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W42C31-09
扩展频谱频率时序发生器
特点
采用Cypress的传播最大化EMI抑制
频谱技术
生成提供了一个扩展频谱副本
输入
集成的环路滤波器元件
采用3.3V或5V电源供电
低功耗CMOS设计
提供8引脚SOIC (小外形综合
电路)
通过越来越难的EMI测试,而不诉诸
昂贵的屏蔽或重新设计。
在一个系统中,不仅是EMI的降低,在各种时钟线
而且在所有的信号,这些信号的时钟同步。
因此,采用这种技术的增加与所带来的好处
在系统中的地址线和数据线的数目。该SIM-
plified框图显示了一个简单的实现。
表1.频率扩展选
W42C31-09
FS1
0
0
1
1
FS0
0
1
0
1
输入频率
(兆赫)
30至55
30至55
30至55
30至55
输出频率
(兆赫)
f
IN
±0.625%
f
IN
±1.25%
f
IN
±2.5%
f
IN
–3.75%
概观
该W42C31-09集成锁相环的最新进展
扩展频谱频率合成技术。通过频
昆西调制的输出与低频率载波,
电磁干扰会大大减少。利用这种技术可以让系统
简化的框图
引脚配置
VDD
CLKIN
NC
GND
FS1
1
2
3
4
SOIC
W42C31-09
8
7
6
5
SSON #
CLKOUT
FS0
VDD
振荡器或参考
输入
W42C31-09
扩频
产量
(电磁干扰抑制)
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2000年1月25日,修订版。 * B
W42C31-09
引脚德网络nitions
引脚名称
CLKOUT
CLKIN
NC
SSON #
FS0 : 1
VDD
GND
PIN号
7
1
2
8
6, 4
5
3
TYPE
O
I
I
I
I
P
G
引脚说明
输出调制频率:
未调制输入调频副本
时钟。
外部参考频率输入
无连接:
该引脚必须悬空。
扩频控制(低电平有效) :
拉动该输入信号为低电平将在
内部调制波形上。该引脚具有内部下拉电阻。
频率选择位0 :
这些引脚选择的频率扩展
的特点。请参阅
表1中。
这些引脚具有内部上拉电阻。
电源连接:
连接到3.3V或5V电源供电。
接地连接:
这应该被连接到公共的地平面。
频率选择用SSFTG
在扩展频谱频率时序发生, EMI重
duction取决于形状,调制率,以及
频率调制波形。而形状和
调制波的频率是固定的,所述调制
灰百分比可以变化。
使用频率选择位( FS1 : 0引脚) ,各种传播
百分比可以被选择(见
表1)。
一个更大的传播比例提高降低EMI 。然而
以往,大价差百分比既可以超过系统
最大频率的评分或降低平均频率来
一个地步,性能会受到影响。由于这些原因,
在± 0.5%和±2.5%的扩展百分比都是最
常见的。
该W42C31特点,从不同的传播选择的能力
频谱特性。具体到选择
W42C31-09示于
表1中。
其他传播character-
istics可供选择(参见单独的数据表),也可以中被创建
ated与定制面具。另外,在W42C31其他设备
除了传播家庭提供倍频
频谱功能。这将允许使用较便宜的
基本模式晶体。
功能说明
该W42C31-09采用锁相环(PLL)的频率
调制的输入时钟。其结果是一个输出时钟,其
频率缓慢扫过窄带靠近输入
信号。基本电路拓扑结构示于
图1 。
输入参考信号由Q分离,输入到相位
探测器。来自VCO的信号被除以P和反馈
到相位检测器也。该PLL将迫使频率
VCO的输出信号发生改变,直到分割输出信号
和在相位检测器的划分基准信号匹配
输入。输出频率则等于P / Q的比值
倍基准频率。 (注:对于W42C31-09的
输出频率等于输入频率。 )独特的
扩展频谱频率时序发生器的功能
的是,一个调制波被叠加在输入到
压控振荡器。这使得VCO输出被慢慢地扫过
跨越一个预定的频带。
由于调制频率通常为1000倍
比基本时钟速度较慢,扩频亲
塞斯对系统性能的影响不大。
VDD
时钟输入
频率。
分频器
Q
探测器
收费
参考输入
Σ
VCO
POST
分频器
CLKOUT
(电磁干扰抑制)
调制
