X28C512 ， X28C513
数据表
2005年9月29日
FN8106.1
5V ，字节EEPROM可变
该X28C512 ， X28C513为64K ×8的EEPROM ，制造
与Intersil专有的高性能，浮栅
CMOS技术。像所有Intersil的可编程非易失性
回忆， X28C512 ， X28C513都只有5V器件。该
X28C512 ， X28C513配备了JEDEC核准销出去
字节宽的回忆，与行业标准兼容
EPROM中。
该X28C512 ， X28C513支持128字节页写
运行，有效地提供了39μs /字节写周期，
使整个存储器写入在小于2.5
秒。该X28C512 ， X28C513还配备了数据查询
和触发位投票，系统软件支持计划
用于指示尽早完成一个写周期。在
此外， X28C512 ， X28C513支持软件数据
保护选项。
特点
访问时间：为90ns
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无需外部高电压或V
PP
控制电路
- 自定时
写入前擦除不
无需复杂的编程算法
没有overerase问题
低功耗CMOS
- 活动： 50毫安
- 待机： 500μA
软件数据保护
- 防止系统级的意外写入数据
高速页写能力
高度可靠的直写
CELL
- 耐力：100,000写周期
- 数据保存：100年
- 写发现及早结束
- 数据查询
- 切换位投票
两个PLCC和LCC引出线
- X28C512
X28C010 EPROM引脚兼容
- X28C513
兼容密度较低的EEPROM
无铅加退火有（符合RoHS ）
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
X28C512 ， X28C513
订购信息
（续）
产品型号
X28C513J-15*
X28C513JI-15
X28C513JM-15
X28C512E-20
X28C512EI-20
X28C512EM-20
X28C512FM-20
X28C512FMB-20
X28C512JM-20
X28C512KI-20
X28C512KM-20
X28C513EI-20
X28C513EM-20
X28C513EMB-20
X28C513J-20T1
X28C512E-25
X28C512EI-25
X28C512EM-25
X28C512FMB-25
X28C512JM-25
X28C512KM-25
X28C512KMB-25
X28C513EM-25
X28C513EMB-25
*添加"T1"后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止完成，
这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
温度达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
最热
X28C513J-15
X28C513JI-15
X28C513JM-15
存取时间
（纳秒）
150
温度范围（ ℃）
0至+70
-40至+85
-55到+125
包
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC
32 Ld的LCC
32 Ld的LCC
32 Ld的LCC
32 Ld的扁平封装
32 Ld的扁平封装
32 Ld的PLCC
36 Ld的CPGA
36 Ld的CPGA
32 Ld的LCC
32 Ld的LCC
32 Ld的LCC
32 Ld的PLCC磁带和卷轴
32 Ld的LCC
32 Ld的LCC
32 Ld的LCC
32 Ld的扁平封装
32 Ld的PLCC
36 Ld的CPGA
36 Ld的CPGA
32 Ld的LCC
32 Ld的LCC
200
0至+70
-40至+85
-55到+125
-55到+125
Mil-STD-883
X28C512JM-20
X28C512KI-20
X28C512KM-20
-55到+125
-40至+85
-55到+125
-40至+85
-55到+125
Mil-STD-883
X28C513J-20
250
0至+70
0至+70
-40至+85
-55到+125
Mil-STD-883
X28C512JM-25
X28C512KM-25
X28C512KMB-25
-55到+125
-55到+125
Mil-STD-883
-55到+125
Mil-STD-883
4
FN8106.1
2005年9月29日
X28C512 ， X28C513
引脚配置
PLCC / LCC
A
15
NC
NC
V
CC
WE
A
12
塑料DIP
CERDIP
扁平封装
SOIC （R）的
NC
NC
A
15
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
WE
NC
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
2
I / O
1
4
6
A
1
13
A
2
12
A
4
10
A
6
8
A
12
5
NC
3
I / O
0
15
A
0
14
A
3
11
A
5
9
A
7
7
