晶体管具有内置电阻
UN2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
211D/211E/211F/211H/211L/211M/211N/211T/211V/211Z
PNP硅外延平面晶体管
对于数字电路
0.65±0.15
2.8
–0.3
+0.2
单位：mm
0.65±0.15
1.5
–0.05
+0.25
s
特点
0.95
q
2
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
标记符号（R
1
)
UN2111
6A
10k
UN2112
6B
22k
UN2113
6C
47k
UN2114
6D
10k
UN2115
6E
10k
UN2116
6F
4.7k
UN2117
6H
22k
UN2118
6I
0.51k
UN2119
6K
1k
UN2110
6L
47k
UN211D
6M
47k
UN211E
6N
47k
UN211F
6O
4.7k
UN211H
6P
2.2k
UN211L
6Q
4.7k
UN211M
EI
2.2k
UN211N
EW
4.7k
UN211T
EY
22k
UN211V
FC
2.2k
UN211Z
FE
4.7k
(R
2
)
10k
22k
47k
47k
—
—
—
5.1k
10k
—
10k
22k
10k
10k
4.7k
47k
47k
47k
2.2k
22k
1.1
–0.1
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
EIAJ ： SC- 59
迷你型包装
内部连接
R1
0-0.1
为0.1 0.3
0.4±0.2
0.8
C
B
R2
E
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–50
–50
–100
200
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
C
0.16
–0.06
+0.2
+0.1
s
电阻产品型号
0.4
–0.05
+0.1
q
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
迷你型封装，设备，允许小型化，
自动插入通带包装和杂志的包装。
2.9
–0.05
1
1.9±0.2
+0.2
0.95
3
1.45
1
UN2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
晶体管具有内置电阻211D / 211E / 211F / 211H / 211L / 211M / 211N / 211T / 211V / 211Z
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
UN2111
UN2112/2114/211E/211D/211M/211N/211T
UN2113
辐射源
截止
当前
UN2115/2116/2117/2110
UN211F/211H
UN2119
UN2118/211L/211V
UN211Z
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
UN2111
UN2112/211E
UN2113/2114/211M
前锋
当前
转让
比
UN2115*/2116*/2117*/2110*
UN2119/211F/211D/211H
UN2118/211L
UN211N/211T
UN211V
UN211Z
集电极到发射极饱和电压
UN211V
输出电压较高水平
输出电压低的水平
UN2113
UN211D
UN211E
跃迁频率
UN2111/2114/2115
UN2112/2117/211T
输入
电阻
tance
UN2113/2110/211D/211E
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
条件
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CE
= -50V ，我
B
= 0
民
典型值
最大
– 0.1
– 0.5
– 0.5
– 0.2
– 0.1
I
EBO
V
EB
= -6V ，我
C
= 0
– 0.01
–1.0
–1.5
–2.0
– 0.4
V
CBO
V
首席执行官
I
C
= -10mA ，我
E
= 0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
–50
–50
35
60
80
160
h
FE
V
CE
= -10V ，我
C
= -5mA
30
20
80
6
60
V
CE （ SAT ）
V
OH
I
C
= -10mA ，我
B
= - 0.3毫安
I
C
= -10mA ，我
B
= -1.5mA
V
CC
= –5V, V
B
= - 0.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= -2.5V ，R
L
= 1k
V
OL
V
CC
= –5V, V
B
= -3.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= ± 10V ，R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= -6V ，R
L
= 1k
f
T
V
CB
= -10V ，我
E
= 1mA时， F = 200MHz的
80
10
22
47
(–30%)
4.7
0.51
1
2.2
(+30%)
k
–4.9
– 0.2
– 0.2
– 0.2
– 0.2
兆赫
V
– 0.07
400
20
200
– 0.25
– 0.25
V
V
V
460
V
V
mA
单位
A
A
UN2116 / 211F / 211L / 211N / 211Z
1
UN2118
UN2119
UN211H/211M/211V
* h
FE
等级分类（ UN2115 / 2116 / 2110分之2117 ）
秩
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
2
UN2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
晶体管具有内置电阻211D / 211E / 211F / 211H / 211L / 211M / 211N / 211T / 211V / 211Z
s
电气特性（续）
参数
UN2111/2112/2113/211L
UN2114
UN2118/2119
UN211D
电阻
tance
比
UN211E
UN211F/211T
UN211H
UN211M
UN211N
UN211V
UN211Z
R
1
/R
2
符号
(Ta=25C)
条件
民
0.8
0.17
0.08
典型值
1.0
0.21
0.1
4.7
2.14
0.47
0.17
0.22
0.047
0.1
1.0
0.21
0.27
最大
1.2
0.25
0.12
单位
3
UN2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
晶体管具有内置电阻211D / 211E / 211F / 211H / 211L / 211M / 211N / 211T / 211V / 211Z
共同的特征图
P
T
- TA
250
总功耗P
T
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta （C ）
UN2111的特性图
I
C
— V
CE
–160
–140
I
B
=–1.0mA
Ta=25C
–100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
160
V
CE
= –10V
h
FE
— I
C
Ta=75C
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–25C
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
Ta=75C
集电极电流I
C
（MA ）
–0.9mA
–120
–100
–80
–60
–0.3mA
–40
–0.2mA
–20
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
正向电流传输比H
FE
25C
120
–25C
80
25C
40
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
V
IN
— I
O
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
O
= –0.2V
Ta=25C
–10000
–3000
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
3
2
1
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
UN2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
晶体管具有内置电阻211D / 211E / 211F / 211H / 211L / 211M / 211N / 211T / 211V / 211Z
UN2112的特性图
I
C
— V
CE
–160
–140
Ta=25C
I
B
=–1.0mA
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–80
–60
–40
–20
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
–0.1mA
–100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
400
V
CE
= –10V
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–25C
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
–120
–100
300
Ta=75C
200
25C
–25C
100
25C
Ta=75C
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–10000
–3000
V
O
=–5V
Ta=25C
V
IN
— I
O
–100
–30
V
O
=–0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
3
2
1
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN2113的特性图
I
C
— V
CE
–160
I
B
=–1.0mA
–140
V
CE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
= –10V
Ta=25C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
–120
–100
–80
–60
–40
–20
0
0
–2
–4
–6
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–25C
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
Ta=75C
正向电流传输比H
FE
300
Ta=75C
25C
200
–25C
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
25C
100
–0.1mA
–8
–10
–12
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
5
QQ：2881677436 复制
