VN3515L
VN4012L
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
350V
400V
R
DS （ ON）
（最大）
15
12
V
GS （ TH）
（最大）
1.8V
1.8V
I
D（上）
（分钟）
0.15A
0.15A
订单号码/套餐
TO-92
VN3515L
VN4012L
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
电机控制
转换器
放大器器
电信交换
电源电路
驱动器（继电器，锤子，螺线管，灯，
存储器，显示器，双极型晶体管等）的
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
* 1.6毫米的情况下10秒的距离。
注：请参阅尺寸封装外形部分。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
SGD
TO-92
11/12/01
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
VN3515L/VN4012L
热特性
包
VN3515L （ TO-92 ）
VN4012L （ TO-92 ）
*
I
D
（连续） *
150mA
160mA
I
D
（脉冲的）
600mA
650mA
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1W
1W
θ
jc
°
C / W
125
125
θ
ja
°
C / W
170
170
I
DR
*
150mA
160mA
I
DRM
600mA
650mA
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
VN3515
VN4012
民
350
400
0.6
1.8
10
1
100
I
D（上）
R
DS （ ON）
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
VN3515
VN4012
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
125
0.15
0.3
9.5
17
9.5
17
350
110
30
10
20
20
65
65
1.2
V
V
GS
= 0V时，我
SD
= 160毫安
ns
V
DD
= 25V
I
D
= 100毫安
R
根
= 25
pF
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
15
35
12
30
m
A
A
V
nA
典型值
最大
单位
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 100A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
DS
= 10V, V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 100mA时TA = 125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 100mA时TA = 125°C
V
DS
= 15V ，我
D
= 100毫安
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
3.请参阅TN2540数据表特性曲线。
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
2
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
11/12/01
VN3515L
VN4012L
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
350V
400V
R
DS （ ON）
（最大）
15
12
V
GS （ TH）
（最大）
1.8V
1.8V
I
D（上）
（分钟）
0.15A
0.15A
订单号码/套餐
TO-92
VN3515L
VN4012L
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
电机控制
转换器
放大器器
电信交换
电源电路
驱动器（继电器，锤子，螺线管，灯，
存储器，显示器，双极型晶体管等）的
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
* 1.6毫米的情况下10秒的距离。
注：请参阅尺寸封装外形部分。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
SGD
TO-92
11/12/01
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
VN3515L/VN4012L
热特性
包
VN3515L （ TO-92 ）
VN4012L （ TO-92 ）
*
I
D
（连续） *
150mA
160mA
I
D
（脉冲的）
600mA
650mA
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1W
1W
θ
jc
°
C / W
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125
θ
ja
°
C / W
170
170
I
DR
*
150mA
160mA
I
DRM
600mA
650mA
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
VN3515
VN4012
民
350
400
0.6
1.8
10
1
100
I
D（上）
R
DS （ ON）
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
VN3515
VN4012
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
125
0.15
0.3
9.5
17
9.5
17
350
110
30
10
20
20
65
65
1.2
V
V
GS
= 0V时，我
SD
= 160毫安
ns
V
DD
= 25V
I
D
= 100毫安
R
根
= 25
pF
V
DS
= 25V, V
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= 0V
F = 1MHz的
15
35
12
30
m
A
A
V
nA
典型值
最大
单位
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 100A
V
GS
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DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
DS
= 10V, V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 100毫安
V
GS
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D
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GS
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V
GS
= 4.5V ，我
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V
DS
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注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
3.请参阅TN2540数据表特性曲线。
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
2
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
11/12/01
VN3515L
VN4012L
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
350V
400V
R
DS （ ON）
（最大）
15
12
V
GS （ TH）
（最大）
1.8V
1.8V
I
D（上）
（分钟）
0.15A
0.15A
订单号码/套餐
TO-92
VN3515L
VN4012L
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
电机控制
转换器
放大器器
电信交换
电源电路
驱动器（继电器，锤子，螺线管，灯，
存储器，显示器，双极型晶体管等）的
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
* 1.6毫米的情况下10秒的距离。
注：请参阅尺寸封装外形部分。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
SGD
TO-92
11/12/01
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
VN3515L/VN4012L
热特性
包
VN3515L （ TO-92 ）
VN4012L （ TO-92 ）
*
I
D
（连续） *
150mA
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I
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功耗
@ T
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= 25
°
C
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1W
θ
jc
°
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125
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C / W
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I
DR
*
150mA
160mA
I
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600mA
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I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
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符号
BV
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V
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I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
VN3515
VN4012
民
350
400
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D（上）
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VN3515
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G
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C
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RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
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SD
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输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
125
0.15
0.3
9.5
17
9.5
17
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20
20
65
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1.2
V
V
GS
= 0V时，我
SD
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ns
V
DD
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A
A
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典型值
最大
单位
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条件
V
GS
= 0V时，我
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= 100A
V
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=
±
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V
GS
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= 0.8最高评级
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
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DS
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GS
= 4.5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 100mA时TA = 125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 100mA时TA = 125°C
V
DS
= 15V ，我
D
= 100毫安
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
3.请参阅TN2540数据表特性曲线。
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
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（上）
t
（关闭）
t
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t
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D（上）
V
DD
10%
10%
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2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
2
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
11/12/01
QQ：2880707522 复制
