【W49V002FA256K×8 CMOS FLASH MEMORY与FWH接口概述该W49V002F】,IC型号W49V002,W49V002 PDF资料,W49V002经销商,ic,电子元器件-51电子网

W49V002FA

256K

×

8 CMOS FLASH MEMORY

与FWH接口

概述

该W49V002FA是2兆， 3.3伏的CMOS只闪组织为256K内存

×

8位。该

装置可以编程和擦除系统与标准的3.3V电源。一个12伏V

PP

is

不是必需的。该W49V002FA的独特的细胞结构导致在快速编程/擦除操作

极低的电流消耗。该器件可在两种模式下运行，程序员巴士

接口方式和FWH总线接口模式。作为程序员接口模式，它的作用类似于

传统的闪光灯，但有一个复用的地址输入。但在FWH接口模式中，该装置

符合Intel FWH规范。该设备还可以被编程和擦除使用

标准EPROM编程器。

特点

单3.3伏操作：

3.3伏读

3.3伏的擦除

3.3伏计划

两个8K字节的参数块

四个主内存块（与32K字节， 64K

字节， 64K字节， 64K字节的每个）

低功耗

工作电流（典型值的FWH ） 40毫安

自动编程和擦除时间与

内部V

PP

GENERATION

编程或擦除检测结束

切换位

数据轮询

快速的程序操作：

逐字节编程： 50

S

（典型值）。

快速擦除操作： 150毫秒（典型值）。

快速读取访问时间： TKQ 11纳秒

耐力： 10K周期（典型值）。

二十年的数据保留

硬件数据保护

#TBL & #WP作为硬件保障

一个16K字节的引导块，带锁定功能

保护

锁存地址和数据

TTL兼容的I / O

可用的软件包： 32L PLCC ， 32L STSOP

-1-

出版日期： 2002年2月19日

A2版

W49V002FA

销刀豆网络gurations

框图

#WP

#TBL

CLK

FWH [3：0 ]

FWH4

IC

#reset

BOOT BLOCK

16K字节

接口

参数

BLOCK1

8K字节

参数

BLOCK2

8K字节

主内存

BLOCK1

32K字节

主内存

BLOCK2

64K字节

主内存

BLOCK3

64K字节

主内存

BLOCK4

64K字节

3FFFF

3C000

3BFFF

3A000

39FFF

38000

37FFF

30000

2FFFF

20000

1FFFF

10000

0FFFF

00000

A

8

^

F

G

P

I

2

v

4

A7(FGPI1)

A6(FGPI0)

A5(#WP)

A4(#TBL)

A3(ID3)

A2(ID2)

A1(ID1)

A0(ID0)

DQ0(FWH0)

5

6

7

8

9

10

11

12

13

A

9

^

F

G

P

I

3

v

3

#

R

E

S

V

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T C

2

R

#

C

^

C

L

K

v

A

1

0

^

F

G

P

I

4

v

#INIT

R / ＃

A[10:0]

DQ [7：0 ]

#OE

29

28

27

IC

GND

NC

GND

VDD

#OE （ #INIT ）

#WE(FWH4)

NC

DQ7(RSV)

编程

MER

接口

1 32 31 30

#WE

32L

PLCC

26

25

24

23

22

21

引脚说明

符号。

IC

#reset

#INIT

#TBL

#WP

CLK

FGPI [4 ：0]的

ID为[ 3：0]

接口

PGM

*

FWH

*

引脚名称

接口模式选择

RESET

初始化

热门引导块锁

写保护

CLK输入

通用输入

识别输入时，

有内部下拉到

V

SS

地址/数据输入

FWH周期初始

行/列选择

地址输入

数据输入/输出

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

保留引脚

无连接

14 15 16 17 18 19 20

D

Q

1

^

F

W

H

1

v

摹D D

Q Q Q

2 D 3 4

^

^ ^

F

由于F R

W

W S

H

H V

2

3 v

v

D

Q

5

^

R

S

V

v

D

Q

6

^

R

S

V

v

NC

GND

IC

A10(FGPI4)

R / ＃ C（ CLK ）

V

DD

NC

#reset

A9(FGPI3)

A8(FGPI2)

A7(FGPI1)

A6(FGPI0)

A5(#WP)

A4(#TBL)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32L

TSOP

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

#OE （ #INIT ）

#WE(FWH4)

NC

DQ7(RSV)

DQ6(RSV)

DQ5(RSV)

DQ4(RSV)

DQ3(FWH3)

GND

DQ2(FWH2)

DQ1(FWH1)

DQ0(FWH0)

A0(ID0)

A1(ID1)

A2(ID2)

A3(ID3)

FWH [3：0 ]

FWH4

R / ＃

A[10:0]

DQ [7：0 ]

#OE

#WE

V

DD

GND

RSV

NC

*

-2-

W49V002FA

功能说明

接口模式选择和说明

此装置可以在两种接口模式下操作，一种是编程接口模式，另一种是

FWH接口模式。该装置的集成电路管脚提供两个接口之间的控制

模式。这些接口模式之前，需要从#RESET电或重返配置

.

