怀特电子设计
WSF512K16-XXX
512K
X
16 SRAM / FLASH模块， SMD 5962-96901
特点
为35ns （ SRAM ），并为90ns的存取时间（ FLASH）
为70ns （ SRAM）和120ns的访问时间（ FLASH）
包装
?? 66针， PGA类型， 1.385"方HIP ，密封
陶瓷HIP （ 402包）
68引线，密封CQFP （ G2 ） ， 22毫米（ 0.880" ）
正方形（ 500包） 。专为科幻吨JEDEC 68
导致0.990 “ CQFJ足迹（图2）
512Kx16 SRAM
512Kx16 5V FLASH
组织为SRAM和512Kx16的512Kx16
闪存有独立的数据总线
内存这两个模块是用户体质连接可配置为
1Mx8
低功耗CMOS
商用，工业和军用温度
范围
TTL兼容的输入和输出
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行
重量 - 13克典型
FLASH内存功能
10万次擦除/编程
部门架构
8个大小相等的各64K字节扇区
行业的任何组合可以同时
删除。还支持整片擦除
5伏编程; 5V ±10 ％电源
嵌入式擦除和编程算法
硬件写保护
页编程操作和内部程序
控制时间。
注：编程可应要求提供的资料。
图1 - 引脚配置
FOR WSF512K16 - XH2X
顶视图
1
SD
8
SD
9
SD
10
A
13
A
14
A
15
A
16
A
18
SD
0
SD
1
SD
2
11
22
12
SWE
2
#
SCS
2
#
GND
SD
11
A
10
A
11
A
12
V
CC
SCS
1
#
NC
SD
3
33
23
SD
15
SD
14
SD
13
SD
12
OE ＃
A
17
SWE
1
#
SD
7
SD
6
SD
5
SD
4
FD
8
FD
9
FD
10
A
6
A
7
NC
A
8
A
9
FD
0
FD
1
FD
2
44
34
V
CC
FCS
2
#
FWE
2
#
FD
11
A
3
A
4
A
5
FWE
1
#
FCS
1
#
GND
FD
3
55
45
FD
15
FD
14
FD
13
FD
12
A
0
A
1
A
2
FD
7
FD
6
OE ＃
A
0-18
引脚说明
FD0-15
SD0-15
A0-18
闪存数据输入/输出
SRAM的数据输入/输出
地址输入
SRAM写使能
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
Flash写使能
FLASH的片选
56
SWE1-2#
SCS1-2#
OE ＃
V
CC
GND
NC
FWE1-2#
FCS1-2#
框图
S宽E
1
＃ S CS
1
#
S宽E
2
＃ S CS
2
#
; F W ê
1
＃楼CS
1
#
; F W ê
2
＃楼CS
2
#
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
FL灰
512K ×8
FL灰
FD
5
FD
4
66
8
8
8
8
SD
0-7
SD
8-15
FD
0-7
FD
8-15
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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怀特电子设计
WSF512K16-XXX
图2 - 引脚配置WSF512K16 ， XG2X
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
FCS
1
#
GND
FCS
2
#
SWE
1
#
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
FD0-15
SD0-15
A0-18
FD
0
FD
1
FD
2
FD
3
FD
4
FD
5
FD
6
FD
7
GND
FD
8
FD
9
FD
10
FD
11
FD
12
FD
13
FD
14
FD
15
闪存数据输入/输出
SRAM的数据输入/输出
地址输入
SRAM写使能
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
Flash写使能
FLASH的片选
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
SD
0
SD
1
SD
2
SD
3
SD
4
SD
5
SD
6
SD
7
GND
SD
8
SD
9
SD
10
SD
11
SD
12
SD
13
SD
14
SD
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
SWE1-2#
SCS1-2#
OE ＃
V
CC
GND
NC
FWE1-2#
FCS1-2#
SCS
1
#
OE ＃
SCS
2
#
A
17
SWE
2
#
FWE
1
#
FWE
2
#
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
18
V
CC
NC
NC
框图
S宽E
1
＃ S CS
1
#
OE ＃
A
0-18
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
FL灰
512K ×8
FL灰
S宽E
2
＃ S CS
2
#
; F W ê
1
＃楼CS
1
#
; F W ê
2
＃楼CS
2
#
8
8
8
8
SD
0-7
SD
8-15
FD
0-7
FD
8-15
该WEDC 68领先G2 CQFP
科幻LLS相同的网络连接T和功能
JEDEC的68引线CQFJ或68
PLCC 。但G2拥有TCE
铅检测的优势
在CQFP形式。
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怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
符号
工作温度
T
A
储存温度
T
英镑
信号电压相对于GND
V
G
结温
T
J
电源电压
V
CC
参数
闪存数据保留
闪存耐久性（写入/擦除周期）
民
-55
-65
-0.5
-0.5
最大
+125
+150
7.0
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
SCS ＃
H
L
L
L
OE ＃
X
L
H
X
SWE ＃
X
H
H
L
WSF512K16-XXX
SRAM真值表
模式
待机
读
读
写
