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W24L257
32K
×
8 CMOS静态RAM
概述
该W24L257是正常速度，极低的功耗CMOS静态RAM组织为32768
×
8比特
工作在宽电压范围为3V至5.5V电源供电。这个装置是用制造
华邦的高性能CMOS技术。
特点
低功耗：
访问时间： 70纳秒
3.3V / 5V电源
全静态操作
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
备用电池操作能力
数据保持电压： 2V （分钟）
包装在330万SOP ，和标准型
1 STSOP （ 8毫米
×
13.4 mm)
销刀豆网络gurations
框图
CLK GEN 。
A12
预充电CKT 。
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VDD
#WE
A13
A8
A14
A2
A3
A4
A5
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
核心单元阵列
512行
32× 8列
A9
A11
#OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A6
A7
A13
I/O1
:
I/O8
数据
CNTRL
.
CLK
将军
I / O CKT 。
列解码器
#WE
#CS
#OE
A11 A10 A1 A0 A8 A9
引脚说明
#OE
A11
A9
A8
A13
#W
E
V
DD
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
#CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
SS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
28-pin
TSOP
符号
A0
A14
I/O1
I/O8
#CS
#WE
#OE
V
DD
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
-1-
出版日期： 2001年10月3日
修订A5
W24L257
真值表
#CS
H
L
L
L
#OE
X
H
L
X
#WE
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
I/O1I/O8
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
DD
当前
I
SB
, I
SB1
I
DD
I
DD
I
DD
DC特性
绝对最大额定值
参数
3.3V
电源电压V
SS
潜力
输入/输出到V
SS
潜力
允许功耗
储存温度
工作温度
L/LL
LE
LI
-0.5到+4.6
1.0
-65到+150
0到70
-20到85
-40到85
等级
5V
-0.5到+7.0
V
V
W
°C
°C
单位
-0.5到V
DD
+0.5
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能寿命和可靠性产生不利影响
该装置。
工作特性
(V
DD
= 5V
±10%;
V
DD
= 3.3V
±5%;
V
SS
= 0V ;牛逼
A
（℃） = 0 70， L / LL， -2085为LE ， -40至85为LI）的
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
测试条件
-
-
VIN = V
SS
到V
DD
VI / O = V
SS
到V
DD
,
#CS = V
IH
（分）或
#OE = V
IH
（分）或
#CS = V
IL
（ MAX 。 ）
IOL = 2.1毫安
IOH = -1.0毫安
#CS = V
IL
（ MAX 。 ）
和I / O = 0 mA时，
周期=分钟。
占空比= 100 ％
3.3V
分钟。
马克斯。
-0.5
+2.0
-1
-1
+0.6
V
DD
+0.5
+1
+1
5V
分钟。
马克斯。
-0.5
-2
-2
+0.8
+2
+2
+2.2 V
DD
+0.5
单位
V
V
A
A
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
V
OL
V
OH
I
DD
-
2.2
-
0.4
-
35
-
2.4
-
0.4
-
70
V
V
mA
-2-
W24L257
经营特色，继续
参数
备用电源
当前
符号。
I
SB
I
SB1
测试条件
#CS = V
IH
（分）或
周期=分钟。占空比= 100 ％
#CS
≥
V
DD
-0.2V
LL / LE / LI
L
-
-
-
3.3V
分钟。
马克斯。
1
15
30
分钟。
-
-
-
5V
马克斯。
3
15
30
单位
mA
A
注意：典型参数周围温度T下测量
A
= 25° C和V
DD
= 3.3V/5V
电容
(V
DD
= 5V
±10%;
V
DD
= 3V
±5%,
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号。
C
IN
C
I / O
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
AC特性
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
条件
0V至3.0V
5纳秒
1.5V
请参见下面的图纸
AC测试负载和波形
1 TTL
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
（对于T
CLZ ，
T
OLZ ，
T
CHZ ，
T
OHZ ，
T
WHZ ，
T
OW
)
3.0 V
0V
5纳秒
90%
10%
90%
10%
1 TTL
5纳秒
-3-
出版日期： 2001年10月3日
修订A5
W24L257
AC特性，继续
读周期
(V
DD
= 5V
±10%;
V
DD
= 3V
±5%;
V
SS
= 0V ;牛逼
A
（℃） = 0 70， L / LL， -2085为LE ， -40至85为LI）的
参数
符号
分钟。
3.3V/5V
马克斯。
-
70
70
35
-
-
30
30
-
单位
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消选择到输出中高Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
这些参数进行采样，而不是100 ％测试
T
RC
T
AA
T
ACS
T
AOE
T
CLZ
*
T
OLZ
*
T
CHZ
*
T
OHZ
*
T
OH
70
-
-
-
10
5
-
-
10
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
写周期
参数
符号
分钟。
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
输出写入结束活动
这些参数进行采样，而不是100 ％测试
#CS ， #WE
T
WC
T
CW
T
AW
T
AS
T
WP
T
WR
T
DW
T
DH
T
WHZ
*
T
OHZ
*
T
OW
70
55
55
0
40
0
35
0
-
-
5
3.3V/5V
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
25
25
-
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
单位
-4-
W24L257
时序波形
读周期1
（地址控制）
T
RC
地址
T
OH
D
OUT
T
AA
T
OH
读周期2
（片选控制）
#CS1
T
ACS
T
CLZ
D
OUT
T
CHZ
读周期3
（输出使能控制）
T
RC
地址
T
AA
#OE
T
AOE
T
OLZ
#CS
T
OH
T
ACS
D
OUT
T
CLZ
T
CHZ
T
OHZ
-5-
出版日期： 2001年10月3日
修订A5
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