当

IC引脚置为高电平状态时，设备将在编程模式;而IC引脚设置为低电平

状态（或阔叶无连接），这将是在FWH模式。在编程模式下，该器件只需

行为像传统的闪光灯部件与8根数据线。但该行和列地址的输入是

复用，它通过地址输入A [ 10 ： 0 ] 。对于FWH模式，它符合FWH

接口规范。通过FWH [3：0 ]与系统的芯片组进行通信。

读（写）模式

在编程界面模式下， W49V002FA的读（写）操作是由#OE控制

（ #WE ）。该#OE （ #WE ）保持低电平的主机获得（写）从（到）输出（输入）数据。 #OE

是输出控制，用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻

状态时#OE高。作为用于在FWH接口模式中，读或写操作是由"bit 0确定

&位周期开始1 ".请参考更多详细信息， FWH循环定义。

复位操作

该#RESET输入引脚可以在某些应用中使用。当#RESET脚处于高电平状态，器件

处于正常操作模式。当#RESET引脚为低电平状态时，它会停止装置，输出全部

处于高阻抗状态。作为高状态重新置位到#RESET销，设备将返回到

读或待机模式，这取决于所述控制信号。

芯片擦除操作

该芯片擦除模式可以通过一个6字节的命令序列来启动。该命令加载后

周期，器件进入内部芯片擦除模式，自动定时的会

在快150毫秒（典型值）完成。主机系统不需要提供任何控制或定时

在此操作。如果引导块编程锁定被激活时，仅在其他的数据

内存块将被删除，以FF （十六进制），而在引导块中的数据不会被删除（遗体

作为芯片擦除操作之前相同的状态）。对整个存储器阵列将被擦除到FF （十六进制）

通过芯片擦除操作，如果引导块编程锁定功能没有被激活。该装置

将自动返回到正常读模式的擦除操作完成之后。数据轮询和/或

翻转位可用于检测擦除周期的结束。

扇区擦除操作

这七个部门，一个引导块和两个参数的内存和四个主要模块，可擦除

分别通过启动一个6字节的命令序列。扇区地址被锁存下降#WE

缘第六周期的，而30 （十六进制）的数据输入命令被锁存于#WE的上升沿。

命令加载循环后，器件进入内部扇区擦除模式，这是

自动计时，将在快150毫秒（典型值）完成。不需要在主机系统

提供此操作过程中的任何控制或定时。该设备将自动返回到正常

擦除操作完成之后读取模式。数据轮询和/或翻转位可用于检测

擦除周期的结束。

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出版日期： 2002年2月19日

A2版

W49V002FA

程序运行

该W49V002FA被编程在逐字节的基础。编程操作只能改变逻辑

数据"1"至逻辑数据"0."擦除操作，其中在主存储器改变整个数据和/或

引导块从"0"到"1" ，在编程之前需要。

由4个字节的指令周期启动的程序运行（参见命令代码字节

编程）。该装置将内部的针对字节后，立即进入程序操作

程序命令的输入。内部程序计时器会自动超时（ 100

S

最大。 -

T

BP

）一旦完成，然后返回到正常读模式。数据轮询和/或切换位可

用于检测程序循环的结束。

引导块操作和硬件保护的初始#TBL & #WP

有两种选择来设置引导块。一个是软件命令序列的方法;该

另一种是硬件方式。 16K字节在该装置的顶部的位置可以被锁定为引导块，

它可以被用于存储引导代码。它位于最后一个16K字节的存储器的同

地址范围从3C000 （十六进制）到3FFFF （十六进制）。

请参阅命令代码为引导块锁定启用的特定代码。一旦此功能

集，用于指定块的数据不能被擦除或编程（编程锁定），其他

存储单元可以通过常规的编程方法来改变。

除了软件的方法，有一种硬件方法来保护顶端的引导块和其他

部门。在编程/擦除此设备，设置#TBL脚低的状态，然后在顶部引导块

将不被编程/擦除。当启用硬件顶部引导块， #TBL为低状态时，它会

重写软件的方法设置。也就是说，如果#TBL处于低状态，然后顶引导块不能

编程/擦除不管软件如何引导块锁定设置。

另一脚， #WP ，将保护整个芯片，如果这个引脚设置为低电平状态编程/擦除之前。该

启用此引脚将覆盖#TBL设置。即，顶部引导块不能

编程/如果此引脚设置为低电平无论擦除如何#TBL或软件引导块锁定设置。

硬件数据保护

存储在W49V002FA的数据的完整性也是硬件以下列方式保护：

（ 1 ）噪声/毛刺保护：小于15 ns的时间一#WE脉冲不会启动写周期。

(2) V

DD

上电/掉电检测：编程和读操作被禁止时， V

DD

is

低于1.5V的典型。

（ 3 ）写禁止模式：强制#OE低或#WE高会抑制写操作。这可以防止

在上电或掉电期间的意外写操作。

