怀特电子设计
WV3HG264M72EEU-PD4
高级*
1GB - 2x64Mx72 DDR2 SDRAM UDIMM ， SO -DIMM W / PLL
特点
无缓冲的200针（ SO -DIMM ），小外形双
列直插式内存模块
支持ECC检测和校正
快速数据传输率： PC2-6400 * ， PC2-5300 * ，
PC2-4200和PC2-3200
V
CC
= V
CCQ
= 1.8V ±0.1V
V
CCSPD
= 1.7V至3.6V
JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ）选项
差分时钟输入（ CK ， CK ＃ ）
四位预取架构
多个内部器件银行并发
手术
可编程CAS＃延迟（CL） ： 3 4,5 *和6 *
可调节的数据输出驱动强度
7.8μs平均周期刷新间隔
片上端接（ ODT ）
发布于CAS＃延迟：0， 1，2， 3和4
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
自动&自刷新（ 64毫秒： 8,192循环刷新）
金缘接触
双列
符合RoHS
JEDEC提出的针脚
封装选项
200针SO-DIMM ： 30.00毫米（ 1.181" ） TYP
描述
该WV3HG264M72EEU是2x64Mx72双数据
率DDR2 SDRAM高密度模块。此内存
模块由18位64Mx8 DDR2同步
在DRAM的FBGA封装，安装在一个200引脚的SO -
DIMM FR4基板。
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
注：可用性咨询工厂：
供应商源控制选项
工业温度选项
工作频率
PC2-3200
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
*咨询工厂的可用性
PC2-4200
266MHz
4-4-4
PC2-5300*
333MHz
5-5-5
PC2-6400*
400MHz
6-6-6
200MHz
3-3-3
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1
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怀特电子设计
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
符号
V
REF
V
SS
DQ0
DQ4
V
SS
DQ5
DQ1
V
SS
DQS0#
DM0
DQS0
V
SS
V
SS
DQ6
DQ2
DQ7
DQ3
V
SS
V
SS
DQ12
DQ8
DQ13
DQ9
V
SS
V
SS
DM1
DQS1#
V
SS
DQS1
DQ14
V
SS
DQ15
DQ10
V
SS
DQ11
DQ20
V
SS
DQ21
DQ16
V
SS
DQ17
RESET＃
V
SS
DM2
DQS2#
V
SS
DQS2
DQ22
V
SS
DQ23
PIN号
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
符号
DQ18
V
SS
DQ19
DQ28
V
SS
DQ29
DQ24
V
SS
DQ25
DM3
V
SS
V
SS
DQS3#
DQ30
DQS3
DQ31
V
SS
V
SS
DQ26
CB4
DQ27
CB5
V
SS
V
SS
CB0
DM8
CB1
V
SS
V
SS
CB6
DQS8#
CB7
DQS8
V
SS
V
SS
CB2
CKE0
CB3
NC
V
SS
NC
NC
V
CC
NC
A12
A11
A9
V
CC
A7
A8
PIN号
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
符号
V
CC
A6
A5
A4
A3
V
CC
A2
A1
V
CC
A0
A10/AP
BA1
BA0
V
CC
RAS ＃
WE＃
V
CC
CS0#
CAS ＃
ODT0
CS1#
A13
V
CC
V
CC
ODT1
CK
NC
CK ＃
DQ32
V
SS
V
SS
DQ36
DQ33
DQ37
DQS4#
V
SS
DQS4
DM4
V
SS
V
SS
DQ34
DQ38
DQ35
DQ39
V
SS
V
SS
DQ40
DQ44
DQ41
DQ45
PIN号
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
200
符号
V
SS
V
SS
DQS5#
DM5
DQS5
V
SS
V
SS
DQ46
DQ42
DQ47
DQ43
V
SS
V
SS
DQ52
DQ48
DQ53
DQ49
V
SS
V
SS
DM6
DQS6#
V
SS
DQS6
DQ54
V
SS
DQ55
DQ50
V
SS
DQ51
DQ60
V
SS
DQ61
DQ56
V
SS
DQ57
DM7
V
SS
DQ62
DQS7#
V
SS
DQS7
DQ63
DQ58
SDA
V
SS
SCL
DQ59
SA1
VCCSPD
SA0
WV3HG264M72EEU-PD4
先进
引脚名称
引脚名称
A0-A13
BA0 ， BA1
DQ0-DQ63
CB0-CB7
DQS0-DQS8
DQS0#-DQS8#
ODT0 ， ODT1
CK ， CK ＃
CKE0 ， CKE1
CS0 ＃ ， CS1 ＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
RESET＃
V
CC
V
SS
SA0-SA1
SDA
V
REF
DM0-DM8
V
CCSPD
SCL
NC
功能
地址输入
SDRAM行地址
数据输入/输出
校验位
数据选通信号
数据选通信号的补
片上终端控制
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
写使能
寄存器复位输入
核心动力
地
SPD地址
串行数据输入/输出
输入/输出参考电压
数据掩码
串行EEPROM电源
SPD时钟输入
无连接
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WV3HG264M72EEU-PD4
先进
功能框图
CS1#
CS0#
DQS0
DQS0#
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS1
DQS1#
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS2
DQS2#
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS3
DQS3#
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQS8
DQS8#
DM8
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
DM ＃
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DQS4
DQS4#
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS5
DQS5#
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS6
DQS6#