波形
反馈
分频器
P
PLL
GND
图1.系统框图(概念,而不是实际执行)
2
W42C31-09
扩展频谱频率时序
GENERATION
采用扩频频率定时的好处
一代描绘
图2中。
的EMI辐射个人资料
的时钟谐波被示出。
相比之下,典型的时钟EMI与赛普拉斯蔓延光谱
TRUM频率时序产生EMI 。请注意,在秒杀
典型的时钟。这秒杀可以使系统无法准峰值
EMI测试。美国联邦通信委员会和其他监管机构的测试
峰值。与扩频启用,峰值包
ERGY低很多(至少8 dB为单位) ,因为能量是
分散在更宽的带宽。
调制波形
调制波形的形状是为EMI reduc-临界
化。的调制方案用于实现马克西
妈妈减少EMI的示于
网络连接gure 3 。
的时期
调制被示为周期长度的百分比
沿X轴。该频率被改变的量为
沿Y轴示出,还示出了作为的百分比
总的频率传播。
赛普拉斯的频率选择表表示调制
百分比两种方式。第一种方法中显示的电子数
荷兰国际集团频带作为编程平均值的百分比
输出频率,对称于编程的平均
频率。此方法使用表达式总是显示
f
中心
±
X
MOD
%在扩频选择表。
第二种方法是指定的最大工作
频率和扩频频带作为本国语的百分比
昆西。输出信号是从所述的下部边缘扫
频带的最大频率。对于这种方表达
proach为f
最大
X
MOD
% 。每当这个表达式时,
赛普拉斯已经采取谨慎措施,确保了f
最大
永远不会EX-
超过容许。这是在应用中重要的时钟
驱动严密最高主频规格的组件
系统蒸发散。
SSON #引脚
内部下拉电阻默认将芯片插入蔓延
频谱模式。该SSON #引脚使传播为特色的
TURE时,设置为低。该SSON #引脚禁止传播
设置为高电平时功能(V
DD
).
5分贝/ DIV
降低EMI
S S小FT摹
典型的iCal C罗CK
振幅(分贝)
传播
SPECTRUM
启用
传播
SPECTRUM
-S S %
F REQ UEN CY S·P的(M赫兹)
+SS%
图2.典型的时钟和SSFTG比较
100%
80%
60%
40%
20%
0%
–20%
–40%
–60%
–80%
–100%
频移
10%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
90%
100%
10%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
90%
时间
图3.调制波形简介
3
100%
W42C31-09
绝对最大额定值
应力大于本表所列可能导致人员
永久性损坏设备。这些代表一个压力等级
只。该器件在这些或任何其他条件的操作
参数
V
DD
, V
IN
T
英镑
T
A
T
B
P
D
描述
任一引脚电压相对于GND
储存温度
工作温度
在偏置环境温度
功耗
上面这个特定的操作区域的特定网络版Fi的
阳离子是不是暗示。延长近郊最大的条件
消耗臭氧层物质会影响其可靠性。
等级
-0.5到+7.0
-65到+150
0至+70
-55到+125
0.5
单位
V
°C
°C
°C
W
直流电气特性:
0° ℃下牛逼
A
& LT ; 70℃ ,V
DD
= 3.3V ±10%
参数
I
DD
t
ON
V
IL
(逻辑输入)
V
IL
( CLKIN )
V
IH
(逻辑输入)
V
IH
( CLKIN )
V
OL
V
OH
I
IL
I
IH
I
OL
I
OH
C
I
C
I
R
P
Z
OUT
描述
电源电流
电时间
输入低电压
输入低电压
输入高电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输入低电平电流
输入高电流
输出低电流
输出高电流
输入电容
输入电容
输入上拉电阻
时钟输出阻抗
I
OL
= 21.6毫安
[1]
I
OH
= 31.5毫安
[1]
注2
注2
@ 0.4V, V
DD
= 3.3V
@ 2.4V, V
DD
= 3.3V
除了CLKIN所有引脚
只有CLKIN引脚
6
500
25
15
15
7
10
2.5
–100
10
2.4
2.8
0.4
首先锁定时钟周期之后
电源良好
测试条件
典型值
18
最大
32
5
0.8
.4
单位
mA
ms