(4) V

DD

上电延时：当V

DD

已经达到了层次感，设备会自动超时5

任何写（擦除/编程）操作前毫秒。

数据轮询（ DQ

7

） - 写状态检测

该W49V002FA包括数据查询功能，以指示一个节目的结束或擦除周期。

当W49V002FA是在内部编程或擦除周期，任何试图读取DQ

7

的最后的

字节加载将获得的真实数据的补码。一旦编程或擦除周期

完成后， DQ

7

会显示出真实的数据。需要注意的是DQ

7

将在擦除周期中表现出的逻辑"0" ，并

当擦除周期已经完成，就变成逻辑"1"或真实数据。

-4-

W49V002FA

切换位（ DQ

6

） - 写状态检测

除了数据轮询， W49V002FA提供了另一种方法，用于确定所述端

项目周期。在内部编程或擦除周期，任何尝试连续读取DQ

6

将

产生交替的0和1的。当程序或擦除周期完成时，这之间来回切换

0和1的停止。该设备然后准备进行下一次操作。

通用输入寄存器

该寄存器读取FGPI [ 4 ： 0 ]上W49V002FA.This引脚是一个传递寄存器，它可以

经由存储器地址FFBC0100 （十六进制）读取。因为它是直通寄存器，没有缺省值。

位

7

5

4

3

2

1

0

功能

阅读FGPI4引脚状态

阅读FGPI3引脚状态

阅读FGPI2引脚状态

阅读FGPI1引脚状态

阅读FGPI0引脚状态

产品标识

产品ID的操作输出的制造商代码和设备代码。编程设备

自动匹配的设备，其正确的擦除和编程算法。

的制造商，设备代码可以通过软件操作来访问。在软件访问

模式中，一个六字节（或JEDEC的3字节）指令序列可以被用来访问该产品的ID为

编程接口模式。从地址0000 （十六进制）的读取输出制造商代码， DA （十六进制）。

从地址0001 （十六进制）的读取输出设备代码， 32 （十六进制） “。该产品ID操作即可

用三字节的命令序列或候补1字节的命令序列结束（见

命令定义表）。

至于FWH接口模式，从FFBC ， 0000 （十六进制），可输出的制造商代码读出，

DA （十六进制）。从FFBC读， 0001 （十六进制），可输出的设备代码32 （十六进制）。

TABLE操作模式

经营模式选择 - 编程器模式

(V

HH

= 12V

±

5%)

模式

引脚

#OE

读

写

待机

写禁止

输出禁用

V

IL

V

IH

X

V

IL

X

V

IH

#WE

V

IH

V

IL

X

V

IH

X

#reset

V

IH

V

IH

V

IL

V

IH

V

IH

V

IH

地址

艾因

X

DOUT

DIN

高Z

DQ 。

高Z / DOUT

高Z

-5-

出版日期： 2002年2月19日

A2版

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初步W49V002A

256K ×8 CMOS FLASH MEMORY

与LPC接口

概述

该W49V002A是一个2

-megabit ， 3.3伏的CMOS只快闪记忆体组织为256K

×

8位。该

装置可以编程和擦除系统与标准的3.3V电源。一个12伏V

PP

is

不是必需的。的W49V002A导致快速的程序独特的单元架构/擦除操作与

极低的电流消耗。该器件可在两种模式下运行，程序员总线接口

模式和LPC总线接口模式。作为程序员接口模式，它就像传统

闪光灯，但有一个复用的地址输入。但在LPC接口模式，该设备符合

英特尔LPC规范1.0 。该设备还可以被编程和擦除使用标准EPROM

程序员。

特点

单3.3伏操作：

字节， 64K字节， 64K字节的每个）

低功耗

3.3伏读

3.3伏的擦除

3.3伏计划

快速的程序操作：

工作电流：25 mA（典型值）

A

（典型值）。

自动编程和擦除时间与

内部V

PP

GENERATION

编程或擦除检测结束

逐字节编程： 50

S

（典型值）。

快速擦除操作： 150毫秒（典型值）。

耐力： 10K周期（典型值）。

二十年的数据保留

硬件数据保护

切换位

数据轮询

锁存地址和数据

TTL兼容的I / O

可用的软件包： 32L PLCC和32L

#TBL & #WP作为硬件保障

一个16K字节的引导块，带锁定功能

保护

两个8K字节的参数块

四个主内存块（与32K字节， 64K

STSOP

-1 -

出版日期： 2001年4月

修订版A1

初步W49V002A

销刀豆网络gurations

A

8

^

G

P

I

2

v

4

A7(GPI1)

