1021BV33
WCFS1016V1C
64K ×16静态RAM
特点
3.3V工作电压（ 3.0V - 3.6V ）
高速
—
t
AA
= 12 ns的
CMOS的最佳速度/功耗
取消时自动断电
高位和低位的独立控制
提供400万SOJ
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）低，
再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16.
见
在此数据表的背面为一个完整的descrip-真值表
化的读写模式。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
当设备被取消高阻抗状态
（ CE HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和
BLE被禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或在写入操作
化（ CE低， WE LOW ） 。
该WCFS1016V1C是400密耳宽SOJ packag-可用
ES 。
功能说明
该WCFS1016V1C是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为65,536字。该器件具有一个非盟
tomatic掉电功能，可显著降低功耗
食用时取消。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
逻辑框图
数据驱动因素
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
V
SS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
I / O
1
- I / O
8
I / O
9
- I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A5
A6
A7
OE
BHE
BLE
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
V
SS
V
CC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
NC
行解码器
选购指南
WCFS1016V1C-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
12
150
5
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
检测放大器
修订后的2002年4月19日
WCFS1016V1C
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
...................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
V
CC
3.3V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
测试条件
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[1]
输入负载
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前
-TTL输入
自动CE
掉电
当前
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
,
CE > V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
f=0
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–1
WCFS1016V1C为12ns
分钟。
2.4
马克斯。
单位
V
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+1
+1
150
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
40
mA
I
SB2
5
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
第2 9
WCFS1016V1C
开关特性
[4]
在整个工作范围
WCFS1016V1C为12ns
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[7]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[5, 6]
字节使能，以结束写的
8
12
9
8
0
0
8
6
0
3
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[5, 6]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
0
6
0
12
6
3
6
0
6
3
12
6
12
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
t
CDR[9]
t
R[10]
描述
V
CC
数据保留
芯片取消到数据保留时间V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
手术恢复时间
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
[8]
分钟。
2.0
0
t
RC
马克斯。
单位
V
ns
ns
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE低电平， WE LOW和BHE / BLE低的重叠限定。 CE， WE和BHE / BLE必须低到开始写，
这些信号的转换可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考终止写入的信号的前沿。
8.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
10. t
r
＆ LT ; 3纳秒为-12和-15速度。吨
r
< 5纳秒为-20和较慢的速度。
第4页第9
WCFS1016V1C
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ;
2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
地址
[12, 13]
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
IISB
SB
IICC
CC
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
11.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
12.我们是高读周期。
13.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
第5 9
1021BV33
WCFS1016V1C
64K ×16静态RAM
特点
3.3V工作电压（ 3.0V - 3.6V ）
高速
—
t
AA
= 12 ns的
CMOS的最佳速度/功耗
取消时自动断电
高位和低位的独立控制
提供400万SOJ
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）低，
再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16.
见
在此数据表的背面为一个完整的descrip-真值表
化的读写模式。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
当设备被取消高阻抗状态
（ CE HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和
BLE被禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或在写入操作
化（ CE低， WE LOW ） 。
该WCFS1016V1C是400密耳宽SOJ packag-可用
ES 。
功能说明
该WCFS1016V1C是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为65,536字。该器件具有一个非盟
tomatic掉电功能，可显著降低功耗
食用时取消。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
逻辑框图
数据驱动因素
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
V
SS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
I / O
1
- I / O
8
I / O
9
- I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A5
A6
A7
OE
BHE
BLE
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
V
SS
V
CC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
NC
行解码器
选购指南
WCFS1016V1C-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
12
150
5
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
检测放大器
修订后的2002年4月19日
WCFS1016V1C
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
...................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
V
CC
3.3V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
测试条件
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[1]
输入负载
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前
-TTL输入
自动CE
掉电
当前
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
,
CE > V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
f=0
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–1
WCFS1016V1C为12ns
分钟。
2.4
马克斯。
单位
V
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+1
+1
150
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
40
mA
I
SB2
5
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
第2 9
WCFS1016V1C
开关特性
[4]
在整个工作范围
WCFS1016V1C为12ns
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[7]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[5, 6]
字节使能，以结束写的
8
12
9
8
0
0
8
6
0
3
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[5, 6]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
0
6
0
12
6
3
6
0
6
3
12
6
12
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
t
CDR[9]
t
R[10]
描述
V
CC
数据保留
芯片取消到数据保留时间V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
手术恢复时间
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
[8]
分钟。
2.0
0
t
RC
马克斯。
单位
V
ns
ns
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE低电平， WE LOW和BHE / BLE低的重叠限定。 CE， WE和BHE / BLE必须低到开始写，
这些信号的转换可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考终止写入的信号的前沿。
8.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
10. t
r
＆ LT ; 3纳秒为-12和-15速度。吨
r
< 5纳秒为-20和较慢的速度。
第4页第9
WCFS1016V1C
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ;
2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
地址
[12, 13]
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
IISB
SB
IICC
CC
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
11.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
12.我们是高读周期。
13.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
第5 9
QQ：2880707522 复制
