WF4M16-XDTX5
HI-可靠性产品
2x2Mx16 5V闪存模块
特点
高级*
s
90访问时间，120，为150ns
s
包装：
56引脚，密封陶瓷， 0.520"南方东英（ 213包） 。
符合标准的56 SSOP足迹。
s
部门架构
每个每个2Mx8芯片64K字节的32大小相等的行业
任何部门的结合可以被删除。还支持
整片擦除。
s
最少100,000次写/擦除周期最短
s
组织为2Mx16两个银行;用户可配置的
4× 2Mx8
s
商业，工业和军用温度范围内
s
5伏的读取和写入。 5V
±
10％的供应。
s
低功耗CMOS
s
数据轮询和切换位功能的检测方案
或擦除周期结束。
s
支持读取或编程数据到一个部门不作为
删除。
s
内置的去耦电容和多接地引脚为低
噪音运行，独立的电源层和接地层来
提高噪声抑制
s
RESET引脚复位内部状态机读方式。
s
就绪/忙（ RY / BY）输出，用于编程或擦除的方向
循环完成。
*
本数据表中描述了一种产品，它可能是也可能不是下
发展和可随时更改或取消，恕不另行通知。
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程16M5
应用笔记。
图。 1
引脚配置WF4M16 ， XDTX5
56南方东英
引脚说明
NC
RESET
A11
A10
A9
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
GND
A8
V
CC
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
A0
NC
CS3
CS4
I/O2
I/O10
I/O3
I/O11
GND
顶视图
CS1
A12
A13
A14
A15
NC
CS2
NC
A20
A19
A18
A17
A16
V
CC
GND
I/O6
I/O14
I/O7
I/O15
RY / BY
OE
WE
NC
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
I / O
0-15
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
就绪/忙
RESET
框图
I / O
0-7
RESET
WE
OE
A
0-20
RY / BY
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
8-15
A
0-20
WE
CS
1-4
OE
V
CC
GND
RY / BY
RESET
CS
1
CS
2
CS
3
CS
4
注意：
1. RY / BY是一个开漏输出，应该拉到Vcc的有
外部电阻。
2. CS
1
和CS
3
控制相同的数据总线上。读不能用做CS
1
和CS
3
既活跃。 CS
2
和CS
4
控制相同的数据总线上。读
不能与CS进行
2
和CS
4
既活跃。
3.地址与英特尔2M8 56 SSOP兼容。
1999年11月订正
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
WF4M16-XDTX5
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
储存温度
短路输出电流
耐力 - 写/擦除周期
（MIL温度）
数据保留（MIL温度）
符号
V
T
P
T
TSTG
I
OS
评级
-2.0到+7.0
8
-65到+125
100
100000分钟
20
单位
V
W
°C
mA
周期
岁月
参数
OE电容
WE电容
CS电容
数据I / O容量
地址输入电容
电容
(T
A
= +25°C)
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大
45
45
15
25
45
单位
pF
pF
pF
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
工作温度（MIL ）。
工作温度（工业级）
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
A
T
A
民
4.5
0
2.0
-0.5
-55
-40
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
单位
V
V
V
V
°C
°C
直流特性 - CMOS兼容
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
CS = V
IL
， OE = V
IH
, V
CC
= 5.5
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
中，f = 5MHz时，
I
OL
= 12.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
0.85xVcc
3.2
4.2
民
最大
10
10
82
122
8.0
0.45
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
注意事项：
1.列出的电流Icc电流包括直流工作电流和频率相关元件（ @为5MHz ） 。的频率成分一般小于
2毫安/兆赫，与OE在V
IH
.
2. ICC活跃，而嵌入式算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
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2
WF4M16-XDTX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作 - 我们控制
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除（ 2 ）
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
输出使能保持时间（ 4 ）
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是32秒。
4.切换和数据查询。
t
OEH
10
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
0
50
44
256
10
符号
民
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
50
44
256
10
-90
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
50
44
256
-120
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
300
15
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
单位
交流特性 - 只读操作
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择高到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
输出保持从地址， CS或OE变化，
取其科幻RST
1.由设计保证，未经测试。
符号
民
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
0
90
90
90
40
20
20
0
-90
最大
民
120
120
120
50
30
30
0
-120
最大
民
150
150
150
55
35
35
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
3
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WF4M16-XDTX5
交流特性？写/擦除/编程操作， CS控
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
输出使能保持时间（ 4 ）
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是32秒。
4.切换和数据查询。
t
OEH
10
符号
民
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
0
44
256
10
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
44
256
10
-90
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
44
256
-120
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
300
15
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
单位
图。 2
AC测试电路
电流源
I
OL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
D.U.T.
V
Z
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
≈
1.5V
输出时序参考电平
C
EFF
= 50 pF的
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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4
WF4M16-XDTX5
图。 3
AC波形进行读操作
t
DF
t
OH
地址稳定
t
RC
t
OE
t
加
t
CE
WE
OE
地址
5
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输出
CS
高Z
输出有效
高Z
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