A6(GPI0)

A5(#WP)

A4(#TBL)

A3(RSV)

A2(RSV)

A1(RSV)

A0(RSV)

DQ0(LAD0)

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14 15 16 17 18 19 20

A

9

^ #

摹

P·E

I S

V

[3] E N D

V T， C D

3

2

R

#

C

^

C

L

K

v

A

1

0

^

G

P

I

4

v

引脚说明

SYMB

模式

29

28

27

模式

GND

NC

VDD

#OE （ #INIT ）

#WE （ #LFRAM ）

NC

DQ7(RSV)

接口

PGM

*

引脚名称

接口模式选择

RESET

初始化

热门引导块锁

写保护

CLK输入

通用

输入

地址/数据输入

LPC周期初始

行/列选择

地址输入

数据输入/输出

OUTPUT ENABLE

写使能

LPC

*

1 32 31 30

#reset

#INIT

#TBL

#WP

CLK

GPI [4 ：0]的

LAD [ 3：0]

32

31

30

29

28

27

26

#OE （ #INIT ）

#WE （ #LFRAM ）

NC

DQ7(RSV)

DQ6(RSV)

DQ5(RSV)

DQ4(RSV)

DQ3(LAD3)

GND

DQ2(LAD2)

DQ1(LAD1)

DQ0(LAD0)

A0(RSV)

A1(RSV)

A2(RSV)

A3(RSV)

32-pin

PLCC

26

25

24

23

22

21

*

D D摹

Q Q

1 2 D

^ ^

L L

A A

D D

1 2

v v

NC

GND

模式

A10(GPI4)

R / ＃ C（ CLK ）

V

DD

NC

#reset

A9(GPI3)

A8(GPI2)

A7(GPI1)

A6(GPI0)

A5(#WP)

A4(#TBL)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

D D D

Q Q Q

3 4 5

^ ^ ^

L R

一个S S小

D V V

3 v v

v

D

Q

6

^

R

S

V

v

#LFRAM

R / ＃

A[10:0]

DQ [7：0 ]

#OE

#WE

V

DD

GND

32-pin

TSOP

25

24

23

22

21

20

19

18

17

电源

地

储销

无连接

框图

#WP

#TBL

CLK

LAD [ 3：0]

#LFRAM

模式

#INIT

#reset

主内存

BLOCK1

32K字节

R / ＃

A[10:0]

DQ [7：0 ]

#OE

#WE

编程

MER

接口

主内存

BLOCK2

64K字节

主内存

BLOCK3

64K字节

主内存

BLOCK4

64K字节

LPC

接口

BOOT BLOCK

16K字节

参数

BLOCK1

8K字节

参数

BLOCK2

8K字节

3FFFF

3C000

3BFFF

3A000

39FFF

38000

37FFF

30000

2FFFF

RSV

NC

20000

1FFFF

10000

0FFFF

00000

-2 -

初步W49V002A

功能说明

接口模式选择和说明

此装置可以在两种接口模式下操作，一种是编程接口模式，另一种是LPC

接口模式。该装置的MODE引脚提供了这两种接口模式之间的控制。

这些接口模式之前，需要从#RESET电或重返配置

.

