怀特电子设计
W3EG2128M64ETSR-JD3
高级*
2GB - 2x128Mx64 DDR SDRAM挂号W / PLL
特点
双倍数据速率架构
为133MHz和166MHz的时钟速度
双向数据选通（ DQS）
差分时钟输入（ CK & CK ＃ ）
可编程只读延迟2,2,5 （时钟）
可编程的突发长度（ 2,4,8 ）
可编程突发类型（顺序&交错）
边沿对齐的数据输出，居中对齐数据输入
自动和自刷新
串行存在检测
双列
电源：
V
CC
= V
CCQ
= + 2.5V （ 133和166MHz的）
JEDEC标准的184针DIMM封装
PCB的高度：
JD3 ： 30.48毫米（ 1.20" ）
注：可用性咨询工厂：
符合RoHS标准的产品
供应商源控制选项
工业温度选项
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
描述
该W3EG2128M64ETSR是2x128Mx64双数据
速率SDRAM内存模块基于on1Gb DDR SDRAM
组件。该模块包括16个128Mx8 DDR
安装在一个184引脚的66引脚TSOP封装的SDRAM
FR4基板上。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。数据I / O事务是可能的
两边缘和突发Lenths允许在同一设备是
对于各种高带宽是有用的，高性能
存储器系统的应用程序。
工作频率
DDR333 @ CL = 2.5
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
166MHz
2.5-3-3
DDR266 @ CL = 2
133MHz
2-3-3
DDR266 @ CL = 2.5
133MHz
2.5-3-3
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引脚配置
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
符号
V
REF
DQ0
V
SS
DQ1
DQS0
DQ2
V
CC
DQ3
NC
RESET＃
V
SS
DQ8
DQ9
DQS1
V
CCQ
NC
NC
V
SS
DQ10
DQ11
CKE0
V
CCQ
DQ16
DQ17
DQS2
V
SS
A9
DQ18
A7
V
CCQ
DQ19
A5
DQ24
V
SS
DQ25
DQS3
A4
V
CC
DQ26
DQ27
A2
V
SS
A1
NC
NC
V
CC
针
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
符号
NC
A0
NC
V
SS
NC
BA1
DQ32
V
CCQ
DQ33
DQS4
DQ34
V
SS
BA0
DQ35
DQ40
V
CCQ
WE＃
DQ41
CAS ＃
V
SS
DQS5
DQ42
DQ43
V
CC
NC
DQ48
DQ49
V
SS
NC
NC
V
CCQ
DQS6
DQ50
DQ51
V
SS
V
赛迪
DQ56
DQ57
V
CC
DQS7
DQ58
DQ59
V
SS
NC
SDA
SCL
针
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
符号
V
SS
DQ4
DQ5
V
CCQ
DQM0
DQ6
DQ7
V
SS
NC
NC
NC
V
CCQ
DQ12
DQ13
DQM1
V
CC
DQ14
DQ15
CKE1
V
CCQ
NC
DQ20
A12
V
SS
DQ21
A11
DQM2
V
CC
DQ22
A8
DQ23
V
SS
A6
DQ28
DQ29
V
CCQ
DQM3
A3
DQ30
V
SS
DQ31
NC
NC
V
CCQ
CK0
CK0#
针
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
符号
V
SS
NC
A10
NC
V
CCQ
NC
V
SS
DQ36
DQ37
V
CC
DQM4
DQ38
DQ39
V
SS
DQ44
RAS ＃
DQ45
V
CCQ
CS0#
CS1#
DQM5
V
SS
DQ46
DQ47
NC
V
CCQ
DQ52
DQ53
A13
V
CC
DQM6
DQ54
DQ55
V
CCQ
NC
DQ60
DQ61
V
SS
DQM7
DQ62
DQ63
V
CCQ
SA0
SA1
SA2
V
CCSPD
W3EG2128M64ETSR-JD3
先进
引脚名称
A0-A13
BA0-BA1
DQ0-DQ63
DQS0-DQS7
CK0 ， CK0 ＃
CKE0 ， CKE1
CS0 ＃ ， CS1 ＃
RAS ＃
CAS ＃
DQM0-DQM7
WE＃
V
CC
V
CCQ
V
SS
V
REF
V
CCSPD
SDA
SCL
SA0-SA2
V
赛迪
NC
RESET＃
地址输入（复用）
银行选择地址
数据输入/输出
数据选通输入/输出
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
数据掩码
写使能
电源（ 2.5V ）
电源的DQS （ 2.5V ）
地
电源为参考
串行EEPROM电源
（ 2.3V至3.6V ）
串行数据I / O
串行时钟
地址在EEPROM
V
CC
Indenti科幻阳离子标志
无连接
复位使能
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先进
功能框图
RCS1#
DQS4
DQM4
DQM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS ＃ DQS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS0
DQM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
RCS0#
DQM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS ＃ DQS
DQS1
DQM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS ＃ DQS
DQS5
DQM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS ＃ DQS
DQS2
DQM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS ＃ DQS
DQS6
DQM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS ＃ DQS
DQS3
DQM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS ＃ DQS
DQS7
DQM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQM CS ＃ DQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS ＃ DQS