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
pF
pF
k
注意事项:
1.输出驱动程序是完整的CMOS 。
2.输入FS1 : 0有一个上拉电阻,输入SSON #有一个下拉电阻。
4
W42C31-09
直流电气特性:
0° ℃下牛逼
A
& LT ; 70℃ ,V
DD
= 5V ±10%
参数
I
DD
t
ON
V
IL
(逻辑输入)
V
IL
( CLKIN )
V
IH
(逻辑输入)
V
IH
( CLKIN )
V
OL
V
OH
I
IL
I
IH
I
OL
I
OH
C
I
C
I
R
P
Z
OUT
描述
电源电流
电时间
输入低电压
输入低电压
输入高电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输入低电平电流
输入高电流
输出低电流
输出高电流
输入电容
输入电容
输入上拉电阻
时钟输出阻抗
I
OL
= 25.7毫安
I
OH
= 118.mA
注2
注2
@ 0.4V, V
DD
= 5V
@ 2.4V, V
DD
= 5V
除了CLKIN所有引脚
只有CLKIN引脚
6
500
25
24
24
7
10
2.5
–100
10
0.7V
DD
4.2
0.4
首先锁定时钟周期之后
电源良好
测试条件
典型值
30
最大
45
5
0.15V
DD
0.4
单位
mA
ms
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
pF
pF
k
AC电气特性:
T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C,V
DD
= 3.3V±10%
符号
f
IN
f
OUT
t
R
t
F
t
OD
t
ID
t
JCYC
参数
输入频率
输出频率
输出上升时间
输出下降时间
输出占空比
输入占空比
抖动,周期到周期
谐波抑制
f
OUT
= 40 MHz时,三次谐波
测量,参考板,
15 pF负载
8
测试条件
输入时钟
传播关
V, 15 pF负载0.8 - 2.4
V, 15 pF负载2.4 - 0.8
15 pF负载
40
40
250
30
30
典型值
40
40
2
2
最大
55
55
5
5
60
60
300
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
%
%
ps
dB
AC电气特性:
T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C,V
DD
= 5V±10%
符号
f
IN
f
OUT
t
R
t
F
t
OD
t
ID
t
JCYC
参数
输入频率
输出频率
输出上升时间
输出下降时间
输出占空比
输入占空比
抖动,周期到周期
谐波抑制
f
OUT
= 40 MHz时,三次谐波
测量,参考板,
15 pF负载
8
测试条件
输入时钟
传播关
V, 15 pF负载0.8 - 2.4
V, 15 pF负载2.4 - 0.8
15 pF负载
40
40
250
30
30
典型值
40
40
2
2
最大
55
55
5
5
60
60
300
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
%
%
ps
dB
5
W42C31-06
扩展频谱频率时序发生器
特点
采用Cypress的传播最大化EMI抑制
频谱技术
生成输入的扩频3X副本
集成的环路滤波器元件
采用5V电源供电
低功耗CMOS设计
提供8引脚SOIC (小外形综合
电路)
通过越来越难的EMI测试,而不诉诸
昂贵的屏蔽或重新设计。
在一个系统中,不仅是EMI的降低,在各种时钟线
而且在所有的信号,这些信号的时钟同步。
因此,采用这种技术的增加与所带来的好处
在系统中的地址线和数据线的数目。该SIM-
plified框图显示了一个简单的实现。
表1.频率扩展选
W42C31-06
FS0
0
1
振荡器
输入
频率
(兆赫)
14至20
14至20
XTAL输入
频率
(兆赫)
14至20
14至20
产量
频率
(兆赫)