当MODE引脚

被设置为高状态时，该装置是在编程模式;而MODE引脚设置为低电平状态（或

阔叶无连接），它是在LPC模式。在编程模式下，该器件的行为只是像

传统的闪存部件与8根数据线。但该行和列地址的输入进行多路复用，从而去

通过地址输入A [ 10 ： 0 ] 。对于LPC模式，它符合LPC接口规范

1.0修订版。通过LAD [ 3：0] ，以与系统的芯片组进行通信。

读（写）模式

在编程界面模式下， W49V002A的读（写）操作是由#OE （ #WE ）控制。

该#OE （ #WE ）保持低电平的主机获得（写）从（到）输出（输入）数据。 #OE是

输出控制，用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻抗状态

当#OE高。如在LPC接口模式中，读或写操作是通过循环的"bit 1确定

TYPER + DIR" 。

复位操作

该#RESET输入引脚可以在某些应用中使用。当#RESET脚处于高电平状态，器件

处于正常操作模式。当#RESET引脚为低电平状态时，它会停止装置，输出全部

处于高阻抗状态。作为高状态重新置位到#RESET销，设备将返回到

读或待机模式，这取决于所述控制信号。

芯片擦除操作

该芯片擦除模式可以通过一个6字节的命令序列来启动。该命令加载后

周期，器件进入内部芯片擦除模式，自动定时的会

在快100毫秒（典型值）完成。主机系统不需要提供任何控制或定时

在此操作。如果引导块编程锁定被激活时，仅在其他的数据

存储器块将被擦除到FF （十六进制），而在所述引导块中的数据将不被擦除（保持为

芯片擦除操作之前相同的状态）。对整个存储器阵列将被擦除到FF （十六进制）

芯片擦除操作，如果引导块编程锁定功能没有被激活。该设备将

自动返回到正常读模式的擦除操作完成之后。数据轮询和/或切换

位可用于检测擦除周期的结束。

扇区擦除操作

这七个部门，一个引导块和两个参数块和四个主要模块，可擦除

分别通过启动一个6字节的命令序列。扇区地址被锁存下降#WE

缘第六周期的，而30 （十六进制）的数据输入命令被锁存于#WE的上升沿。

命令加载循环后，器件进入内部扇区擦除模式，这是

自动计时，将在快150毫秒（典型值）完成。不需要在主机系统

提供此操作过程中的任何控制或定时。该设备将自动返回到正常的读

完成擦除操作后的模式。数据轮询和/或翻转位可用于检测的端

擦除周期。

程序运行

该W49V002A被编程在逐字节的基础。编程操作只能改变逻辑数据

出版日期： 2001年4月

修订版A1

-3 -

初步W49V002A

"1"至逻辑数据"0."擦除操作，其中在主存储器和/或引导改变整个数据

街区"0"到"1" ，是编程之前需要。

由4个字节的指令周期启动的程序运行（参见命令代码字节

编程）。设备中的字节的程序后，立即将在内部进入程序操作

输入命令。内部程序计时器会自动超时（ 100

S

最大。 - T的

BP

）一旦

完成，然后返回到正常读模式。数据轮询和/或翻转位可用于检测

项目周期的结束。

引导块操作和硬件保护的初始#TBL & #WP

有两种选择来设置引导块。一个是软件命令序列的方法;另

是硬件方法。 16K字节在该装置的顶部的位置可以被锁定为引导块，它可以

被用于存储引导代码。它位于最后一个16K字节的存储器的该地址范围

从3C000 （十六进制）到3FFFF （十六进制）。

请参阅命令代码为引导块锁定启用的特定代码。一旦此功能

集，用于指定块的数据不能被擦除或编程（编程锁定），其他

存储单元可以通过常规的编程方法来改变。

除了软件的方法，有一种硬件方法来保护顶端的引导块和其他

部门。在编程/擦除此设备，设置#TBL脚低的状态，然后在顶部引导块

将不被编程/擦除。当启用硬件顶部引导块， #TBL为低状态时，它会

重写软件的方法设置。也就是说，如果#TBL处于低状态，然后顶引导块不能

编程/擦除不管软件如何引导块锁定设置。

另一脚， #WP ，将保护整个芯片，如果这个引脚设置为低电平状态编程/擦除之前。该

启用此引脚将覆盖#TBL设置。即，顶部引导块不能

编程/如果此引脚设置为低电平无论擦除如何#TBL或软件引导块锁定设置。

硬件数据保护

存储在W49V002A的数据的完整性也是硬件以下列方式保护：

（ 1 ）噪声/毛刺保护：小于15 ns的时间一#WE脉冲不会启动写周期。

(2) V

DD

上电/掉电检测：编程操作时，禁止V

DD

小于1.5V

典型的。

（ 3 ）写禁止模式：强制#OE低或#WE高会抑制写操作。这可以防止

在上电或掉电期间的意外写操作。

(4) V

DD

上电延时：当V

DD

已经达到了层次感，设备会自动超时5

任何写（擦除/编程）操作前毫秒。

数据轮询（ DQ

7

） - 写状态检测

该W49V002A包括数据查询功能，以指示一个节目的结束或擦除周期。当

在W49V002A是在内部编程或擦除周期，任何试图读取DQ

7

的最后一个字节的

加载将接收的真实数据的补码。一旦程序或擦除周期完成时， DQ的

7

会显示出真实的数据。需要注意的是DQ

7

将在擦除周期中表现出的逻辑"0" ，当擦除周期

已经完成它变成逻辑"1"或真实数据。

切换位（ DQ

6

） - 写状态检测

