怀特电子设计
2Mx16闪存模块， SMD 5962-97610
特点
90访问时间， 120为150ns
包装：
56铅，密封陶瓷， 0.520"南方东英
（封装207）。
符合标准的56 SSOP足迹。
44引脚的陶瓷SOJ （ 102包） **
44铅陶瓷扁平封装（封装208 ） **
部门架构
每一个64K字节的32大小相等的行业
扇区的任何组合可以被擦除。
还支持整片擦除。
最少100,000次写/擦除周期最短
组织为2Mx16 ;用户刀豆网络可配置为2× 2Mx8
商业，工业和军用温度
范围
5伏的读取和写入。 5V ±10 ％电源。
WF2M16-XXX5
初步*
低功耗CMOS
数据＃投票和切换位功能的检测
编程或擦除周期完成。
支持读取或编程数据到一个部门
不被删除。
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行。
RESET ＃引脚复位内部状态机的
阅读模式。
就绪/忙（ RY ＃ / BY ＃ ）输出检测
编程或擦除周期完成。
多个接地引脚为低噪音运行
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改，恕不另行通知。
**待开发包。
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程16M5应用笔记。
图1 - 引脚配置
WF2M16-XDAX5
56南方东英
顶视图
CS1#
A12
A13
A14
A15
NC
CS2#
NC
A20
A19
A18
A17
A16
V
CC
GND
I/O6
I/O14
I/O7
I/O15
RY / BY ＃
OE ＃
WE＃
NC
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
V
CC
WF2M16-XXX5
44 CSOJ （ DL ） **
44 FLATPACK （佛罗里达州） **
顶视图
CS1#
A12
A13
A14
A15
NC
CS2#
NC
A20
A19
A18
A17
A16
V
CC
GND
I/O6
I/O14
I/O7
I/O15
RY / BY ＃
OE ＃
WE＃
NC
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
V
CC
引脚说明
I / O
0-15
A
0-20
WE＃
CS
1-2
#
OE ＃
VCC
VSS
RY / BY ＃
RESET＃
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
就绪/忙
RESET
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
NC
#reset
A11
A10
A9
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
GND
A8
V
CC
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
A0
NC
NC
NC
I/O2
I/O10
I/O3
I/O11
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
NC
#reset
A11
A10
A9
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
GND
A8
V
CC
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
A0
NC
NC
NC
I/O2
I/O10
I/O3
I/O11
GND
框图
I / O
0-7
RESET＃
WE＃
OE ＃
A
0-20
RY / B Y＃
I / O
8-1
2M ×8
2M ×8
**待开发包。
CS
1#
CS
2#
注意：
1. RY / BY ＃是一个漏极开路输出，应拉至VCC通过一个外部电阻。
2.地址与英特尔2M8 56 SSOP兼容。
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绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
储存温度
短路输出电流
数据保留（MIL温度）
耐力 - 写/擦除周期
（MIL温度）
WF2M16-XXX5
初步
电容
(T
A
= +25°C)
单位
V
W
°C
mA
岁月
周期
符号
V
T
P
T
T
英镑
I
OS
评级
-2.0到+7.0
8
-65到+125
100
20
100000分钟。
参数
OE ＃电容
WE＃电容
CS ＃电容
数据I / O容量
地址输入电容
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
条件
最大单位
V
IN
= 0V ， F = 1.0 MHz的25
pF
V
IN
= 0V ， F = 1.0 MHz的25
pF
V
IN
= 0V ， F = 1.0 MHz的15
pF
V
I / O
= 0V ， F = 1.0 MHz的15
pF
V
IN
= 0V ， F = 1.0 MHz的25
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
工作温度（MIL ）。
工作温度（工业级）
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
A
T
A
民
4.5
0
2.0
-0.5
-55
-40
典型值
5.0
0
–
–
–
–
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125°C
+85
单位
V
V
V
V
°C
°C
直流特性 - CMOS兼容
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS ＃ = V
IH
,
F = 5MHz时， RESET ＃ = V
CC
± 0.3V
I
OL
= 12.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
民
最大
10
10
80
120
4.0
0.45
0.85xV
CC
3.2
4.2
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
注意事项：
1.列出的电流Icc电流包括直流工作电流和频率
相关的组件（ @ 5MHz的） 。的频率成分一般小于
2毫安/兆赫，与OE ＃在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
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V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除（ 2 ）
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
输出使能保持时间（ 4 ）
RESET＃脉冲宽度
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是32秒。
4.切换和数据查询。
WF2M16-XXX5
初步
AC特征 - 写/擦除/编程操作 - WE＃控制
符号
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
民
90
0
45
0
45
0
45
20
-90
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
-120
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
ns
单位
300
15
0
50
44
256
t
OEH
t
RP
10
500
10
500
0
50
300
15
0
50
44
256
10
500
300
15
44
256
交流特性 - 只读操作
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择高到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从地址CS ＃或OE ＃变化输出保持，
取其科幻RST
RESET ＃低到读模式（ 1 ）
1.由设计保证，未经测试。
符号
民
T
AVAV
T
AVQV
T
ELQV
T
GLQV
T
EHQZ
T
GHQZ
T
AXQX
T
RC
T
加
T
CE
T
OE
T
DF
T
DF
T
OH
T
准备
0
90
-90
最大
90
90
40
20
20
0
20
-120
民
120
120
120
50
30
30
0
20
-150
最大
民
150
150
150
55
35
35
单位
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
s
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V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
写周期时间
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
输出使能保持时间（ 4 ）
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是32秒。
4.切换和数据查询。
t
OEH
10
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
0
44
256
10
WF2M16-XXX5
初步
交流特性 - 写/擦除/编程操作， CS ＃控制
符号
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
民
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
44
256
10
-90
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
-120
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
-150
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
300
15
0
300
15
44
256
s
美国证券交易委员会
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
图2 - AC测试电路
AC测试条件
I
OL
电流源
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
1.5V
（双极性电源供电）
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
Tester Impedance Z0 = 75 ½.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载circuit.ATE
测试包括夹具电容。
图3 - 复位时序图
RESET＃
t
RP
t
准备
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怀特电子设计
WF2M16-XXX5
初步
图3 - AC波形读操作
t
DF
t
OH
地址稳定
t
RC
t
OE
t
加
t
CE
FDX
FOE ＃
FWE ＃
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FCS1#/FCS2#
地址
5
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输出
FDX
高Z
输出有效
高Z