3f
IN
±0.75%
3f
IN
±1.25%
概观
该W42C31-06集成锁相环的最新进展
扩展频谱频率合成技术。通过频
昆西调制的输出与低频率载波,
电磁干扰会大大减少。利用这种技术可以让系统
简化的框图
5.0V
引脚配置
SOIC
X1
XTAL
输入
W42C31-06
X2
W42C31-06
扩频
产量
(电磁干扰抑制)
X1
X2
GND
FS0
1
2
3
4
8
7
6
5
SSON #
NC
VDD
CLKOUT
5.0V
振荡器或参考
输入
W42C31-06
扩频
产量
(电磁干扰抑制)
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1999年9月29日,修订版。 **
W42C31-06
引脚德网络nitions
引脚名称
CLKOUT
X1
PIN号
5
1
TYPE
O
I
引脚说明
输出调制频率:
未调制输入调频副本
时钟( 3乘数) 。
晶体连接或外部基准频率输入:
该引脚具有双重
功能。它可以或者可以连接到一个外部晶体或外部基准
时钟。
水晶连接:
如果使用外部基准时,该引脚必须悬空。
扩频(低电平有效) :
拉动该输入信号为高电平变为内部
调制波形了。该引脚具有内部下拉电阻。
频率选择位0 :
该引脚选择的频率扩展
的特点。请参阅
表1中。
该引脚具有内部上拉电阻。
无连接:
该引脚必须悬空。
电源连接:
连接到5V电源。
接地连接:
这应该被连接到公共的地平面。
频率选择用SSFTG
在扩展频谱频率时序发生, EMI重
duction取决于形状,调制率,以及
频率调制波形。而形状和
调制波的频率是固定的,所述调制
灰百分比可以变化。
使用频率选择位( FS0 ) ,扩频百分比
年龄可以被选择(见
表1)。
一个更大的传播比例提高降低EMI 。然而
以往,大价差百分比既可以超过系统
最大频率的评分或降低平均频率来
一个地步,性能会受到影响。由于这些原因,
在± 0.5%和±2.5%的扩展百分比都是最
常见的。
该W42C31特点,从不同的传播选择的能力
频谱特性。具体到选择
W42C31-06示于
表1中。
其他传播character-
istics可供选择(参见单独的数据表),也可以中被创建
ated与定制面具。
X2
SSON #
FS0
NC
VDD
GND
2
8
4
7
6
3
I
I
I
NC
P
G
功能说明
该W42C31-06采用锁相环(PLL)的频率
调制的输入时钟。其结果是一个输出时钟,其
频率缓慢扫过窄带靠近输入
信号。基本电路拓扑结构示于
图1 。
An
片上晶振驱动程序会使晶体振荡的乐趣
damental 。由此产生的参考信号是由Q分割
馈送到相位检测器。来自VCO的信号由分
P和反馈到相位检测器也。锁相环将迫使
VCO输出信号的频率来改变,直到
分割输出信号和所述分频参考信号匹配
在相位检测器的输入。输出频率则等于
为P / Q倍基准频率的比率。独特
扩频时钟发生器的特点是, MOD-
ulating波形叠加在输入到VCO 。
这使得VCO输出到横跨预慢慢扫
确定的频带。
由于调制频率通常为1000倍
比基本时钟速度较慢,扩频亲
塞斯对系统性能的影响不大。
V
DD
X1
XTAL
X2
频率。
分频器
Q
探测器
收费
CLKOUT
Σ
VCO
POST
分频器
调制
波形
晶体负载
电容器
根据需要
反馈
分频器
P
PLL
GND
图1.系统框图
2
W42C31-06
扩展频谱频率时序
GENERATION
采用扩频频率定时的好处
一代描绘
图2中。
的EMI辐射个人资料
的时钟谐波被示出。
5dB/div
SSFTG
典型的时钟
调制波形
调制波形的形状是为EMI reduc-临界
化。的调制方案用于实现马克西
妈妈减少EMI的示于
网络连接gure 3 。
的时期
调制被示为周期长度的百分比
沿X轴。该频率被改变的量为
沿Y轴示出,还示出了作为的百分比
总的频率传播。
赛普拉斯的频率选择表表示调制
百分比两种方式。第一种方法中显示的电子数
荷兰国际集团频带作为编程平均值的百分比
输出频率,对称于编程的平均
频率。此方法使用表达式总是显示
f
中心
±
X
MOD
%在扩频选择表。
第二种方法是指定的最大工作