除了数据轮询， W49V002A提供了另一种方法，用于确定节目的最后

周期。在内部编程或擦除周期，任何尝试连续读取DQ

6

会产生

交替的0和1的。当编程或擦除周期结束时，在0和1的这种肘节

将停止。该设备然后准备进行下一次操作。

-4 -

初步W49V002A

内存地址映射

有保留用于BIOS寻址8M字节的空间。该ROM将到256K字节的页面响应

每当内存地址穰是顶级4M字节和底部128K字节之内。

32位的地址空间是如下：

块

4M字节ROM BIOS

128K字节ROM BIOS

注册

地址范围

FFFF ， FFFFh时： FFC0,0000h

000F ， FFFFh时： 000E ， 0000H

FFBC,0100h

通用输入寄存器

该寄存器读取GPI [ 4 ： 0 ]上W49V002A.This引脚是一个传递寄存器，可以读

经由存储器地址FFBC0100 （十六进制）。因为它是直通寄存器，没有缺省值。

位

7-5

4

3

2

1

0

功能

阅读GPI4引脚状态

阅读GPI3引脚状态

阅读GPI2引脚状态

阅读GPI1引脚状态

阅读GPI0引脚状态

产品标识

产品ID的操作输出的制造商代码和设备代码。编程设备

自动匹配的设备，其正确的擦除和编程算法。

的制造商，设备代码可以通过软件操作来访问。在软件访问

模式中，一个六字节（或JEDEC的3字节）指令序列可以被用来访问该产品ID。读

从地址0000 （十六进制）输出的制造商代码， DA （十六进制）。从地址0001 （十六进制）输出一读

设备代码， B 0 （十六进制） “。该产品ID的操作可以由一个3字节的命令被终止

序列或候补1字节的命令序列（见命令定义的表）。

-5 -

出版日期： 2001年4月

修订版A1

W49V002FA

256K

×

8 CMOS FLASH MEMORY

与FWH接口

概述

该W49V002FA是2兆， 3.3伏的CMOS只闪组织为256K内存

×

8位。该

装置可以编程和擦除系统与标准的3.3V电源。一个12伏V

PP

is

不是必需的。该W49V002FA的独特的细胞结构导致在快速编程/擦除操作

极低的电流消耗。该器件可在两种模式下运行，程序员巴士

接口方式和FWH总线接口模式。作为程序员接口模式，它的作用类似于

传统的闪光灯，但有一个复用的地址输入。但在FWH接口模式中，该装置

符合Intel FWH规范。该设备还可以被编程和擦除使用

标准EPROM编程器。

特点

单3.3伏操作：

3.3伏读

3.3伏的擦除

3.3伏计划

两个8K字节的参数块

四个主内存块（与32K字节， 64K

字节， 64K字节， 64K字节的每个）

低功耗

工作电流（典型值的FWH ） 40毫安

自动编程和擦除时间与

内部V

PP

GENERATION

编程或擦除检测结束

切换位

数据轮询

快速的程序操作：

逐字节编程： 50

S

（典型值）。

快速擦除操作： 150毫秒（典型值）。

快速读取访问时间： TKQ 11纳秒

耐力： 10K周期（典型值）。

二十年的数据保留

硬件数据保护

#TBL & #WP作为硬件保障

一个16K字节的引导块，带锁定功能

保护

锁存地址和数据

TTL兼容的I / O

可用的软件包： 32L PLCC ， 32L STSOP

-1-

出版日期： 2002年2月19日

A2版

W49V002FA

销刀豆网络gurations

框图

#WP

#TBL

CLK

FWH [3：0 ]

FWH4

IC

#reset

BOOT BLOCK

16K字节

接口

参数

BLOCK1

8K字节

参数

BLOCK2

8K字节

主内存

BLOCK1

32K字节

主内存

BLOCK2

64K字节

主内存

BLOCK3

64K字节

主内存

BLOCK4

64K字节

3FFFF

3C000

3BFFF

3A000

39FFF

38000

37FFF

30000

2FFFF

20000

1FFFF

10000

0FFFF

00000

A

8

^

F

G

P

I

2

v

4

A7(FGPI1)

A6(FGPI0)

A5(#WP)

A4(#TBL)

A3(ID3)

A2(ID2)

A1(ID1)

A0(ID0)

DQ0(FWH0)

5

6

7

8

9

10

11

12

13

A

9

^

F

G

P

I

3

v

3

#

R

E

S

V

ê N D

T C

2

R

#

C

^

C

L

K

v

A

1

0

^

F

G

P

I

4

v

#INIT

R / ＃

A[10:0]

DQ [7：0 ]

#OE

29

28

27

IC

GND

NC

GND

VDD

#OE （ #INIT ）

#WE(FWH4)

NC

DQ7(RSV)

编程

MER

接口

1 32 31 30

#WE

32L

PLCC

26

25

24

23

22

21

引脚说明

符号。

IC

#reset

#INIT

#TBL

#WP

CLK

FGPI [4 ：0]的

ID为[ 3：0]