CS0#
CS1#
BA0-BA1
A0-A13
RAS ＃
CAS ＃
CKE0
CKE1
WE＃
PCK
PCK ＃
R
E
G
I
S
T
E
R
RCS0#
RCS1#
RBA0-RBA1
RA0-RA13
RRAS ＃
RCAS ＃
RCKE0
RCKE1
RWE ＃
RESET＃
120
BA0 - BA1 ： SDRAM的
A0 - A13 ： SDRAM的
RAS ＃ ： SDRAM的
CAS ＃ ： SDRAM的
CKE ： SDRAM的
CKE ： SDRAM的
WE＃ ： DQRAMs
CK0
CK0#
PLL
DDR SDRAM的
寄存器x 1
串行PD
SCL
WP
SDA
A0
A1
A2
SA0 SA1 SA2
V
CCSPD
V
CCQ
V
CC
V
REF
V
SS
注意：所有的电阻值是22Ω ，除非另有说明。
SPD
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
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先进
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
注意：
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
, V
CCQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-0.5到3.6
-1.0到3.6
-55到+150
18
50
单位
V
V
°C
W
mA
如果“绝对最大额定值”超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压高的时间会影响器件的可靠性长时间
DC特性
0°C
≤
T
A
≤
70℃ ，V
CC
= 2.5V ± 0.2V
符号
V
CC
V
CCQ
V
REF
V
TT
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
参数
电源电压
电源电压
参考电压
终止电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
民
2.3
2.3
1.15
1.15
V
REF
+ 0.15
-0.3
V
TT
+ 0.76
—
最大
2.7
2.7
1.35
1.35
V
CCQ
+ 0.3
V
REF
-0.15
—
V
TT
-0.76
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
电容
T
A
= 25°C 。 F = 1MHz时， V
CC
= 2.5V
参数
输入电容（ A0 - A13 ）
输入电容（ RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容（ CKE0 ）
输入电容（ CK0 ＃ ， CK0 ）
输入电容（ CS0 ＃ ）
输入电容（ DQM0 - DQM3 ， DQM5 - DQM8 ）
输入电容（ BA0 - BA1 ）
数据输入/输出电容（ DQ0 - DQ63 ）（ DQS）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
IN6
C
IN7
C
OUT
最大
6.5
6.5
6.5
5.5
6.5
13
6.5
13
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
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推荐的工作条件下， 0 ℃，
≤
T
A
≤
70℃ ，V
CCQ
= 2.5V ± 0.2V, V
CC
= 2.5V ± 0.2V
仅包括DDR SDRAM组件
DDR333@
CL=2.5
最大
2080
DDR266@
CL=2
最大
2080
DDR266@
CL=2.5
最大
1880
I
DD
规格和测试条件
参数
工作电流
符号
I
DD0
条件
一台设备的银行;主动 - 预充电;吨
RC
=t
RC
（分钟） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ; DQ ， DM和DQS输入
每个时钟周期改变一次;地址和控制
输入每两个周期改变一次。
一台设备的银行;主动读预充电突发
= 2; t
RC
=t
RC
（分钟） ;吨
CK
=t
CK
（MIN） ;升
OUT
= 0毫安;
地址和控制输入每改变一次
时钟周期。
所有的设备闲置的银行;掉电模式;吨
CK
=t
CK
（MIN） ; CKE = （低）
CS ＃ =高;所有的设备闲置的银行;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;
CKE =高;地址和其它控制输入
每个时钟周期改变一次。 V
IN
= V
REF
针对DQ ，
DQS和DM 。
一台设备的银行活动的;掉电模式;吨
CK
（MIN） ; CKE = （低）
CS ＃ =高; CKE =高;一台设备的银行;主动 -
预充电;吨
RC
=t
RAS
（MAX） ;吨
CK
=t
CK
（MIN） ; DQ ， DM
和DQS输入两次改变每个时钟周期;
地址和其它控制输入一次改变
每个时钟周期。
突发= 2;读取;可连拍;一台设备
银行主动;地址和控制输入变化
一旦每个时钟周期;牛逼
CK
= T
CK
（MIN） ;升
OUT
= 0毫安。
突发= 2;写;可连拍;一台设备
银行主动;地址和控制输入变化
一旦每个时钟周期;牛逼
CK
=t
CK
（分钟） ; DQ ， DM和
DQS输入每个时钟周期变化一次。
t
RC
= t
RC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
四大行交错读取（ BL = 4）自动
预充电与T
RC
=t
RC
（分钟） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;
地址和控制输入，只有在改变
有效的读或写命令。
单位
mA
工作电流
I
DD1
2360
2360
2160
mA
预充加电
向下待机电流
空闲待机电流
I
DD2P
I
DD2F
160
1040
160
1040
160
960
RNA
mA
主动掉电
待机电流
主动待机电流
I
DD3P
I
DD3N
560
800
560
800
480
720
mA
mA
工作电流
I
DD4R
2560
2560
2320
mA
工作电流
I
DD4W
2640
2640
2400
RNA
自动刷新当前
自刷新电流
工作电流
I
DD5
I
DD6
I
DD7A
3520
144
5000
3520
144
5000
3360
144
4600
mA
mA
mA
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第0版
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