【智慧半导体WFP640N沟道MOSFET特点■■■■■RDS （ ON）（最大0.18)@VGS=1】,IC型号WFP640,WFP640 PDF资料,WFP640经销商,ic,电子元器件-51电子网

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智慧

半导体

WFP640

N沟道MOSFET

特点

■

■

■

■

■

R

DS （ ON）

（最大0.18

)@V

GS

=10V

栅极电荷（典型值45nC ）

改进的dv / dt能力，高耐用性

100％的雪崩测试

最高结温范围（ 150 ° C）

符号

●

2.漏

1.门

●

●

▲

3.源

概述

这是功率MOSFET采用智慧先进的生产

平面条形， DMOS技术。这一最新技术已

尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的

坚固耐用的雪崩特性。这些器件非常适合

高效率开关DC / DC转换器，开关模式电源

电源，DC -AC转换器uninterruped电源，电机

控制权。

TO-220

1 2

3

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GS

E

AS

E

AR

dv / dt的

P

D

T

英镑，

T

J

T

L

漏源极电压

连续漏电流（ @T

C

= 25

°C)

连续漏电流（ @T

C

= 100

°C)

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @T

C

= 25 °C)

高于25 ℃的降额因子

工作结温&储藏温度

最大无铅焊接温度的目的，

1/8案件从5秒。

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

（注1 ）

参数

价值

200

18

11.4

72

单位

V

A

A

A

V

mJ

mJ

V / ns的

W

W / ℃，

°C

°C

±

25

250

13.9

5.5

139

1.11

- 55 ~ 150

300

热特性

符号

R

θJC

R

θCS

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热电阻，案件水槽

热阻，结到环境

价值

分钟。

-

-

-

典型值。

-

0.5

-

马克斯。

0.90

-

62.5

单位

° C / W

° C / W

° C / W

电气特性

符号

参数

T

C

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

A

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 200 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 160 V，T

C

= 125°C

V

GS

= 25 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= -25 V, V

DS

= 0 V

200

--

--

--

--

--

--

0.20

--

--

--

--

--

--

1

10

100

-100

V

V /°C的

A

A

nA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

正向跨导

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

A

V

GS

= 10 V，I

D

= 9.0 A

V

DS

= 40 V，I

D

= 9.0 A

（注4 ）

2.0

--

--

--

0.155

13

4.0

0.18

--

V

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

--

--

--

1130

225

80

1470

290

105

pF

pF

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DS

= 160 V，I

D

= 18A,

V

GS

= 10 V

（注4,5）

V

DD

= 100 V，I

D

= 18 A,

R

G

= 25

（注4,5）

--

--

--

--

--

--

--

21

180

110

100

45

8

22

55

370

230

210

58

--

--

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

V

GS

= 0 V，I

S

= 18 A

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 18 A,

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

（注4 ）

--

--

--

--

--

--

--

--

160

0.79

18

72

1.5

--

--

A

A

V

ns

C

注意事项：

1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 1.16mH ，我

AS

= 18A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25

,

起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

≤

图18A中， di / dt的

≤

300μA / S，V

DD

≤

BV

DSS ，

起始物为

J

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

5.基本上是独立工作温度

典型特征

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

10

1

V

GS

15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

5.5 V

底部： 5.0 V

上图：

10

1

150 C

10

0

o

10

0

25 C

-55 C

o

o

※

注意事项：

1. 250μs的脉冲测试

2. T

C

= 25

℃

※

注意事项：

1. V

DS

= 40V

2. 250μ s脉冲测试

10

-1

10

-1

10

0

10

1

10

-1

2

4

6

8

10

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图1.区域特征

图2.传输特性

1.0

R

DS （ ON）

[ ],

漏源导通电阻

V

GS

= 10V

V

GS

= 20V

I

DR

，反向漏电流[ A]

0.8

10

1

0.6

0.4

10

0

0.2

※

注：t

J

= 25

℃

150

℃

25

℃

※

注意事项：

1. V

GS

= 0V

2. 250μs的脉冲测试

0.0

0

10

20

30

40

50

60

10

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图3.导通电阻变化VS

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

2500

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

12

2000

V

GS

，栅源电压[V]

10

V

DS

= 40V

V

DS

= 100V

V

DS

= 160V

电容[ pF的]

C

国际空间站

1500

8

6

1000

C

OSS

※

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

4

500

C

RSS

2

※

注：我

D

= 18 A

0

-1

10

0

10

0

10

1

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

图5.电容特性

图6.栅极电荷特性

典型特征

（续）

1.2

3.0

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

1.1

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

2.5

2.0

1.0

1.5

1.0

0.9

※

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250 A

0.5

※

注意事项：

1. V

GS

= 10 V

2. I

D

= 9.0 A

0.8

-100

-50

0

50

100

o

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

o

150

200

T

J

，结温[C]

T

J

，结温[C]

图7.击穿电压变化

与温度

图8.导通电阻变化

与温度

20

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

10

2

16

I

D

，漏电流[ A]

1毫秒

10

1

I

D

，漏电流[ A]

100

s

10毫秒

DC

12

8

10

0

※

注意事项：

o

1. T

C

= 25 C

o

2. T

J

= 150 C

3.单脉冲

4

10

-1

10

0

10

1

10

2

0

25

50

75

100

125

150

V

DS

，漏源电压[V]

T

C

，外壳温度[

℃

]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

VS外壳温度

10

0

Z

θ

JC

（T ），热响应

D = 0 .5

0 .2

10

-1

0 .1

0 .0 5

0 .0 2

0 .0 1

S IN克乐P ü LS ê

※

N 2 O TE S：

1 . Z

θ

J·C

(t) = 0 .9

℃

/ W M A X 。

2 。 ü TY F A C到R，D = T

1

/t

2

3 . T

J·M

- T

C

= P

D M

* Z

θ

J·C

(t)

P

DM

t

1

t

2

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

t

1

，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]

图11.瞬态热响应曲线

栅极电荷测试电路波形&

5K

0

Ω

1V

2

20F

0n

30F

0n

SM Tp的

A E咋

一个DT

的SuI

V

S

D

V

S

G

1V

0

Q

g

s

Q

g

V

S

G

Q

g

d

DT

U

3A

m

CAG

HR ê

电阻开关测试电路波形&

V

D

S

R

G

V

G

S

R

L

V

D

D

V

D

S

9

0

%

1

0

V

D

U

T

V

G

S

1

0

%

t

(n

d)

o

t

r

t

n

o

t

(f)

df

o

t

f

o

f

t

f

非钳位感应开关测试电路波形&

L

V

D

S

I

D

R

G

1

0

V

t

p

B

S

V

S

D

1

-- L

S

----------

-- I

2

----------

E=

A

S

2

A

B

S

-V

V

S.D。

D

D

B

S

V

S

D

I

S

A

V

D

D

I ()

t

D

V

D

D

t

p

D

U

T

V ()

D

t

S

Te

i

m

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