接口

PGM

*

FWH

*

引脚名称

接口模式选择

RESET

初始化

热门引导块锁

写保护

CLK输入

通用输入

识别输入时，

有内部下拉到

V

SS

地址/数据输入

FWH周期初始

行/列选择

地址输入

数据输入/输出

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

保留引脚

无连接

14 15 16 17 18 19 20

D

Q

1

^

F

W

H

1

v

摹D D

Q Q Q

2 D 3 4

^

^ ^

F

由于F R

W

W S

H

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2

3 v

v

D

Q

5

^

R

S

V

v

D

Q

6

^

R

S

V

v

NC

GND

IC

A10(FGPI4)

R / ＃ C（ CLK ）

V

DD

NC

#reset

A9(FGPI3)

A8(FGPI2)

A7(FGPI1)

A6(FGPI0)

A5(#WP)

A4(#TBL)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32L

TSOP

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

#OE （ #INIT ）

#WE(FWH4)

NC

DQ7(RSV)

DQ6(RSV)

DQ5(RSV)

DQ4(RSV)

DQ3(FWH3)

GND

DQ2(FWH2)

DQ1(FWH1)

DQ0(FWH0)

A0(ID0)

A1(ID1)

A2(ID2)

A3(ID3)

FWH [3：0 ]

FWH4

R / ＃

A[10:0]

DQ [7：0 ]

#OE

#WE

V

DD

GND

RSV

NC

*

-2-

W49V002FA

功能说明

接口模式选择和说明

此装置可以在两种接口模式下操作，一种是编程接口模式，另一种是

FWH接口模式。该装置的集成电路管脚提供两个接口之间的控制

模式。这些接口模式之前，需要从#RESET电或重返配置

.

