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怀特电子设计
WS128K32-XG2TXE
高级*
128Kx32 SRAM多芯片封装,辐射TOLLERANT
特点
35访问时间, 45 , 55ns
包装
68领先, 22.4毫米CQFP ( G2T ) , 4.57毫米( 0.180 & QUOT ; )
( 509包)
组织为128Kx32 ;用户刀豆网络可配置为
256Kx16或512Kx8
低功耗数据保持
商用,工业和军用温度
范围
5V电源
低功耗CMOS
*本产品正在开发中,是不是对外贸易资质网络编辑或特点,并须
更改或取消,恕不另行通知。
TTL兼容的输入和输出
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行
重量
WS128K32 - XG2TXE - 8克典型
耐辐射对芯片外延层。
6T的存储单元提供卓越的保护
针对软错误
图1 - 引脚配置WS128K32N , XG2TXE
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
3
#
GND
CS
4
#
WE
1
#
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I / O
0-31
A
0-16
WE
1-4
#
CS
1-4
#
OE #
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
没有连接
9 8 7 6 5 4
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
白68引G2T CQFP网络LLS
相同的网络连接吨和功能与
JEDEC 68领先CQFJ或68 PLCC 。
但G2T有TCE和铅
检查优势CQFP的
形式。
OE #
A
0-16
框图
WE
1
CS #
1
#
WE
2
CS #
2
#
WE
3
CS #
3
#
WE
4
CS #
4
#
V
CC
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CS
1
#
OE #
CS
2
#
NC
WE
2
#
WE
3
#
WE
4
#
NC
NC
NC
128K ×8
128K ×8
128K ×8
128K ×8
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
2000年12月
第0版
1
怀特电子设计公司 ( 602 ) 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-55
-65
-0.5
-0.5
最大
+125
+150
V
CC
+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
CS #
H
L
L
L
OE #
X
L
X
H
WE#
X
H
L
H
WS128K32-XG2TXE
先进
真值表
模式
待机
输出禁用
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
Opertating温度。 ( MIL )
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
4.5
2.2
-0.3
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
电容
T
A
= +25°C
参数
OE #电容
WE
1-4
#电容
CQFP G2T
CS
1-4
#电容
数据# I / O容量
地址输入电容
符号
条件
C
OE
V
IN
= 0V , F = 1.0 MHz的
C
WE
V
IN
= 0V , F = 1.0 MHz的
C
CS
C
I / O
C
AD
最大单位
50 pF的
pF
20
V
IN
= 0V , F = 1.0 MHz的20 pF的
V
I / O
= 0V , F = 1.0 MHz的20 pF的
V
IN
= 0V , F = 1.0 MHz的50 pF的
辐射特性
总剂量
(TM1019.5)
实用
( Krads )
30
参数
( Krads )
30
闭锁
25°C
V
CC
最大
此参数由设计保证,但未经测试。
SEU LET
门槛
(V
CC
分)
部分
/位
( E-6平方厘米)
典型Iccsb (毫安
)
(兆电子伏/毫克/厘米2 )(兆电子伏特/毫克/厘米2 )
1.2
>100
2
0.2
DC特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V , -55°C
T
A
+125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出低电压
输出高电压
注: DC测试条件: V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
V
OL
V
OH
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS # = V
IH
, OE # = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS # = V
IL
, OE # = V
IH
中,f = 5MHz时,V
CC
= 5.5
CS # = V
IH
, OE # = V
IH
中,f = 5MHz时,V
CC
= 5.5
I
OL
= 8毫安,V
CC
= 4.5
I
OH
= -40mA ,V
CC
= 4.5
最大
10
10
520
8
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
2.4
数据保持特性
-55°C
T
A
+125°C
特征
数据保持电压
数据保持静态电流
芯片禁用到数据保留时间( 1 )
手术恢复时间( 1 )
注:参数保证,但未经测试。
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第0版
2
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符号
V
CC
I
CCDR
T
CDR
T
R
条件
V
CC
= 2.0V
CS = V
CC
-0.2V
V
IN
≥ V
CC
-0.2V
或V
IN
≤ 0.2V
2
0
T
RC
最大
1
单位
V
mA
ns
ns
怀特电子设计
AC特性
V
CC
= 5.0V , GND = 0V , -55°C
T
A
+125°C
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
符号
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
35
3
35
15
3
0
20
12
3
0
20
15
-35
最大
35
3
45
20
45
-45
最大
45
WS128K32-XG2TXE
先进
-55
55
3
55
30
3
0
20
20
最大
55
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证,但未经测试。
AC特性
V
CC
= 5.0V , GND = 0V , -55°C
T
A
+125°C
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
35
25
25
20
25
0
0
0
0
-35
最大
45
35
35
25
35
0
0
0
0
-45
最大
55
45
45
25
45
0
0
0
0
-55
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
10
15
20
1.此参数由设计保证,但未经测试。
图2 - AC测试电路
AC测试条件
I
OL
电流源
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
1.5V
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
(双极性电源供电)
I
OH
电流源
注意事项:
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
&放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
&放大器;我
OH
被调整,以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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怀特电子设计
WS128K32-XG2TXE
先进
图3 - 时序波形 - 读周期
CS #
OE #
读周期1 ( CS # = OE # = V
IL
, WE# = V
IH
)
读周期2 ( WE# = V
IH
)
图4 - 写周期 - WE#控制
CS #
WE#
写周期1 , WE #控制
图5 - 写周期 - CS #控制
WS32K32-XHX
CS #
WE#
写周期2 , CS #控制
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WS128K32-XG2TXE
先进
套餐510 : 68领先,陶瓷四方扁平封装, CQFP ( G2T )
25.15 ( 0.990 )± 0.26 ( 0.010 ) SQ
22.36 ( 0.880 )± 0.26 ( 0.010 ) SQ
4.57 ( 0.180 ) MAX
0.27 (0.011) ± 0.04 (0.002)
销1
0.25 ( 0.010 ), REF
24.03 (0.946)
± 0.26 (0.010)
1° / 7°
1.0 (0.040)
± 0.127 (0.005)
R 0.25
(0.010)
0.19 (0.007)
± 0.06 (0.002)
23.87
( 0.940 ), REF
细节A
1.27
(0.050)
典型值
具体请参阅"A"
0.38 (0.015) ± 0.05 (0.002)
20.3 ( 0.800 ), REF
白68引G2T CQFP
科幻LLS相同的网络连接T和功能
作为JEDEC 68领先CQFJ
或68 PLCC 。但G2T有
传统文化表现形式和铅的检查
优势CQFP形式。
0.940"
典型值
所有的线性尺寸为毫米,顺便为英寸
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    WS128K32N-45G2TCE
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