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS7
DQS7#
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃ DQS DQS ＃
串行PD
SCL
WP A0
A1
A2
SA2
SDA
SA0 SA1
V
CCSPD
V
CC
/V
CCQ
串行PD
DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
CS0#
CS1#
BA0 - BA1
A0 - A13
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
CKE0
CKE1
ODT0
ODT1
CS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
CS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
BA0 - BA1 ： DDR2 SDRAM芯片
A0 - A13 ： DDR2 SDRAM芯片
RAS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
CAS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
WE＃ ： DDR2 SDRAM芯片
CKE ： DDR2 SDRAM芯片
CKE ： DDR2 SDRAM芯片
ODT ： DDR2 SDRAM芯片
ODT ： DDR2 SDRAM芯片
V
REF
V
SS
120
CK0
CK0#
RESET＃
PLL
CK
CK ＃
注：所有电阻值是22欧姆，除非另有规定ED 。
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怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
参考V所有电压
SS
参数
电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压
SPD电源电压
符号
V
CC
V
REF
V
TT
V
CCSPD
民
1.7
0.49 x垂直
CC
V
REF
-0.04
1.7
典型
1.8
0.50 x垂直
CC
V
REF
-
WV3HG264M72EEU-PD4
先进
直流工作条件
最大
1.9
0.51 x垂直
CC
V
REF
+0.04
3.6
单位
V
V
V
V
笔记
3
1
2
注意事项：
1
V
REF
预计相当于V
CC/2
发送装置和跟踪变化的相同的DC电平。峰 - 峰值噪声
V
REF
不得超过的+/- 1 ％的
直流值。在V峰至峰AC噪音
REF
不得超过V的+/- 2％
REF
。该测定是将要采取在最接近V
REF
旁路电容。
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置等于V
REF
并且必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
3. V
CCQ
所有集成电路都连接到V
CC
.
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
参数
在V电压
CC
引脚相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
命令/地址，
RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ，
I
L
输入漏电流;任何输入0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
; V
REF
输入
0V,V
IN
， 0.95V ;其它引脚没有被测= 0V
CS ＃ ， CKE
CK ， CK ＃
DM
I
OZ
I
VREF
输出漏电流; 0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
; DQS和ODT是禁用
V
REF
漏电流; V
REF
=有效V
REF
水平
DQ ， DQS ， DQS ＃
民
-0.5
-0.5
-90
-45
-10
-10
-10
-36
最大
2.3
2.3
90
45
10
10
10
36
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
输入/输出电容
TA = 25 ° C，F = 100MHz的
参数
输入电容（ 0A A13 ， BA0 BA1 ，
RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容（ CKE0 ， CKE1 ）
（ ODT0 ， ODT1 ）
输入电容（ CS0 ＃ - ＃ CS1 ）
输入电容（ CK ， CK ＃ ）
输入电容（ DM0 DM8 ）
(DQS0~DQS8)
输入电容（ DQ0 DQ63 ）
(CB0~CB7)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IN
3
C
IN
4
C
IN
5 (665)
C
IN
5 (534, 403)
C
OUT
1 (665)
C
OUT
1 (534, 403)
民
22
13
13
6
9
9
9
9
最大
40
22
22
7
11
12
11
12
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
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先进
工作温度条件
参数
工作温度（商业）
符号
豪饮者
等级
0
°
至85 ℃
单位
°C
笔记
1, 2
注意事项：
1.工作温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。为测量条件，请参阅JEDED JESD51.2
2.在0 °C - 85°C ，工作温度范围内，所有的DRAM特定连接的阳离子将得到支持。
直流输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
符号
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
民
V
REF
+ 0.125
-0.300
最大
V
CC
+ 0.300
V
REF
- 0.125
单位
V
V
AC输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
AC输入高电平（逻辑1 ）电压
DDR2-400 & DDR2-533
AC输入高电平（逻辑1 ）电压
DDR2-667
AC输入高电平（逻辑0 ）电压
DDR2-400 & DDR2-533
AC输入高电平（逻辑0 ）电压
DDR2-667
符号
V
IH
（AC）的
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
V
IL
（AC）的
民
V
REF
+ 0.250
V
REF
+ 0.200
-
-
最大
-
-
V
REF
- 0.250
V
REF
- 0.200
单位
V
V
V
V
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