A
15
NC
2
NC
I / O
2
17
PGA
I / O
5
I / O
3
21
19
I / O
6
22
CE
24
OE
26
A
9
28
A
13
30
A
14
31
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
54 3 2
6
7
8
9
10
11
（ TOP VIEW ）
30
32 31 29
1
28
27
26
X28C512
25
24
23
22
NC
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
I / O
6
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
24
23
22
I / O
5
I / O
1
V
SS
I / O
4
I / O
7
16
18
20
23
A
10
25
CE
12
13 15 16 17 18 19 20
I / O
7
21
14
I / O
1
I / O
2
V
SS
I / O
3
I / O
4
I / O
5
NC
I / O
3
I / O
4
底部
意见
A
11
27
A
8
29
NC
NC
32
NC
33
36
NC
1
34
WE
35
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
0
54 3 2
6
7
8
9
10
11
CE
I / O
7
12
13 15 16 17 18 19 20
I / O
6
21
14
I / O
1
I / O
2
V
SS
引脚说明
地址（A
0
-A
15
)
地址输入过程中选择8位内存位置
读或写操作。
芯片使能（ CE ）
该芯片使能输入必须为低电平，使所有的读/写
操作。当CE为高，功耗
减少。
输出使能（ OE ）
输出使能控制输入输出的数据缓冲和
用于启动读取操作。
数据输入/输出（ I / O
0
-I / O
7
)
数据被写入或从X28C512 ， X28C513读
通过I / O引脚。
写使能（ WE）
写使能输入控制数据到的写作
X28C512 ， X28C513 。
引脚名称
符号
A
0
-A
15
I / O
0
-I / O
7
WE
CE
OE
V
CC
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
+5V
地
无连接
5
A
12
A
14
A
7
X28C512
V
CC
（ TOP VIEW ）
30
32 31 29
1
28
27
26
X28C513
25
A
15
V
CC
WE
A
13
FN8106.1
2005年9月29日
X28C512/X28C513
512K
X28C512/X28C513
5伏，字节可变ê
2
舞会
64K ×8位
特点
访问时间：为90ns
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无需外部高电压或V
PP
控制
电路
- 自定时
- 不删除之前写入
- 不复杂的编程算法
-No Overerase问题
低功耗CMOS ：
-active ： 50毫安
-Standby ： 500
A
软件数据保护
- 保护数据免受系统级
不会放电写操作
高速页写能力
高度可靠的直写细胞
-Endurance ：100,000写周期
- 数据保存： 100年
写发现及早结束
威刚投票
- 切换位投票
TSOP
A11
A9
A8
A13
A14
NC
NC
NC
WE
VCC
NC
NC
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
两个PLCC和LCC引出线
—X28C512
-X28C010 ê
2
PROM引脚兼容
—X28C513
兼容密度低ê
2
PROM的
描述
该X28C512 / 513是一个64K ×8 ê
2
PROM ，捏造
与Xicor公司专有的高性能，浮栅
CMOS技术。像所有的Xicor公司的可编程非易失
非易失性存储器的X28C512 / 513是一个5V的唯一设备。
该X28C512 / 513采用了JEDEC核准的引脚排列
对于单字节宽的回忆，与行业标兼容
准EPROMS 。
该X28C512 / 513支持128字节页写OP-
关合作，有效地提供了39μs /字节写周期，
使整个存储器写入在小于2.5
秒。该X28C512 / 513还具有
数据
轮询
和触发位投票，系统软件支持计划
用于指示尽早完成一个写周期。在
此外， X28C512 / 513支持的软件数据
保护选项。
销刀豆网络gurations
PLCC / LCC
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
NC
NC
VSS
NC
NC
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
塑料DIP
CERDIP
扁平封装
SOIC （R）的
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
X28C512
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/04
