怀特电子设计
WV3EG265M72EFSU-D4
高级*
1GB - 2x64Mx72 DDR SDRAM ，无缓冲， PLL ， FBGA
特点
无缓冲的200针（ SO -DIMM ） ，小外形，双
在线模块
快速的数据传输速率： PC- 2100和PC -2700
133MHz的时钟速度和166MHz的
支持ECC错误检测和校正
V
CC
= V
CCQ
= + 2.5V ± 0.2V （ 133和166MHz的）
双向数据选通（ DQS）
差分时钟输入（ CK & CK ＃ ）
可编程读取延迟： DDR 266 （ 2 ， 2.5
时钟） ， DDR333 （ 2.5时钟）
可编程的突发长度（ 2，4， 8）
可编程突发类型（顺序&交错）
边沿对齐的数据输出，居中对齐数据输入
汽车和自刷新， 7.8μs刷新间隔
（ 8K / 64ms的刷新）
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
双列
含铅&无铅/符合RoHS标准
金缘接触
JEDEC标准的200引脚小外形， SO -DIMM
包
PCB高度选项：
31.75 mm (1.25”)
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
描述
该WV3EG265M72EFSU是2x64Mx72双数据
基于512Mb的DDR SDRAM速度的内存模块
SDRAM组件。该模块由18
安装在在FBGA封装64Mx8的DDR SDRAM
200针FR4基板。
注：可用性咨询工厂：
符合RoHS标准的产品
供应商源控制选项
工业温度选项
工作频率
DDR333@CL=2.5
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
166MHz
2.5-3-3
DDR266@CL=2
133MHz
2-2-2
DDR266@CL=2.5
133MHz
2.5-3-3
2006年5月
第0版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
引脚配置
PIN ＃符号PIN ＃号PIN ＃号PIN ＃符号
51
V
SS
101
A9
151
DQ42
1
V
REF
2
V
REF
52
V
SS
102
A8
152
DQ46
53
DQ19
103
V
SS
153
DQ43
3
V
SS
4
V
SS
54
DQ23
104
V
SS
154
DQ47
5
DQ0
55
DQ24
105
A7
155
V
CC
6
DQ4
56
DQ28
106
A6
156
V
CC
7
DQ1
57
V
CC
107
A5
157
V
CC
8
DQ5
58
V
CC
108
A4
158
NC
9
V
CC
59
DQ25
109
A3
159
V
SS
10
V
CC
60
DQ29
110
A2
160
NC
11
DQS0
61
DQS3
111
A1
161
V
SS
12
DM0
62
DM3
112
A0
162
V
SS
13
DQ2
63
V
SS
113
V
CC
163
DQ48
14
DQ6
64
V
SS
114
V
CC
164
DQ52
65
DQ26
115
A10
165
DQ49
15
V
SS
16
V
SS
66
DQ30
116
BA1
166
DQ53
17
DQ3
67
DQ27
117
BA0
167
V
CC
18
DQ7
68
DQ31
118
RAS ＃
168
V
CC
19
DQ8
69
V
CC
119
WE＃
169
DQS6
20
DQ12
70
V
CC
120
CAS ＃
170
DM6
21
V
CC
71
CB0
121
CS0#
171
DQ50
22
V
CC
72
CB4
122
CS1#
172
DQ54
23
DQ9
73
CB1
123
NC
173
V
SS
24
DQ13
74
CB5
124
NC
174
V
SS
25
DQS1
75
V
SS
125
V
SS
175
DQ51
26
DM1
76
V
SS
126
V
SS
176
DQ55
27
V
SS
77
DQS8
127
DQ32
177
DQ56
78
DM8
128
DQ36
178
DQ60
28
V
SS
29
DQ10
79
CB2
129
DQ33
179
V
CC
30
DQ14
80
CB6
130
DQ37
180
V
CC
31
DQ11
81
V
CC
131
V
CC
181
DQ57
32
DQ15
82
V
CC
132
V
CC
182
DQ61
83
CB3
133
DQS4
183
DQS7
33
V
CC
34
V
CC
84
CB7
134
DM4
184
DM7
35
CK0
85
NC
135
DQ34
185
V
SS
36
V
CC
86
NC
136
DQ38
186
V
SS
37
CK0#
87
V
SS
137
V
SS
187
DQ58
38
V
SS
88
V
SS
138
V
SS
188
DQ62
39
V
SS
89
NC
139
DQ35
189
DQ59
40
V
SS
90
V
SS
140
DQ39
190
DQ63
41
DQ16
91
NC
141
DQ40
191
V
CC
42
DQ20
92
V
CC
142
DQ44
192
V
CC
43
DQ17
93
V
CC
143
V
CC
193
SDA
44
DQ21
94
V
CC
144
V
CC
194
SA0
45
V
CC
95
CKE1
145
DQ41
195
SCL
46
V
CC
96
CKE0
146
DQ45
196
SA1
47
DQS2
97
NC
147
DQS5
197
V
CCSPD
48
DM2
98
NC
148
DM5
198
SA2
49
DQ18
99
A12
149
V
SS
199
NC
50
DQ22
100
A11
150
V
SS
200
NC
WV3EG265M72EFSU-D4
先进
引脚名称
符号
A0-A12
BA0 ， BA1
DQ0-DQ63
CB0-CB7
DQS0-DQS8
CK0 ， CK0 ＃
CKE0-CKE1
CS0#-CS1#
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
DM0-DM8
V
CC
V
SS
V
REF
V
CCSPD
SDA
SCL
SA0-SA2
NC
描述
地址输入
银行地址
数据输入/输出
校验位
数据选通
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址输入
写使能
数据写入面膜
电源
地
SSTL_2参考电压
串行EEPROM正电源
供应
输入/输出：串行Presence-
检测数据
串行时钟
设备检测地址输入
无连接
2006年5月
第0版
2
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
WV3EG265M72EFSU-D4
先进
功能框图
CS1#
CS0#
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQS8