频率和扩频频带作为本国语的百分比
昆西。输出信号是从所述的下部边缘扫
频带的最大频率。对于这种方表达
proach为f
最大
X
MOD
% 。每当这个表达式时,
赛普拉斯已经采取谨慎措施,确保了f
最大
永远不会EX-
超过容许。这是在应用中重要的时钟
驱动严密最高主频规格的组件
系统蒸发散。
振幅(分贝)
图2.典型的时钟和SSFTG比较
SSON #引脚
内部下拉电阻违约芯片进入传播
频谱模式。该SSON #引脚使传播为特色的
TURE时,设置为低。当禁用( SSON # HIGH )时,
W42C31-06简单地通过输入时钟传递。当中间人
荷兰国际集团低电平时,器件需要2毫秒重新跟踪蔓延algo-
rithm 。
90%
100%
10%
相比之下,典型的时钟EMI与赛普拉斯蔓延光谱
TRUM频率时序产生EMI 。请注意,在秒杀
典型的时钟。这秒杀可以使系统无法准峰值
EMI测试。美国联邦通信委员会和其他监管机构的测试
峰值。与扩频启用,峰值包
ERGY低很多(至少8 dB为单位) ,因为能量是
分散在更宽的带宽。
100%
80%
60%
40%
20%
0%
–20%
–40%
–60%
–80%
–100%
频移
10%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
90%
时间
图3.调制波形简介
3
100%
W42C31-06
绝对最大额定值
应力大于本表所列可能导致人员
永久性损坏设备。这些代表一个压力等级
只。该器件在这些或任何其他条件的操作
参数
V
DD
, V
IN
T
英镑
T
A
T
B
P
D
描述
任一引脚电压相对于GND
储存温度
工作温度
在偏置环境温度
功耗
上面这个特定的操作区域的特定网络版Fi的
阳离子是不是暗示。延长近郊最大的条件
消耗臭氧层物质会影响其可靠性。
等级
-0.5到+7.0
-65到+150
0至+70
-55到+125
0.5
单位
V
°C
°C
°C
W
直流电气特性:
0° ℃下牛逼
A
& LT ; 70℃ ,V
DD
= 5V ±10%
参数
I
DD
t
ON
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
IL
I
IH
I
OL
I
OH
C
I
C
L
R
P
Z
OUT
描述
电源电流
电时间
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输入低电平电流
输入高电流
输出低电流
输出高电流
输入电容
负载电容(看
通过XTAL )
输入上拉电阻
时钟输出阻抗
注1
注1
@ 0.4V, V
DD
= 5V
@ 2.4V, V
DD
= 5V
除了X1 , X2全部引脚
销,X1,X2
[2]
17
500
20
24
24
7
2.5
–100
10
0.7V
DD
0.4
首先锁定时钟周期之后
电源良好
测试条件
典型值
20
最大
40
5
0.15V
DD
单位
mA
ms
V
V
V
V
A
A
mA
mA
pF
pF
k
AC电气特性:
T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C,V
DD
= 5V±10%
参数
f
IN
f
OUT
t
R
t
F
t
OD
t
ID
t
JCYC
描述
输入频率
输出频率
输出上升时间
输出下降时间
输出占空比
输入占空比
抖动,周期到周期
谐波抑制
8
测试条件
输入时钟
传播关
V
DD
, 15 pF负载0.8-2.4
V
DD
, 15 pF负载2.4-0.8
15 pF负载
45
40
250
14
42
2
2
典型值
最大
20
60
5
5
55
60
300
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
%
%
ps
dB
注意事项:
1.输入FS0有一个上拉电阻;输入SSON #有一个下拉电阻。
2.引脚X1和X2都有一个34 pF的电容。当与XTAL使用的,两个电容器组合装入17 pF的晶体。如果驾驶X1用
基准时钟信号,负载电容将是34 pF的(典型值) 。
4
W42C31-06
