怀特电子设计
WSF41632-22XX
初步*
128K
X
32 SRAM & 512Kx32闪存混合模块
特点
25ns的（ SRAM）和120ns的访问时间（ FLASH）
包装
?? 66针， PGA类型， 1.385"方HIP ，密封
陶瓷HIP （ 402包）
?? 68铅，密封CQFP （ G2T ） ， 22.4毫米（ 0.880" ）
正方形（ 509包） 4.57毫米（ 0.180" ）高度
专为科幻吨JEDEC 68导致0.990" CQFJ
足迹（图2） 。待开发包。
128Kx32 SRAM
512Kx32 5V闪存
组织为SRAM和512Kx32的128Kx32
闪存与普通数据总线
低功耗CMOS
商用，工业和军用温度
范围
TTL兼容的输入和输出
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改，恕不另行通知。
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行
重量 - 13克典型
FLASH内存功能
10万次擦除/编程最低
部门架构
??每一个64K字节的8大小相等的行业
行业的任何组合可以同时
删除。还支持整片擦除
5V编程; 5V ±10 ％电源
嵌入式擦除和编程算法
硬件写保护
页编程操作和内部程序
控制时间。
注意：对于编程的信息，请参阅FL灰编程4M5应用笔记。
引脚配置WSF41632-22H2X
顶视图
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
14
A
16
A
11
A
0
A
18
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
22
12
FWE
2
#
SWE
2
#
GND
I / O
11
A
10
A
9
A
15
V
CC
FCS ＃
SCS ＃
I / O
3
33
23
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE ＃
A
17
FWE
1
#
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
7
A
12
SWE
1
#
A
13
A
8
I / O
16
I / O
17
I / O
18
44
34
V
CC
SWE
4
#
FWE
4
#
I / O
27
A
4
A
5
A
6
FWE
3
#
SWE
3
#
GND
I / O
19
55
45
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
1
A
2
A
3
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
66
I / O
0-7
OE ＃
A
0-18
SCS ＃
FCS ＃
引脚说明
D0-31
A0-18
SWE#1-4
SCS ＃
OE ＃
VCC
GND
NC
FWE#1-4
FCS
数据输入/输出
地址输入
SRAM写入启用
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
闪存写入启用
FLASH的片选
56
框图
FWE
1
#
SWE
1
#
FWE
2
#
SWE
2
#
FWE
3
#
SWE
3
#
FWE
4
#
SWE
4
#
128K ×8闪存
128K ×8 SRAM
128K ×8闪存
128K ×8 SRAM
128K ×8闪存
128K ×8 SRAM
128K ×8闪存
128K ×8 SRAM
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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WSF41632-22XX
初步
图2 - 引脚配置WSF41632-22G2TX
顶视图
SWE
3
#
SWE
4
#
FWE
1
#
GND
A
6
V
CC
A
10
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
7
A
8
A
9
引脚说明
D0-31
A0-18
SWE#1-4
SCS ＃
OE ＃
VCC
GND
NC
FWE#1-4
FCS
数据输入/输出
地址输入
SRAM写入启用
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
闪存写入启用
FLASH的片选
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
FCS ＃
SWE
2
#
FWE
2
#
FWE
3
#
FWE
4
#
SCS ＃
SWE
1
#
OE ＃
V
CC
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
NC
A
11
NC
框图
FWE
1
#
OE ＃
A
0-18
SCS ＃
FCS ＃
SWE
1
#
FWE
2
#
SWE
2
#
FWE
3
#
SWE
3
#
FWE
4
#
SWE
4
#
128K ×8闪存
128K ×8 SRAM
128K ×8闪存
128K ×8 SRAM
128K ×8闪存
128K ×8 SRAM
128K ×8闪存
128K ×8 SRAM
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
0.940"
该WEDC 68领先G2T CQFP网络LLS相同的网络连接T和功能
作为JEDEC 68领先CQFJ或68 PLCC 。但G2T有
在CQFP形式的TCE和铅检测的优势。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
参数
闪存数据保留
20年
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初步
SRAM真值表
单位
°C
°C
V
°C
V
SCS ＃
H
L
L
L
OE ＃
X
L
H
X
SWE ＃
X
H
H
L
模式
待机
读
读
写
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
民
-55
-65
-0.5
-0.5
最大
+125
+150
7.0
150
7.0
注意：
1. FCS ＃必须保持高电平时SCS ＃低。
闪存耐久性（写入/擦除周期）
100000分钟
参数
OE ＃电容
F / S WE
1-4
＃电容
F / S CS ＃电容
D
0-31
电容
A
0-16
电容
电容
TA = + 25°C
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
条件
最大单位
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的80 pF的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的30 pF的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的50 pF的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的30 pF的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的80 pF的
注意：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。延长运行在最高水平可能会降低性能，
影响可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.5
2.2
-0.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
SRAM的工作电源电流×32模式
待机电流
SRAM输出低电压
SRAM输出高电压
闪光V
CC
工作电流为读（ 1 ）
闪光V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
闪光输出低电压
闪光输出高电压
闪光输出高电压
闪光低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LO
I
CCx32
I
SB
V
OL
V
OH
I
CC1
I
CC2
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
SCS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
SCS ＃ = V
IL
， OE ＃ = FCS ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
FCS ＃ = SCS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OL
= 8毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -4.0mA ，V
CC
= 4.5
FCS ＃ = V
IL
， OE ＃ = SCS ＃ = V
IH
FCS ＃ = V
IL
， OE ＃ = SCS ＃ = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= 4.5
民
最大
10
10
620
80
0.4
260
300
0.45
0.85× V
CC
V
CC
-0.4
3.2
单位
A
A
mA
mA
V
V
mA
mA
V
V
V
V
2.4
4.2
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和频率相关元件（ @ 5兆赫） 。
的频率分量通常是不大于2mA /兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
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SRAM交流特性
V
CC
= 5.0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
符号
民
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
25
25
0
25
15
3
0
12
12
-25
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
从时间写数据保持
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初步
SRAM交流特性
V
CC
= 5.0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
符号
民
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
25
20
20
15
20
3
0
3
15
0
-25
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
1.此参数由设计保证，但未经测试。
1.此参数由设计保证，但未经测试。
图2 - AC测试电路
AC测试条件
I
OL
电流源
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈ 1.5V
（双极性电源供电）
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75 Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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初步
图3 - SRAM时序波形 - 读周期
t
RC
地址
t
AA
t
RC
地址
SCS ＃
t
ACS
t
AA
t
OH
SOE ＃
t
CHZ
t
CLZ
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
OHZ
数据有效
读周期1 ， （ SCS ＃ = OE ＃ = V
IL
， SWE ＃ = FCS ＃ = V
IH
)
读周期2 （ SWE ＃ = FCS ＃ = V
IH
)
图4 - SRAM写周期 - SWE ＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
SCS ＃
t
AH
t
AS
SWE ＃
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
数据有效
t
DH
数据I / O
写周期1 ， SWE ＃控制（ FCS ＃ = V
IH
)
图5 - SRAM写周期 - SCS ＃控制
t
WC
地址
t
AS
SCS ＃
t
AW
t
CW
t
AH
t
WP
SWE ＃
t
DW
数据I / O
数据有效
t
DH
写周期2 ， SCS ＃控制（ FCS ＃ = V
IH
)
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