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
电容
20年
100,000
T
A
= +25°C
TEST
OE ＃电容
F / S WE1-2 ＃电容
F / S CS1-2 ＃电容
数据I / O容量
地址输入电容
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
条件
最大单位
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的50 pF的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的20 pF的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的20 pF的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的20 pF的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的50 pF的
注： 1.强调上述绝对最大额定值可能会造成永久性
损坏设备。在最高级别扩展操作可能
降低性能并影响可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.5
2.2
-0.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
SRAM的工作电源电流×16模式
待机电流
SRAM输出低电压
SRAM输出高电压
闪光V
CC
工作电流为读（ 1 ）
闪光V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
闪光输出低电压
闪光输出高电压
闪光低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LO
I
CCx16
I
SB
V
OL
V
OH
I
CC1
I
CC2
V
OL
V
OH1
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
SCS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
SCS ＃ = V
IL
， OE ＃ = FCS ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
FCS ＃ = SCS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OL
= 6毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -1.0mA ，V
CC
= 4.5
FCS ＃ = V
IL
， OE ＃ = SCS ＃ = V
IH
FCS ＃ = V
IL
， OE ＃ = SCS ＃ = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
民
最大
10
10
330
45
0.4
130
150
0.45
0.85× V
CC
3.2
4.2
单位
A
A
mA
mA
V
V
mA
mA
V
V
V
2.4
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和频率相关元件（ @ 5兆赫） 。
的频率分量通常是小于2mA /兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
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怀特电子设计
SRAM交流特性
V
CC
= 5.0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
符号
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
-35
-70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
从时间写数据保持
WSF512K16-XXX
SRAM交流特性
V
CC
= 5.0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW1
t
WHZ1
t
DH
-35
-70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最小值最大值最小值最大值
35
70
35
70
0
5
35
70
25
35
4
10
0
5
15
25
15
25
1.此参数由设计保证，但未经测试。
最小值最大值最小值最大值
35
70
25
60
25
60
20
30
25
50
0
0
0
5
0
5
15
25
0
0
1.此参数由设计保证，但未经测试。
科幻gure 3
AC测试电路
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
≈
注： V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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怀特电子设计
WSF512K16-XXX
图4 - SRAM时序波形 - 读周期
t
RC
地址
t
AA
t
RC
地址
SCS ＃
t
AA
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
ACS
t
CLZ
SOE ＃
t
CHZ
读周期1 （ SCS ＃ = OE ＃ = V
IL
， SWE ＃ = V
IH
)
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期2 （ SWE ＃ = V
IH
)
图5 - SRAM写周期 - SWE ＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
SCS ＃
t
AH
t
AS
SWE ＃
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
数据有效
t
DH
数据I / O
写周期1 ， SWE ＃控制
图6 - SRAM写周期 - SCS ＃控制
t
WC
地址
t
AS
SCS ＃
t
AW
t
CW
t
AH
t
WP
SWE ＃
t
DW
数据I / O