当

IC引脚置为高电平状态时，设备将在编程模式;而IC引脚设置为低电平

状态（或阔叶无连接），这将是在FWH模式。在编程模式下，该器件只需

行为像传统的闪光灯部件与8根数据线。但该行和列地址的输入是

复用，它通过地址输入A [ 10 ： 0 ] 。对于FWH模式，它符合FWH

接口规范。通过FWH [3：0 ]与系统的芯片组进行通信。

读（写）模式

在编程界面模式下， W49V002FA的读（写）操作是由#OE控制

（ #WE ）。该#OE （ #WE ）保持低电平的主机获得（写）从（到）输出（输入）数据。 #OE

是输出控制，用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻

状态时#OE高。作为用于在FWH接口模式中，读或写操作是由"bit 0确定

&位周期开始1 ".请参考更多详细信息， FWH循环定义。

复位操作

该#RESET输入引脚可以在某些应用中使用。当#RESET脚处于高电平状态，器件

处于正常操作模式。当#RESET引脚为低电平状态时，它会停止装置，输出全部

处于高阻抗状态。作为高状态重新置位到#RESET销，设备将返回到

读或待机模式，这取决于所述控制信号。

芯片擦除操作

该芯片擦除模式可以通过一个6字节的命令序列来启动。该命令加载后

周期，器件进入内部芯片擦除模式，自动定时的会

在快150毫秒（典型值）完成。主机系统不需要提供任何控制或定时

在此操作。如果引导块编程锁定被激活时，仅在其他的数据

内存块将被删除，以FF （十六进制），而在引导块中的数据不会被删除（遗体

作为芯片擦除操作之前相同的状态）。对整个存储器阵列将被擦除到FF （十六进制）

通过芯片擦除操作，如果引导块编程锁定功能没有被激活。该装置

将自动返回到正常读模式的擦除操作完成之后。数据轮询和/或

翻转位可用于检测擦除周期的结束。

扇区擦除操作

这七个部门，一个引导块和两个参数的内存和四个主要模块，可擦除

分别通过启动一个6字节的命令序列。扇区地址被锁存下降#WE

缘第六周期的，而30 （十六进制）的数据输入命令被锁存于#WE的上升沿。

命令加载循环后，器件进入内部扇区擦除模式，这是

自动计时，将在快150毫秒（典型值）完成。不需要在主机系统

提供此操作过程中的任何控制或定时。该设备将自动返回到正常

擦除操作完成之后读取模式。数据轮询和/或翻转位可用于检测

擦除周期的结束。

-3-

出版日期： 2002年2月19日

A2版

W49V002FA

程序运行

该W49V002FA被编程在逐字节的基础。编程操作只能改变逻辑

数据"1"至逻辑数据"0."擦除操作，其中在主存储器改变整个数据和/或

引导块从"0"到"1" ，在编程之前需要。

由4个字节的指令周期启动的程序运行（参见命令代码字节

编程）。该装置将内部的针对字节后，立即进入程序操作

程序命令的输入。内部程序计时器会自动超时（ 100

S

最大。 -

T

BP

）一旦完成，然后返回到正常读模式。数据轮询和/或切换位可

用于检测程序循环的结束。

引导块操作和硬件保护的初始#TBL & #WP

有两种选择来设置引导块。一个是软件命令序列的方法;该

另一种是硬件方式。 16K字节在该装置的顶部的位置可以被锁定为引导块，

它可以被用于存储引导代码。它位于最后一个16K字节的存储器的同

地址范围从3C000 （十六进制）到3FFFF （十六进制）。

请参阅命令代码为引导块锁定启用的特定代码。一旦此功能

集，用于指定块的数据不能被擦除或编程（编程锁定），其他

存储单元可以通过常规的编程方法来改变。

除了软件的方法，有一种硬件方法来保护顶端的引导块和其他

部门。在编程/擦除此设备，设置#TBL脚低的状态，然后在顶部引导块

将不被编程/擦除。当启用硬件顶部引导块， #TBL为低状态时，它会

重写软件的方法设置。也就是说，如果#TBL处于低状态，然后顶引导块不能

编程/擦除不管软件如何引导块锁定设置。

另一脚， #WP ，将保护整个芯片，如果这个引脚设置为低电平状态编程/擦除之前。该

启用此引脚将覆盖#TBL设置。即，顶部引导块不能

编程/如果此引脚设置为低电平无论擦除如何#TBL或软件引导块锁定设置。

硬件数据保护

存储在W49V002FA的数据的完整性也是硬件以下列方式保护：

（ 1 ）噪声/毛刺保护：小于15 ns的时间一#WE脉冲不会启动写周期。

(2) V

DD

上电/掉电检测：编程和读操作被禁止时， V

DD

is

低于1.5V的典型。

（ 3 ）写禁止模式：强制#OE低或#WE高会抑制写操作。这可以防止

在上电或掉电期间的意外写操作。

(4) V

DD

上电延时：当V

DD

已经达到了层次感，设备会自动超时5

任何写（擦除/编程）操作前毫秒。

数据轮询（ DQ

7

） - 写状态检测

该W49V002FA包括数据查询功能，以指示一个节目的结束或擦除周期。

当W49V002FA是在内部编程或擦除周期，任何试图读取DQ

7

的最后的

字节加载将获得的真实数据的补码。一旦编程或擦除周期

完成后， DQ

7

会显示出真实的数据。需要注意的是DQ

7

将在擦除周期中表现出的逻辑"0" ，并

当擦除周期已经完成，就变成逻辑"1"或真实数据。

-4-

W49V002FA

切换位（ DQ

6

） - 写状态检测

除了数据轮询， W49V002FA提供了另一种方法，用于确定所述端

项目周期。在内部编程或擦除周期，任何尝试连续读取DQ

6

将

产生交替的0和1的。当程序或擦除周期完成时，这之间来回切换

0和1的停止。该设备然后准备进行下一次操作。

通用输入寄存器

该寄存器读取FGPI [ 4 ： 0 ]上W49V002FA.This引脚是一个传递寄存器，它可以

经由存储器地址FFBC0100 （十六进制）读取。因为它是直通寄存器，没有缺省值。

位

7

5

4

3

2

1

0

功能

阅读FGPI4引脚状态

阅读FGPI3引脚状态

阅读FGPI2引脚状态

阅读FGPI1引脚状态

阅读FGPI0引脚状态

产品标识

产品ID的操作输出的制造商代码和设备代码。编程设备

自动匹配的设备，其正确的擦除和编程算法。

的制造商，设备代码可以通过软件操作来访问。在软件访问

模式中，一个六字节（或JEDEC的3字节）指令序列可以被用来访问该产品的ID为

编程接口模式。从地址0000 （十六进制）的读取输出制造商代码， DA （十六进制）。

从地址0001 （十六进制）的读取输出设备代码， 32 （十六进制） “。该产品ID操作即可

用三字节的命令序列或候补1字节的命令序列结束（见

命令定义表）。

至于FWH接口模式，从FFBC ， 0000 （十六进制），可输出的制造商代码读出，

DA （十六进制）。从FFBC读， 0001 （十六进制），可输出的设备代码32 （十六进制）。

TABLE操作模式

经营模式选择 - 编程器模式

(V

HH

= 12V

±

5%)

模式

引脚

#OE

读

写

待机

写禁止

输出禁用

V

IL

V

IH

X

V

IL

X

V

IH

#WE

V

IH

V

IL

X

V

IH

X

#reset

V

IH

V

IH

V

IL

V

IH

V

IH

V

IH

地址

艾因

X

DOUT

DIN

高Z

DQ 。

高Z / DOUT

高Z

-5-

出版日期： 2002年2月19日

A2版