSS
VBB
控制
逻辑与
定时
6614 FHD F01
2
X28HT512
设备操作
读出操作是由两个启动
OE
CE
低。
在读操作由或终止
CE
or
OE
返回高电平。这两个线路的控制结构消除
纳茨总线争用中的系统环境。数据
总线将处于高阻抗状态时,无论
OE
or
CE
为高。
写操作开始时两者
CE
WE
低,
OE
为HIGH 。该X28HT512支持一个
CE
WE
控制的写周期。也就是说,地址
由的下降沿锁存的任一
CE
or
WE ,
为准过去。类似地,数据被锁存
在内部通过的上升沿或者
CE
or
WE ,
而─
先出现。字节写操作,一旦开始,
会自动继续完成,通常在
5ms.
页写操作
该X28HT512的页写入功能允许
整个存储要写入2.5秒。页写
允许两个to 128字节的数据
被连续地前,写入X28HT512
开始内部编程周期。该
主机可以从所述另一设备读取的数据
页写操作时系统(更改源
地址),但是该网页的地址(甲
7
至A
15
)的
以后每次有效的写周期的一部分,在此
操作必须是相同的初始页面的地址。
页写模式,可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期,主机
可以写另外的1到一百二十
以同样的方式7字节的第一个字节是
写的。每个连续的字节装入周期,由开始
WE
由高到低的转变,必须在100μS内开始
前述的下降沿
WE 。
如果后续
WE
由高到低的转变是不是内检测
为100μs ,内部的自动编程周期将
开始。没有页面写入窗口的限制。
有效页写窗口是连接奈特雷宽,所以
只要主机继续内访问设备
为100μs的字节负载循环时间。
硬件数据保护
该X28HT512提供了三个硬件功能
防止非易失性数据免受意外写操作。
噪声保护-A
WE
脉冲通常小于
为10ns不会启动写周期。
3
- 默认V
CC
某种意义上,所有的写功能被禁止
当V
CC
is
≤3.4V.
写禁止控股或者
OE
低,
WE
高,
or
CE
高会防止无意中的写周期
在上电和断电,数据维护
诚信。写周期时序规格必须是
同时观察到。
系统注意事项
因为X28HT512常用于大
存储器阵列它设有一个两线控制
架构进行读取和写入操作。正确
使用能提供尽可能低的功耗
并消除竞争,其中的可能性mul-
tiple I / O引脚共享同一总线。
它已被证明明显高温
perature性能可以从该设备获得
if
CE
整个读写处于启用状态
操作。
为了获得最大的利益,建议
CE
be
从地址总线译码和被用作
主要设备选择输入。两
OE
WE
然后将阵列中的所有设备之间的通用。对于
读操作这可以确保所有设备取消
在它们的待机模式,仅所选择的
设备(或多个)输出总线上的数据。
因为X28HT512有两种供电模式,待机
和存储器阵列的激活,适当的去耦是
最关心的问题。启用
CE
会造成瞬时电流
尖峰。这些尖峰的大小是依赖于
的I / O的输出电容性负载。因此,该
较大的阵列共享公共总线,较大的
瞬态尖峰。与相关联的电压峰值
瞬态电流可以通过适当的抑制
选择和去耦电容的放置。作为
最小的,所以建议一个0.1μF高频
昆西陶瓷电容V之间使用
CC
V
SS
在每个设备上。取决于该阵列的尺寸,
该电容器的值可以具有更大。
另外,建议在一个4.7μF的电解
大容量电容放置V之间
CC
和V
SS
每个
八个器件阵列中采用的。这个大电容
被用来克服造成的电压降
的PCB走线电感的影响。
X28HT512
绝对最大额定值*
在偏置温度
X28HT512 ................................. -40 ° C至+ 175℃
任何引脚的电压
对于V
SS .......................................
-1V至+ 7V
直流输出电流............................................. 5毫安
焊接温度
(焊接, 10秒) .............................. 300℃
* COMMENT
注意,超出上述绝对最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
温度
高温
分钟。
–40°C
马克斯。
+175°C
6614 PGM T02.1
电源电压
X28HT512
反向偏置电压(V
BB
)
范围
5V
±5%
–3V
±10%
6614 PGM T03.1
直流工作特性
(在推荐的工作条件,除非另有规定编)
范围
符号
I
CC
参数
V
CC
当前(活动)
( TTL输入)
V
CC
电流(待机)
( TTL输入)
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
反向偏置电压
分钟。
马克斯。
50
单位
mA
测试条件
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
,
所有的I / O =开放,地址输入=
2.4V左右/ 2.4V电平@ F = 5MHz时
CE
= V
IH
,
OE
= V
IL
所有的I / O =打开,其它输入= V
CC
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
OUT
= V
SS
到V
CC
,
CE
= V
IH
I
SB1
I
LI
I
LO
V
lL(1)
V
IH(1)
V
OL
V
OH
V
BB
3
20
20
0.6
V
CC
+ 1
0.5
200
mA
A
A
V
V
V
V
A
–1
2.2
2.6
I
OL
= 1毫安
I
OH
= –400A
V
BB
= –3V±10%
6614 PGM T04.2
注意事项:
(1) V
IL
分钟。和V
IH
最大。仅供参考,未经测试。
4
X28HT512
上电时序
符号
t
PUR(2)
t
PUW(2)
参数
上电到读操作
上电到写操作
马克斯。
100
5
单位
s
ms
6614 PGM T05
电容
T
A
= + 25 ° C,F = 1MHz时, V
CC
= 5V
符号
C
I/O(2)
C
IN(2)
参数
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
6614 PGM T06
耐力和数据保留
参数
耐力
数据保留
测试的交流条件
输入脉冲电平
输入上升和
下降时间
输入和输出
定时水平
0V至3V
10ns
1.5V
6614 PGM T07
分钟。
10,000
100
模式选择
CE
L
L
H
X
X
OE
L
H
X
L
X
WE
H
L
X
X
H
马克斯。
单位
周期每字节
岁月
6614 PGM T11
模式
待机和
写禁止
写禁止
写禁止
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
动力
活跃
活跃
待机
6614 PGM T08
等效交流负载电路
5V
1.92K
产量
1.37K
100pF
符号表
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从低
到HIGH
可能改变
从高
以LOW
6614 FHD F22.2
输出
稳定
将改变
从低
到HIGH
将改变
从高
以LOW
更改:
状态不
已知
中线
是高
阻抗
不在乎:
变化
允许
不适用
注意:
( 2 )该参数是周期性采样,而不是100 %
测试。
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