数据有效
t
DH
写周期2 ， SCS ＃控制
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WSF512K16-XXX
HI-可靠性产品
512K
X
16 SRAM / FLASH模块， SMD 5962-96901
特点
s
为35ns （ SRAM ），并为90ns的存取时间（ FLASH）
s
为70ns （ SRAM）和120ns的访问时间（ FLASH）
s
包装
66针， PGA类型， 1.385"方HIP ，密封陶瓷
HIP （ 402包）
68引线，密封CQFP （ G2 ） ， 22毫米（ 0.880" ）方
（ 500包） 。旨在满足JEDEC 68铅0.990 “ CQFJ
足迹（图2）
s
512Kx16 SRAM
s
512Kx16 5V FLASH
s
组织为SRAM的512Kx16和闪存512Kx16
内存有独立的数据总线
s
内存这两个模块是用户可配置为1Mx8
s
低功耗CMOS
s
商用，工业和军用温度范围
s
TTL兼容的输入和输出
s
内置的去耦电容和地面多销
低噪音运行
s
重量 - 13克典型
FLASH内存功能
s
10万次擦除/编程
s
部门架构
8个大小相等的各64K字节扇区
行业的任何组合可以同时删除。
还支持整片擦除
s
5伏编程; 5V
±
10 ％供应
s
嵌入式擦除和编程算法
s
硬件写保护
s
页编程操作和内部控制程序的时间。
注：编程可应要求提供的资料。
图。 1
1
SD
8
SD
9
SD
10
A
13
A
14
A
15
A
16
A
18
SD
0
SD
1
SD
2
11
引脚配置WSF512K16 ， XH2X
顶视图
12
SWE
2
SCS
2
GND
SD
11
A
10
A
11
A
12
V
CC
SCS
1
NC
SD
3
22
33
23
SD
15
SD
14
SD
13
SD
12
OE
A
17
SWE
1
SD
7
SD
6
SD
5
SD
4
FD
8
FD
9
FD
10
A
6
A
7
NC
A
8
A
9
FD
0
FD
1
FD
2
44
34
V
CC
FCS
2
FWE
2
FD
11
A
3
A
4
A
5
FWE
1
FCS
1
GND
FD
3
55
45
FD
15
FD
14
FD
13
FD
12
A
0
A
1
A
2
FD
7
FD
6
FD
5
FD
4
66
8
8
8
引脚说明
FD
0-15
闪存数据输入/输出
56
SD
0-15
SRAM的数据输入/输出
A
0-18
SWE
1-2
SCS
1-2
OE
V
CC
GND
NC
FWE
1-2
FCS
1-2
地址输入
SRAM写使能
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
Flash写使能
FLASH的片选
框图
S宽E
1
S CS
1
OE
A
0
-
18
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
FL灰
512K ×8
FL灰
S宽E
2
S CS
2
; F W ê
1
F CS
1
; F W ê
2
F CS
2
8
SD
0-7
SD
8-15
FD
0-7
FD
8-15
2000年10月修订版
5
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
WSF512K16-XXX
图。 2
引脚配置WSF512K16 ， XG2X
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
FCS
1
GND
FCS
2
SWE
1
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
FD
0-15
闪存数据输入/输出
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
SD
0
SD
1
SD
2
SD
3
SD
4
SD
5
SD
6
SD
7
GND
SD
8
SD
9
SD
10
SD
11
SD
12
SD
13
SD
14
SD
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
SCS
1
SCS
2
A
17
FWE
1
FWE
2
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
OE
A
18
V
CC
SWE
2
SD
0-15
SRAM的数据输入/输出
FD
0
FD
1
FD
2
FD
3
FD
4
FD
5
FD
6
FD
7
GND
FD
8
FD
9
FD
10
FD
11
FD
12
FD
13
FD
14
FD
15
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
NC
NC
A
0-18
SWE
1-2
SCS
1-2
0.940"
地址输入
SRAM写使能
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
Flash写使能
FLASH的片选
OE
V
CC
GND
NC
FWE
1-2
FCS
1-2
该WEDC 68领先G2 CQFP填写
作为同样的配合和功能
JEDEC 68领先CQFJ或68 PLCC 。
但G2拥有TCE和铅
检查优点的
CQFP形式。
框图
S宽E
1
S CS
1
OE
A
0
-
18
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
FL灰
512K ×8
FL灰
S宽E
2
S CS
2
; F W ê
1
F CS
1
; F W ê
2
F CS
2
8
8
8
8
SD
0-7
SD
8-15
FD
0-7
FD
8-15
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2
WSF512K16-XXX
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
参数
闪存数据保留
闪存耐久性（写入/擦除周期）
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性的损害
到设备。在最高级别扩展操作可能会降低
性能和可靠性的影响。
20年
100,000
TEST
OE电容
F / S WE 1-2电容
F / S CS 1-2电容
数据I / O容量
地址输入电容
