初步W24L11
128K
×
8 CMOS静态RAM
概述
该W24L11是正常速度，极低的功耗CMOS静态RAM组织为131072
×
8比特
工作在宽电压范围从3.0V至3.6V电源供电。这个装置是用制造
华邦的高性能CMOS技术。
特点
低功耗：
主动： 144毫瓦（最大）
访问时间： 70纳秒
单3.3V电源
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
备用电池操作能力
数据保持电压： 2V （分钟）
包装在600万DIP ， 450万SOP ，
标准型之一， TSOP （ 8毫米
×
20 mm) ,
小户型之一， TSOP （ 8毫米
×
13.4 mm)
销刀豆网络gurations
框图
预充电CKT 。
A16
A14
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
A4
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
WE
CS1
OE
A13
A1 A0
A10
A9
I/O1
:
A7
A6
A3
引脚说明
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
WE
CS2
A15
V
DD
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
I/O8
符号
A0A16
I/O1I/O8
CS1，CS2
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
32-pin
V
SS
-1-
出版日期： 1999年10月
修订版A1
初步W24L11
真值表
CS1
H
X
L
L
L
CS2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
模式
未选择
未选择
输出禁用
读
写
I/O1I/O8
高Z
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
DD
当前
I
SB
, I
SB1
I
SB
, I
SB1
I
DD
I
DD
I
DD
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
SS
潜力
输入/输出到V
SS
潜力
允许功耗
储存温度
工作温度
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
1.0
-65到+150
0到70
单位
V
V
W
°C
°C
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响
装置。
工作特性
(V
DD
= 3.0V至3.6V ; V
SS
= 0V ;牛逼
A
（℃） = 0 70）
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
测试条件
-
-
V
IN
= V
SS
到V
DD
VI / O = V
SS
到V
DD
,
CS1
= V
IH
（分）或
CS2 = V
IL
（最大值）或
OE = V
IH
（分）或
WE
= V
IL
（ MAX 。 ）
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
CS1 = V
IL
（最大）和
CS2 = V
IH
（分钟） ， I / O = 0 mA时，
周期=分钟。占空比= 100 ％
分钟。
-0.5
+2.0
-1
-1
马克斯。
+0.6
V
DD
+0.5
+1
+1
单位
V
V
A
A
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
V
OL
V
OH
I
DD
-
2.2
-
0.4
-
40
V
V
mA
-2-
QQ：2881677436 复制
