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初步W24100
128K
×
8 CMOS静态RAM
概述
该W24100是正常速度，极低的功耗CMOS静态RAM组织为131072
×
8比特
运行在一个单一的5伏电源。该器件采用华邦制造高
高性能CMOS技术。
特点
低功耗：
主动： 385毫瓦（最大）
访问时间： 70纳秒
单5V电源
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
备用电池操作能力
数据保持电压： 2V （分钟）
封装采用32引脚600密耳DIP， 450万SOP ，
标准型1 TSOP （ 8毫米
×
20毫米）和
小键入一个TSOP （ 8毫米
×
13.4 mm)
销刀豆网络gurations
框图
CLK GEN 。
A16
预充电CKT 。
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
V
DD
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I / O 8
I / O 7
I / O 6
I/O5
I/O4
A14
A12
A4
A3
A2
A7
A6
A5
A9
I/O1
:
I/O8
数据
CNTRL 。
CLK
将军
WE
CS1
CS2
OE
A15 A13 A8 A1 A0 A11A10
I / O CKT 。
列解码器
D
E
C
O
D
E
R
R
O
W
核心单元阵列
1024行
128× 8列
32-pin
SOP
25
24
23
22
21
20
19
18
17
引脚说明
符号
A0A16
I/O1I/O8
CS1，CS2
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
A11
A9
A8
A13
WE
CS2
A15
V
DD
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32-pin
TSOP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
SS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
-1-
出版日期： 1999年10月
修订版A1
初步W24100
真值表
CS1
H
X
CS2
X
L
H
H
H
OE
X
X
WE
X
X
模式
未选择
未选择
输出禁用
读
写
L
L
L
H
L
X
H
H
L
I/O1I/O8
高Z
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
DD
当前
I
SB
, I
SB
1
I
SB
, I
SB
1
I
DD
I
DD
I
DD
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
SS
潜力
输入/输出到V
SS
潜力
允许功耗
储存温度
工作温度
等级
-0.5到+7.0
-0.5到V
DD
+0.5
1.0
-65到+150
0到70
单位
V
V
W
°C
°C
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响
装置。
工作特性
(V
DD
= 5V
±10%;
V
SS
= 0V ;牛逼
A
= 0 ℃至70 ℃）下
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏
当前
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
测试条件
-
-
V
IN
= V
SS
到V
DD
V
I / O
= V
SS
到V
DD,
CS1 = V
IH
（分）或
OE
= V
IH
（分）
或WE = V
IL
（ MAX 。 ）
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
CS1
= V
IL
（最大）和
CS2 = V
IH
（分钟） ， I / O = 0毫安
周期=分钟，占空比= 100 ％
分钟。
-0.5
+2.2
-1
-1
TYP 。 *
-
-
-
-
马克斯。
+0.8
V
DD
+0.5
+1
+1
单位
V
V
A
A
输出低电压
输出高电压
工作电源
电源电流
备用电源
当前
V
OL
V
OH
I
DD
-
2.4
-
-
-
-
0.4
-
70
V
V
mA
I
SB
I
SB
1
CS = V
IH
（分钟） ，循环=分钟。
占空比= 100 ％
LL
CS1
≥
V
DD
-0.2V或
CS2
≤
0.2V
L
-
-
-
-
-
3
50
mA
A
-
100
注意：典型参数周围温度T下测量
A
= 25° C和V
DD
= 5V.
-2-
初步W24100
电容
(V
DD
= 5 V ，T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号。
C
IN
C
I / O
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
AC特性
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
5纳秒
1.5V
请参见下面的图纸
条件
AC测试负载和波形
1 TTL
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
产量
1 TTL
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
（对于T
CLZ ，
T
OLZ ，
T
CHZ ，
T
OHZ ，
T
WHZ ，
T
OW
)
3.0V
0V
5纳秒
90%
10%
90%
10%
5纳秒
-3-
出版日期： 1999年10月
修订版A1
初步W24100
AC特性，继续
(V
DD
= 5V
±10%;
V
SS
= 0V ;牛逼
A
= 0 ℃至70 ℃）下
读周期
参数
符号。
W24100-70L
分钟。
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消选择到输出中高Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
这些参数进行采样，而不是100 ％测试
W24100-70LL
分钟。
70
-
-
-
10
5
-
-
10
马克斯。
-
70
70
35
-
-
30
30
-
单位
马克斯。
-
70
70
35
-
-
30
30
-
T
RC
T
AA
T
ACS
T
AOE
T
CLZ
*
T
OLZ
*
T
CHZ
*
T
OHZ
*
T
OH
70
-
-
-
10
5
-
-
10
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
写周期
参数
符号。
W24100-70L
分钟。
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
CS1
1，CS 2 ，我们
W24100-70LL
分钟。
70
50
50
0
50
0
30
0
-
-
5
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
-
单位
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
-
T
WC
T
CW
T
AW
T
AS
T
WP
T
WR
T
DW
T
DH
T
WHZ
*
T
OHZ
*
T
OW
70
50
50
0
50
0
30
0
-
-
5
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
输出写入结束活动
这些参数进行采样，而不是100 ％测试
-4-
初步W24100
时序波形
读周期1
（地址控制）
T
RC
地址
T
OH
D
OUT
T
AA
T
OH
读周期2
（片选控制）
CS1
CS2
T
ACS
T
CLZ
D
OUT
T
CHZ
读周期3
（输出使能控制）
T
RC
地址
T
AA
OE
T
AOE
T
OLZ
CS1
T
OH
CS2
T
ACS
D
OUT
T
CLZ
T
CHZ
T
OHZ
-5-
出版日期： 1999年10月
修订版A1
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WD16C552
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