WS57LV291C
初步
高速3.3伏2K ×8 CMOS PROM / RPROM
主要特点
3.3伏± 0.3伏V
CC
快速访问时间
— t
加
= 70纳秒
— t
CS
= 20 ns的
可在300英里"Skinny" DIP
免疫闭锁
- 高达200 mA的
ESD保护超过2000V
低功耗
—
≤
25毫安我
CC
概述
该WS57LV291C是一个高性能的2K ×8的紫外线可擦除重新可编程只读存储器（ RPROM ） 。
这RPROM使用从而导致非常低的先进的CMOS EPROM的制造工序制造
那能提供卓越的高速性能与3.3伏V电源芯片
CC
供应量。该WS57LV291C
被配置在标准的双极PROM的管脚，用于高速PROM的优选的和最常用的引出线
16K的密度。
工作在3.3伏时， WS57LV291C消散在最大最坏情况的条件下，最多25毫安
速度（ 70 ns的牛逼
AA
） 。典型的我
CC
在25℃下小于20毫安。
该WS57LV291C打包在一个节省空间的300密耳窗，气密DIP封装。
框图
引脚配置
顶视图
CERDIP
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
A10
CS1/V
PP
CS2
CS3
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
6
A5 - A10
ROW
地址
ROW
解码器
EPROM阵列
16,384位
5
A0 - A4
COLUMN
地址
COLUMN
解码器
SENSE
放大器器
CS1 / V
PP
CS2
CS3
8
输出
产品选择指南
参数
地址访问时间（最大值）
CS到输出有效时间（最大值）
WS57LV291C-70
70纳秒
20纳秒
WS57LV291C-90
90纳秒
30纳秒
返回到主菜单
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WS57LV291C
绝对最大额定值*
储存温度............................- 65 °至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面....................................- 0.6V至+ 7V
V
PP
相对于地面...................- 0.6V至+ 14V
ESD保护................................................ ..
＆ GT ;
2000V
模式选择
引脚
模式
CS1/
V
PP
CS2
CS3
VCC
输出
读
产量
关闭
产量
关闭
产量
关闭
节目
节目
VERIFY
V
IL
V
IH
X
X
V
PP
V
IL
V
IH
X
V
IL
X
X
V
IH
V
IH
X
X
V
IL
X
V
IH
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
*
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在这个业务部门的说明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对
极限条件下的长时间
时间会影响器件的可靠性。
工作范围
范围
广告
温度
0 ° C至+ 70°C
V
CC
+ 3.3V ± 0.3V
DC读取特性
在整个工作范围。 （见上文）
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
CC
I
LI
I
LO
注意事项：
参数
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
测试条件
（注3）
（注3）
I
OL
= 16毫安
I
OH
= -4毫安
（注1及2 ）
I
CC
以最大频率
输出不装
V
IN
= 3.6V或GND
V
OUT
= 3.6 V或GND
民
–0.1
2.0
2.4
最大
0.6
V
CC
+ 0.3
0.4
单位
V
V
V
V
V
CC
工作电流（ CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
25
–10
–10
10
10
mA
A
A
1. CMOS输入： GND ± 0.3V或V
CC
± 0.3V.
2. TTL输入添加5毫安ICC 。
3.这是绝对的电压相对于设备的接地引脚，包括所有因系统和/或测试噪音过冲。
不要尝试没有合适的设备来测试这些值。
AC阅读特点
在整个工作范围。 （见上文）
参数
地址输出延迟
CS到输出延迟
输出禁止到输出的浮动
*
地址输出保持
*采样，未经100％测试。
符号
t
加
t
CS
t
DF
t
OH
WS57LV291C-70
民
最大
WS57LV291C-90
民
最大
单位
70
20
20
0
0
90
30
ns
30
2-16
WS57LV291C
AC读取时序图
地址
有效
t
加
t
OH
CS
t
CS
输出
有效
t
DF
电容
(4)
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
符号
C
IN
C
OUT
C
VPP
参数
输入电容
输出电容
V
PP
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
PP
= 0 V
典型值
(5)
4
8
18
最大
6
12
25
单位
pF
pF
pF
注意事项：
4.此参数仅取样，而不是100％测试。
5.典型值是TA = 25 ° C和标称电源电压。
测试负载
（高阻抗测试系统）
交流测试输入/输出波形
98
1.80 V
D.U.T.
3.0
1.5
30 pF的
（包括SCOPE
，夹具
电容）
0.0
TEST
要点
1.5
AC测试输入驱动的3.0 V的逻辑"1"和0.0 V的
逻辑"0."定时测量是在1.5 V的输入，使
输出转换在两个方向。
注意：
6.提供充分的去耦电容尽可能靠近该器件，从而实现所公布的AC和DC参数。
一个0.1微法的电容并联一个0.01微法的电容器连接V之间
CC
并推荐地。
去耦不足可能会导致访问时间降解或其它瞬态性能故障。
2-17
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