应用信息
推荐的电路配置
为在系统中应用的功率的最佳性能
供应中所示的去耦方案
图4
应该被使用。
V
DD
去耦重要的是要既能减少相位抖动和
EMI辐射。该0.1 μF的去耦电容应
放在尽量靠近V
DD
销越好,否则在 -
有折痕的走线电感会否定它的去耦能力。
W42C31-06
如图10 μF的去耦电容应为钽
型。如需进一步EMI保护,在V
DD
连接可以是
通过铁氧体磁珠制成,如图所示。
6 pF的XTAL负载电容可以被用来提高英特
碎17 pF的电容高达20 pF的对总负载
水晶。
推荐电路板布局
图5
显示了建议2层电路板布局。
1
C1
6 pF的
XTAL1
8
7
6
5
R1
C3
0.1 F
V
DD
产量
2
GND
3
4
C2
6 pF的
5V系统电源
FB
C4
10 μF钽
图4.推荐的电路配置
C1, C2 =
XTAL负载电容(可选;使用
不要求操作)。
典型值为6 pF的。
高频电源去耦
电容( 0.1 μF推荐) 。
普通电源的低频
去耦电容( 10μF的钽电容
推荐使用) 。
匹配值到线路阻抗
铁氧体磁珠
威盛GND平面
可选保护环
晶振电路
C3 =
C4 =
G
C1
R1 =
FB
=
=
G
G
C2
XTAL1
C3
G
G
R1
时钟输出
G
C4
电源输入
(5V)
FB
G
图5.推荐电路板布局( 2层板)
订购信息
订购代码
W42C31
文件编号: 38-00800
频率。面膜
CODE
06
名字
G
套餐类型
8引脚塑封SOIC ( 150密耳)
5
W42C31-04
扩展频谱频率时序发生器
特点
采用Cypress的传播最大化EMI抑制
频谱技术
生成输入的扩频2.3X副本
集成的环路滤波器元件
采用5V电源供电
低功耗CMOS设计
提供8引脚SOIC (小外形综合
电路)
通过越来越难的EMI测试,而不诉诸
昂贵的屏蔽或重新设计。
在一个系统中,不仅是EMI的降低,在各种时钟线
而且在所有的信号,这些信号的时钟同步。
因此,采用这种技术的增加与所带来的好处
在系统中的地址线和数据线的数目。该SIM-
plified框图显示了一个简单的实现。
表1.频率扩展选
W42C31-04
FS0
0
1
振荡器
输入
频率
(兆赫)
20至30
20至30
XTAL输入
频率
(兆赫)
20至30
20至30
产量
频率
(兆赫)
2.3f
IN
±0.625%
2.3f
IN
±1.875%
概观
该W42C31-04集成锁相环的最新进展
扩展频谱频率合成技术。通过频
昆西调制的输出与低频率载波,
电磁干扰会大大减少。利用这种技术可以让系统
简化的框图
5.0V
引脚配置
SOIC
X1
XTAL
输入
W42C31-04
X2
W42C31-04
扩频
产量
(电磁干扰抑制)
X1
X2
GND
FS0
1
2
3
4
8
7
6
5
REFOUT
SSON #
VDD
CLKOUT
5.0V
振荡器或参考
输入
W42C31-04
扩频
产量
(电磁干扰抑制)
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1999年9月29日,修订版。 **
W42C31-04
引脚德网络nitions
引脚名称
CLKOUT
X1
PIN号
5
1
TYPE
O
I
引脚说明
输出调制频率:
未调制输入调频副本
时钟(的2.3002乘数) 。
晶体连接或外部基准频率输入:
该引脚具有双重
功能。它可以或者可以连接到一个外部晶体或外部基准
时钟。
水晶连接:
如果使用外部基准时,该引脚必须悬空。
参考输出:
参考输入的副本。
频率选择位0 :
该引脚选择的频率扩展特性
(参照
表1)。
该引脚具有内部上拉电阻。
扩频控制(低电平有效) :
拉动该输入信号高打开
内部调制波形了。该引脚具有内部上拉下来。
电源连接:
连接到5V电源。
接地连接:
这应该被连接到公共的地平面。
频率选择用SSFTG
在扩展频谱频率时序发生, EMI重
duction取决于形状,调制率,以及
频率调制波形。而形状和
调制波的频率是固定的,所述调制
灰百分比可以变化。
使用频率选择位( FS0 ) ,扩频百分比
年龄可以被选择(见
表1)。
一个更大的传播比例提高降低EMI 。然而