I/O3
X28C512
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
30
32 31 29
54 3 2
1
6
28
7
27
26
8
X28C512
25
9
（ TOP VIEW ）
24
10
11
23
12
22
13
15 16 17 18 19 20 21
14
A12
A15
NC
NC
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O1
I/O2
VSS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
3856 FHD F03
PGA
I/O0
I/O2
I/O3
I/O5
I/O6
15
17
19
21
22
A1
13
A2
12
A4
10
A6
A0
14
A3
11
A5
9
A7
7
A15
5
NC
4
NC
2
NC
3
VCC
NC
36
34
NC
1
WE
35
底部
意见
CE
I/O1
VSS
I/O4
I/O7
16
18
20
23
24
A10
25
A11
27
A8
29
NC
32
NC
33
OE
26
A9
28
A13
30
A14
31
8
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
6
A12
30
32 31 29
54 3 2
1
6
28
7
27
26
8
X28C513
25
9
（ TOP VIEW ）
24
10
11
23
12
22
13
15 16 17 18 19 20 21
14
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
A7
A12
A14
A15
VCC
WE
A13
3856 ILL F22
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
3856 FHD F01
3856 FHD F02
3856 FHD F04
Xicor公司，公司1991年， 1995年， 1996年专利待定
3856-3.2 97年8月5日T1 / C0 / D0 EW
1
特性如有变更，恕不另行通知
X28C512/X28C513
设备操作
读
读出操作是由两个启动
OE
和
CE
低。
在读操作由或终止
CE
or
OE
返回高电平。这两个线路的控制结构消除
纳茨总线争用中的系统环境。数据
总线将处于高阻抗状态时，无论
OE
or
CE
为高。
写
写操作开始时两者
CE
和
WE
是
低，
OE
为HIGH 。该X28C512 / 513支持
a
CE
和
WE
控制的写周期。也就是说，地址
由的下降沿锁存的任一
CE
or
WE ，
为准过去。类似地，数据被锁存
在内部通过的上升沿或者
CE
or
WE ，
而─
先出现。字节写操作，一旦开始，
会自动继续完成，通常在
5ms.
页写操作
在X28C512 / 513页写功能允许
整个存储要写入2.5秒。页写
允许两个to 128字节的数据
被连续地写入到X28C512 / 513前
开始内部编程周期。该
主机可以从所述另一设备读取的数据
页写操作时系统（更改源
地址），但是该网页的地址（甲
7
至A
15
）的
以后每次有效的写周期的一部分，在此
操作必须是相同的初始页面的地址。
页写模式，可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期，主机
可以写另外的1到一百二十
以同样的方式7字节的第一个字节是
写的。每个连续的字节装入周期，由开始
WE
由高到低的转变，必须在100μS内开始
前述的下降沿
WE 。
如果后续
WE
由高到低的转变是不是内检测
为100μs ，内部的自动编程周期将
开始。没有页面写入窗口的限制。
有效页写窗口是连接奈特雷宽，所以
只要主机继续内访问设备
为100μs的字节负载循环时间。
写操作状态位
该X28C512 / 513为用户提供了两个写操作
状态位。这些可以被用来优化系统
写周期时间。状态位被映射到
的I / O ，如图1的总线。
图1.状态位分配
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
版权所有
切换位
数据轮询
3856 FHD F06
数据
投票（ I / O
7
)
该X28C512 / 513的功能
数据
轮询的方法
以表明主机系统的字节写入或页
写周期结束。
数据
投票允许一个简单的
位测试操作，以确定X28C512的状态/
513 ，无需额外的中断输入或外部
硬件。在内部编程周期，任何
试图读取写入将产生的最后一个字节
这些数据对我补/ O
7
（即写入数据= 0XXX
XXXX ，读取数据= 1XXX XXXX） 。一旦编程
周期完成后， I / O
7
会反映真实的数据。
切换位（ I / O
6
)
该X28C512 / 513还提供了另一种方法为
当确定内部写周期完成。
在内部编程周期， I / O
6
将切换
从高电平变为低电平，并低到高对后续
尝试读出该设备。当内部循环是
完成这种切换将停止，该设备将
访问额外的读或写操作。
3