DM8
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
BA0 ， BA1
A0-A12
RAS ＃
CAS ＃
CKE0
CKE1
WE＃
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
DDR2 SDRAM ×2
DQS4
DM4
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS5
DM5
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS6
DM6
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS7
DM7
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM CS ＃ DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
120
CK0
CK0#
PLL
BA0 ， BA1 ： DDR SDRAM的
A0 - A12 ： DDR SDRAM的
RAS ＃ ： DDR SDRAM的
CAS ＃ ： DDR SDRAM的
CKE0 ： DDR SDRAM的
CKE1 ： DDR SDRAM的
WE＃ ： DDR SDRAM的
V
CC
V
REF
V
SS
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
SA0 SA1 SA2
SCL
WP
V
CCSPD
SPD / EEPROM
串行PD
SDA
A0
A1
A2
注：所有电阻值是22 Ω± 5 ％，除非另有规定ED 。
2006年5月
第0版
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
WV3EG265M72EFSU-D4
先进
DC电气特性
参数/条件
电源电压DRR266 / DDR333 （标称V
CC
2.5V)
I / O电源电压DRR266 / DDR333 （标称V
CC
2.5V
I / O参考电压
I / O终端电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入电压电平， CK和CK ＃
输入差分电压， CK和CK ＃
输入交叉点电压， CK和CK ＃
地址CAS ＃ ，
RAS ＃ ， WE＃
CS ＃ ， CKE
输入漏电流
CK ， CK ＃
DM
输出漏电流
高输出电流（普通强度）V
OUT
= v +0.84V
高输出电流（普通强度）V
OUT
= V
TT
- 0.84V
高输出电流（半强度）V
OUT
= V
TT
- 0.45V
高输出电流（半强度）V
OUT
= V
TT
- 0.45V
符号
V
CC
V
CCQ
V
REF
V
TT
V
IH（ DC）的
V
IL （ DC ）
V
IN（直流）
V
的ID （DC）的
V
IX（ DC ）
民
2.3
2.3
0.49 × V
CC
V
REF
- 0.04
V
REF
+ 0.15
-0.3
-0.3
0.3
0.3
-36
I
I
-18
-10
-4
-10
-16.8
16.8
-9
9
最大
2.7
2.7
0.51 × V
CC
V
REF
+ 0.04
V
CC
+ 0.30
V
REF
- 0.15
V
REF
+ 0.30
V
REF
+ 0.60
V
REF
- 0.60
36
18
10
4
10
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
笔记
1
2
3
I
OZ
I
OH
I
OL
I
OH
I
OL
注意事项：
1 V
REF
预计相当于0.5 * V
CCQ
发送装置和跟踪变化的相同的DC电平。峰 - 峰值的V噪音
REF
不得超过的+/- 2％
直流值。
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置等于V
REF
并且必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
3. V
ID
是在CK上的输入电平与CK＃的输入电平之间的差的量值。
绝对最大额定值
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
, V
CCQ
V
REF
T
英镑
T
A
P
D
I
OS
参数
在V电压
CC
引脚相对于V
SS
在V电压
CC
＆放大器; V
CCQ
供应相对于V
SS
V的电压
REF
供应相对于V
SS
储存温度
工作温度
功耗
短路输出电流
价值
-0.5 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-55 ~ +150
0 ~ 70
18
50
单位
V
V
V
°C
°C
W
mA
注意事项：
永久性设备损坏，如果绝对最大额定值超过可能发生。
官能ioeration应仅限于推荐的操作条件。
暴露在高于推荐电压高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
2006年5月
第0版
4
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
WV3EG265M72EFSU-D4
先进
交流工作条件
参数
AC输入高电平（逻辑1 ）电压
AC输入高电平（逻辑0 ）电压
输入差分Voltafe ， CK和CK ＃输入
输入交叉点电压， CK和CK ＃输入
符号
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
V
ID
（AC）的
VIX （AC）的
民
V
REF
+ 0.31
-
0.7
0.5*V
CC
- 0.2
最大
-
V
REF
- 0.31
V
CC
+ 0.6
0.5*V
CC
+ 0.2
单位
V
V
V
V
输入/输出电容
TA = 25 ° C，F = 100MHz的
参数
输入电容（ A0 A12 ， BA0 BA1 ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容（ CKE0 ， CKE1 ）
输入电容（ CS0 ＃ - ＃ CS1 ）
输入电容（ CLK0 ， CLK0 ＃ ）
输入电容（ DM0 DM8 ）
输入电容（ DQ0 DQ63 ），（ CB0 CB7 ）
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IN
3
C
IN
4
C
IN
5
C
OUT
1
民
31
17.5
17.5
6
11
11
最大
49
26.5
26.5
7.5
13
13
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
2006年5月
第0版
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
QQ：2881677436 复制