以往,大价差百分比既可以超过系统
最大频率的评分或降低平均频率来
一个地步,性能会受到影响。由于这些原因,
在± 0.5%和±2.5%的扩展百分比都是最
常见的。
该W42C31特点,从不同的传播选择的能力
频谱特性。具体到选择
W42C31-04示于
表1中。
其他传播character-
istics可供选择(参见单独的数据表),也可以中被创建
ated与定制面具。
V
DD
X2
REFOUT
FS0
SSON #
VDD
GND
2
8
4
7
6
3
I
I
I
I
P
G
功能说明
该W42C31-04采用锁相环(PLL)的频率
调制的输入时钟。其结果是一个输出时钟,其
频率缓慢扫过窄带靠近输入
信号。基本电路拓扑结构示于
图1 。
An
片上晶振驱动程序会使晶体振荡的乐趣
damental 。由此产生的参考信号是由Q分割
馈送到相位检测器。来自VCO的信号由分
P和反馈到相位检测器也。锁相环将迫使
VCO输出信号的频率来改变,直到
分割输出信号和所述分频参考信号匹配
在相位检测器的输入。输出频率则等于
为P / Q倍基准频率的比率。独特
扩频时钟发生器的特点是, MOD-
ulating波形叠加在输入到VCO 。
这使得VCO输出到横跨预慢慢扫
确定的频带。
由于调制频率通常为1000倍
比基本时钟速度较慢,扩频亲
塞斯对系统性能的影响不大。
X1
XTAL
X2
频率。
分频器
Q
探测器
收费
CLKOUT
Σ
VCO
POST
分频器
调制
波形
晶体负载
电容器
根据需要
反馈
分频器
P
PLL
GND
图1.系统框图
2
W42C31-04
扩展频谱频率时序
GENERATION
采用扩频频率定时的好处
一代描绘
图2中。
的EMI辐射个人资料
的时钟谐波被示出。
5dB/div
SSFTG
典型的时钟
调制波形
调制波形的形状是为EMI reduc-临界
化。的调制方案用于实现马克西
妈妈减少EMI的示于
网络连接gure 3 。
的时期
调制被示为周期长度的百分比
沿X轴。该频率被改变的量为
沿Y轴示出,还示出了作为的百分比
总的频率传播。
赛普拉斯的频率选择表表示调制
百分比两种方式。第一种方法中显示的电子数
荷兰国际集团频带作为编程平均值的百分比
输出频率,对称于编程的平均
频率。此方法使用表达式总是显示
f
中心
±
X
MOD
%在扩频选择表。
第二种方法是指定的最大工作
频率和扩频频带作为本国语的百分比
昆西。输出信号是从所述的下部边缘扫
频带的最大频率。对于这种方表达
proach为f
最大
X
MOD
% 。每当这个表达式时,
赛普拉斯已经采取谨慎措施,确保了f
最大
永远不会EX-
超过容许。这是在应用中重要的时钟
驱动严密最高主频规格的组件
系统蒸发散。
振幅(分贝)
图2.典型的时钟和SSFTG比较
SSON #引脚
内部下拉电阻违约芯片进入传播
频谱mode.The SSON #引脚使传播功能
当设置为低。当禁用( SSON # HIGH )时,
W42C31-04简单地通过输入时钟传递。当中间人
荷兰国际集团低电平时,器件需要2毫秒重新跟踪蔓延algo-
rithm 。
90%
100%
10%
相比之下,典型的时钟EMI与赛普拉斯蔓延光谱
TRUM频率时序产生EMI 。请注意,在秒杀
典型的时钟。这秒杀可以使系统无法准峰值
EMI测试。美国联邦通信委员会和其他监管机构的测试
峰值。与扩频启用,峰值包
ERGY低很多(至少8 dB为单位) ,因为能量是
分散在更宽的带宽。
100%
80%
60%
40%
20%
0%
–20%
–40%
–60%
–80%
–100%
频移
10%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
90%
时间
图3.调制波形简介
3
100%
W42C31-04
绝对最大额定值
应力大于本表所列可能导致人员
永久性损坏设备。这些代表一个压力等级
只。该器件在这些或任何其他条件的操作
参数
V
DD
, V
IN
T
英镑
T
A
T
B
P
D
描述
任一引脚电压相对于GND
储存温度
工作温度
在偏置环境温度
功耗
上面这个特定的操作区域的特定网络版Fi的
阳离子是不是暗示。延长近郊最大的条件
