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AnaSem
模拟半导体IC
VDD
系列
½电压, ½功耗,
±1%
高精度电压检测
CMOS
电压检测器(内½延迟电路)
牧师C09-09
ANASEM INC 。
..........模拟世界的未来
牧师C09-09
AnaSem
VDD
系列
概述
VDD系列乃用于½电压范围的½功耗,高检测精度的内½延迟电路电压
检测器.
VDD系列达成的检测精度是以集成电路内以温度系数调整的高准
确率参考电压值来½基准。本集成电路采用最新的CMOS生产技术和激
光微调技术,与精锐的生产监控。因为内½有延迟电路,延迟检测时间
不需配合外围元件便可以原厂设定之延迟时间范围来选择。
产品规格书
安纳森半导½
½电压, ½功耗,
±1%
高精度电压检测内½延迟电路
CMOS
电压检测器
无卤素
RoHS指令
符合标准
特点
1.8V 6.0V (可选择用0.1V的步骤)
检测电压范围
··································································
0.7V~6.0V
工½电压范围
··································································
高精度电压检测
····················································· ±1% (V
DET
=1.8V~6.0V)
Typ. 20ppm/°C (V
DET
=1.8V~6.0V)
电压检测温度特征
··································································
S / 10 50毫秒, M / 50 200毫秒,L / 80 400毫秒
延迟时间选择
·························································································
CMOS和N沟道开漏
输出类别
·························································································
½功耗
··································································典型值。 0.6μA (V
IN
=1.5V)
–40°C
工½温度范围
·································································· ~ +85°C
SOT- 23 ( 400毫瓦) , SON - 4 ( 400毫瓦)
小型封装
·························································································
应用范围
微型处理器的从设程序
各类系统的开动从设
电池充电检测
各类系统备用电源,电池开关控制
电池寿½检测
延迟电路设计
1
ANASEM INC 。
..........模拟世界的未来
½电压, ½功耗,
±1%
高精度电压检测内½延迟电路
CMOS
电压检测器
牧师C09-09
VDD
系列
产品型号定义
VDD
设计版本
IC内部から
输出½式
A:T
OPR
= –40°C ~ +85°C
T: SOT - 23
N: SON - 4
C: CMOS式输出
N : N-沟道式输出
S: 10毫秒 50毫秒
M: 50毫秒 200毫秒
L: 80毫秒 400毫秒
1 : ±1%
18 ~ 60 :
在1.8V
~ 6.0V检测电压范围内以
0.1V间隔设定检测电压
例如) 18: 1.8V
30 : 3.0V
延迟时间
电压检测精度
检测电压
PIN脚排½ / IC封装记号 (SOT-23)
Pin脚排½
V
IN
3
½½.
1
2
3
记号
V
OUT
V
SS
V
IN
输出
接地
电压输入
解说
A B C D E
F F F F
标识特定网络阳离子
1
V
OUT
2
V
SS
½½
A
BC
D
E
F
记号
C
N
18~60
S,M
L
A
厂方设定
输出模式
检测电压
解说
(顶视图)
延迟时间选择
版本
生产批号
2
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½电压, ½功耗,
±1%
高精度电压检测内½延迟电路
CMOS
电压检测器
牧师C09-09
VDD
系列
PIN脚排½ / IC封装记号 (SON-4)
Pin脚排½
V
SS
4
NC
3
½½
1
2
3
4
IC内部から
½½
A
BC
D
E
F
记号
V
OUT
V
IN
NC
V
SS
电压输出
电压输入
解说
A B C D E
F F F F
不接
(开电路)
接地
1
V
OUT
2
V
IN
记号
C
N
18~60
S,M
L
A
厂方设定
输出模式
检测电压
解说
( TOP VIEW )
延迟时间选择
版本
生产批号
典型应用电路
CMOS出力の
N-沟道式输出
V
OUT
V
IN
V
SS
100K
V
IN
V
OUT
V
SS
3
..........模拟世界的未来
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½电压, ½功耗,
±1%
高精度电压检测内½延迟电路
CMOS
电压检测器
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VDD
系列
IC内部へ
CMOS出力の
V
IN
V
IN
N-沟道式输出
+
电压
参考
_
延迟
电路
V
OUT
电压
参考
+
_
延迟电路
V
OUT
VSS
VSS
绝对最大工½范围值
项目
电压输入范围
输出电流
电压输出范围
功率耗散
※1)
符号
V
IN
I
OUT
V
OUT
SOT-23
SON-4
P
D
P
D
T
OPR
T
英镑
规格
–0.3 ~ +7.0
50
V
SS
–0.3 ~ V
IN
+0.3
400 (在PCB )
400 (在PCB )
–40 ~ +85
–55 ~ +125
单½
V
mA
V
mW
mW
°C
°C
工½温度范围
储存温度范围
注:
※1)
功率耗散规格是依照IC已上PCB板的条件来定
PCB板的尺寸为50毫米×50 × 1.6毫米。
4
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联系人:销售部1部
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全新原装正品/质量有保证
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