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
7.0
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
SCS
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
SRAM真值表
SWE
X
H
H
L
模式
待机
读
读
写
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
电容
(T
A
= +25°C)
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
条件
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
最大
50
20
20
20
50
单位
pF
pF
pF
pF
pF
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.5
2.2
-0.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
SRAM的工作电源电流×16模式
待机电流
SRAM输出低电压
SRAM输出高电压
闪光V
CC
工作电流为读（ 1 ）
闪光V
CC
工作电流为程序或
擦除（ 2 ）
闪光输出低电压
闪光输出高电压
闪光低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LO
I
CCx16
I
SB
V
OL
V
OH
I
CC1
I
CC2
V
OL
V
OH1
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
FCS = SCS = V
IH
， OE = V
IH ，
V
OUT
= GND到V
CC
SCS = V
IL
， OE = V
IH ，
F = 5MHz时，V
CC
= 5.5 ， FCS = V
IH
FCS = SCS = V
IH
， OE = V
IH ，
F = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OL
= 8毫安，V
CC
= 4.5 ， FCS = V
IH
I
OL
= -4.0mA ，V
CC
= 4.5 ， FCS = V
IH
FCS = V
IL
， OE = V
IH
， SCS = V
IH
FCS = V
IL
， OE = V
IH
， SCS = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5 ， SCS = V
IH
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5 ， SCS = V
IH
0.85× V
CC
3.2
4.2
2.4
130
150
0.45
民
最大
10
10
330
45
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
mA
mA
V
V
V
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和频率相关元件（ @ 5兆赫） 。
的频率分量通常是小于2mA /兆赫，使用OE在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
3
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WSF512K16-XXX
SRAM交流特性
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
符号
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
1
1
1
1
SRAM交流特性
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
从时间写数据保持
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
-35
最小最大
35
35
0
35
25
4
0
15
15
-70
单位
最小最大
70
70
5
70
35
10
5
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-35
最小最大
35
25
25
20
25
0
0
0
15
0
-70
最小最大
70
60
60
30
50
0
5
5
25
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WHZ
1
t
DH
1.此参数由设计保证，但未经测试。
1.此参数由设计保证，但未经测试。
图。 3
AC测试电路
电流源
I
OL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
D.U.T.
V
Z
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
≈
1.5V
输出时序参考电平
C
EFF
= 50 pF的
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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4
WSF512K16-XXX
图。 4 SRAM
时序波形 - 读周期
地址
t
RC
t
AA
SCS
t
RC
地址
t
ACS
t
CLZ
国有企业
t
CHZ
t
AA
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期1 ， （ SCS = OE = V
IL
， SWE = V
IH
)
读周期2 （ SWE = V
IH
)
图。 5 SRAM
写周期 - SWE控制下的
t
WC
地址
t
AW
t
CW
SCS
t
AH
t
AS
SWE
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1 ， SWE控
图。 6 SRAM
写周期 - SCS控制下的
t
WC
地址
WS32K32-XHX
t
CW
t
AH
t
AS
SCS
t
AW
t
WP
SWE
t
DW
数据I / O
数据有效
t
DH
写周期2 ， SCS控
5
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