S1008V1C
WCFS1008V1C
128K ×8静态RAM
特点
高速
— t
AA
=为12ns
CMOS的最佳速度/功耗
中心电源/接地引出线
自动断电时取消
易于内存扩展CE和OE选项
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置的试样
田间的地址引脚（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该WCFS1008V1C是标准的400密耳范围内可用
封装。
功能说明
该WCFS1008V1C是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 131,072字。容易记忆expan-
锡永由低电平有效芯片提供使能（ CE）的活性
低输出使能（ OE ）和三态驱动器。该装置
具有自动断电功能，显著reduc-
取消上课时的功耗。
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
I / O
7
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
I/O0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I/O1
行解码器
I/O2
检测放大器
512 x 256 x 8
ARRAY
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I/O7
选购指南
WCFS1008V1C为12ns
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
12
160
5
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
修订后的2002年4月19日
WCFS1008V1C
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
V
CC
3.3V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
WCFS1008V1C为12ns
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= - 4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
160
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
20
mA
I
SB2
5
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2
WCFS1008V1C
交流测试负载和波形
3.3V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R1 480
R1 480
3.3V
产量
R2
255
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
3纳秒
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
开关特性
[4]
在整个工作范围
WCFS1008V1C为12ns
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[7, 8]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[5, 6]
12
9
8
0
0
8
6
0
3
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[5, 6]
CE为低电时
CE高到掉电
0
12
3
6
0
6
3
12
6
12
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须低到开始写，和任何这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
8.最小写入周期时间为写周期没有。 3 （我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
3
WCFS1008V1C
开关波形
（续）
写周期第1号（ CE控制）
[12, 13]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
写周期2号（我们控制， OE高在写）
[12, 13]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注14
t
HZOE
注意事项：
12.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
13.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
14.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
t
HD
数据
IN
有效
5
S1008V1C
WCFS1008V1C
128K ×8静态RAM
特点
高速
— t
AA
=为12ns
CMOS的最佳速度/功耗
中心电源/接地引出线
自动断电时取消
易于内存扩展CE和OE选项
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置的试样
田间的地址引脚（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该WCFS1008V1C是标准的400密耳范围内可用
封装。
功能说明
该WCFS1008V1C是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 131,072字。容易记忆expan-
锡永由低电平有效芯片提供使能（ CE）的活性
低输出使能（ OE ）和三态驱动器。该装置
具有自动断电功能，显著reduc-
取消上课时的功耗。
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
I / O
7
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
I/O0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I/O1
行解码器
I/O2
检测放大器
512 x 256 x 8
ARRAY
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I/O7
选购指南
WCFS1008V1C为12ns
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
12
160
5
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
修订后的2002年4月19日
WCFS1008V1C
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
V
CC
3.3V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
WCFS1008V1C为12ns
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= - 4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
160
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
20
mA
I
SB2
5
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2
WCFS1008V1C
交流测试负载和波形
3.3V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R1 480
R1 480
3.3V
产量
R2
255
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
3纳秒
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
开关特性
[4]
在整个工作范围
WCFS1008V1C为12ns
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[7, 8]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[5, 6]
12
9
8
0
0
8
6
0
3
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[5, 6]
CE为低电时
CE高到掉电
0
12
3
6
0
6
3
12
6
12
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须低到开始写，和任何这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
8.最小写入周期时间为写周期没有。 3 （我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
3
WCFS1008V1C
开关波形
（续）
写周期第1号（ CE控制）
[12, 13]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
写周期2号（我们控制， OE高在写）
[12, 13]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注14
t
HZOE
注意事项：
12.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
13.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
14.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
t
HD
数据
IN
有效
5
QQ：2881677436 复制