消耗臭氧层物质会影响其可靠性
等级
-0.5到+7.0
-65到+150
0至+70
-55到+125
0.5
单位
V
°C
°C
°C
W
直流电气特性:
0° ℃下牛逼
A
& LT ; 70℃ ,V
DD
= 5V ±10%
参数
I
DD
t
ON
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
IL
I
IH
I
OL
I
OH
C
I
C
L
R
P
Z
OUT
描述
电源电流
电时间
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输入低电平电流
输入高电流
输出低电流
输出高电流
输入电容
负载电容(看
通过XTAL )
输入上拉电阻
时钟输出阻抗
注1
注1
@ 0.4V, V
DD
= 5V
@ 2.4V, V
DD
= 5V
除了X1 , X2全部引脚
销,X1,X2
[2]
17
500
20
24
24
7
2.5
–100
10
0.7V
DD
0.4
首先锁定时钟周期之后
电源良好
测试条件
典型值
18
最大
32
5
0.15V
DD
单位
mA
ms
V
V
V
V
A
A
mA
mA
pF
pF
k
AC电气特性:
T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C,V
DD
= 5V±10%
参数
f
IN
f
OUT
t
R
t
F
t
OD
t
ID
t
JCYC
描述
输入频率
输出频率
输出上升时间
输出下降时间
输出占空比
输入占空比
抖动,周期到周期
谐波抑制
8
测试条件
输入时钟
传播关
V
DD
, 15 pF负载0.8-2.4
V
DD
, 15 pF负载2.4 -0.8
15 pF负载
45
40
20
46.004
2
2
典型值
最大
30
69.006
5
5
55
60
300
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
%
%
ps
dB
注意事项:
1.输入FS0有一个上拉电阻;输入SSON #有一个下拉电阻。
2.引脚X1和X2都有一个34 pF的电容。当与XTAL使用的,两个电容器组合装入17 pF的晶体。如果驾驶X1用
基准时钟信号,负载电容将是34 pF的(典型值) 。
4
W42C31-04
应用信息
推荐的电路配置
为在系统中应用的功率的最佳性能
供应中所示的去耦方案
图4
应该被使用。
V
DD
去耦重要的是要既能减少相位抖动和
EMI辐射。该0.1 μF的去耦电容应
放在尽量靠近V
DD
销越好,否则在 -
有折痕的走线电感会否定它的去耦能力。
W42C31-04
如图10 μF的去耦电容应为钽
型。如需进一步EMI保护,在V
DD
连接可以是
通过铁氧体磁珠制成,如图所示。
6 pF的XTAL负载电容可以被用来提高英特
碎17 pF的电容高达20 pF的对总负载
水晶。
推荐电路板布局
图5
显示了建议2层电路板布局。
1
C1
6 pF的
XTAL1
8
7
6
5
R1
C3
0.1 F
VDD
产量
2
GND
3
4
C2
6 pF的
5V系统电源
FB
C4
10 μF钽
图4.推荐的电路配置
C1, C2 =
XTAL负载电容(可选;使用
不要求操作)。
典型值为6 pF的。
高频电源去耦
电容( 0.1 μF推荐) 。
普通电源的低频
去耦电容( 10μF的钽电容
推荐使用) 。
匹配值到线路阻抗
铁氧体磁珠
威盛GND平面
可选保护环
晶振电路
C3 =
C4 =
G
C1
R1 =
FB
=
=
G
G
C2
XTAL1
C3
G
G
R1
时钟输出
G
C4
电源输入
(5V)
FB
G
图5.推荐电路板布局( 2层板)
订购信息
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W42C31
文件编号: 38-00801
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G
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