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数据表
MOS场效应
PA2753GR
开关
N沟道功率MOS FET
描述
该
PA2753GR是双N沟道MOS场效应
晶体管设计的DC / DC转换器和功率
管理应用程序的笔记本电脑。
封装图（单位：mm ）
8
5
1 ;源1
2 ;门1
7，8 ;排水1
3 ;源2
4 ;门2
5 ，6;排水2
1
4
5.37最大。
+0.10
–0.05
特点
双片式
低通态电阻
R
DS(on)1
= 21.4 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 4.0 A)
R
DS(on)2
= 31.6 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.0 A)
R
DS(on)3
= 36.4 mΩ以下。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 4.0 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 620 pF的典型。
内置G - S保护二极管
小型表面贴装封装（ SOP8电）
6.0 ±0.3
4.4
0.8
1.8 MAX 。
1.44
0.15
0.05分钟。
0.5 ±0.2
0.10
1.27
0.40
0.78 MAX 。
0.12 M
+0.10
–0.05
订购信息
产品型号
包
电源SOP8
PA2753GR
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C，所有的终端连接。 ）
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
Note2
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
30
±20
±8.0
±32
1.7
2.0
150
-55到+ 150
8
6.4
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
等效电路
（ 1/2电路）
漏
总功率耗散（ 1个单位）
总功率耗散（ 2个）
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note3
Note3
门
体
二极管
I
AS
E
AS
门
保护
二极管
来源
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2
2.
T
A
= 25 ℃，安装在2000毫米× 2.2毫米陶瓷基板
3.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 15 V ，R
G
= 25
,
V
GS
= 20
→
0 V
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件G15782EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年2月NS CP （ K）
日本印刷
2001
PA2753GR
电气特性（T
A
= 25 ° C，所有的终端连接。 ）
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 24 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 8.0 A
I
F
= 8.0 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 8.0 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±
18 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 4.0 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 4.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.0 A
V
GS
= 4.0 V，I
D
= 4.0 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 15 V，I
D
= 4.0 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
1.5
3.0
2.0
5.5
17.1
23.3
26.7
620
160
100
11.2
7.0
33.0
6.7
14.9
2.2
4.3
0.86
25
18
21.4
31.6
36.4
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
2
数据表G15782EJ1V0DS
PA2753GR
典型特征（T
A
= 25°C)
正向传递特性
100
脉冲
40
脉冲
35
V
GS
= 4.5 V
漏电流与
漏源极电压
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
10
30
V
GS
= 10 V
25
V
GS
= 4.0 V
20
15
10
5
1
T
A
= 150C
T
A
= 75C
T
A
= 25C
T
A
=
25C
0.1
0.01
0
V
DS
= 10 V
1
2
3
4
5
V
GS
-
门源电压 - V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
100
V
DS
= 10 V
脉冲
T
A
=
25C
T
A
= 25C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
正向转移导纳主场迎战
漏电流
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
100
脉冲
90
I
D
= 4.0 A
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
I
D
= 8.0 A
10
1
T
A
= 75C
T
A
= 150C
0.1
0.01
0.1
1
I
D
- 雨电流 - 一个
10
100
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
门源截止电压主场迎战
通道温度
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
100
80
脉冲
V
GS
= 4.0 V
3
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
2.5
2
1.5
1
0.5
0
60
40
V
GS
= 4.5 V
20
V
GS
= 10 V
0
0.1
1
10
100
50
0
50
100
150
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
- 通道温度 - C
数据表G15782EJ1V0DS
3
PA2753GR
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
50
脉冲
40
V
GS
= 4 V
30
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
源极到漏极二极管
正向电压
100
脉冲
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
V
GS
= 10 V
10
V
GS
= 4 V
1
V
GS
= 0 V
20
0.1
10
0
50
I
D
= 4.0 A
0
50
100
150
0.01
0
0.5
1
1.5
T
ch
- 通道温度 - C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
电容与漏极TO
源极电压
10000
开关特性
1000
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
100
t
f
10
t
r
1
V
DS
= 15 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
100
t
D（关闭）
t
D（上）
1000
C
国际空间站
100
C
OSS
C
RSS
10
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
反向恢复时间对比
漏电流
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
25
20
15
10
5
V
DS
0
0
V
DD
= 24 V
V
DD
= 15 V
V
DD
= 6 V
10
8
V
GS
6
4
2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
100
10
1
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
4
数据表G15782EJ1V0DS
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 V
动态输入/输出特性
14
35
I
D
= 8.0 A
12
30
PA2753GR
正向偏置的降额因子
安全工作区
总功耗对比
环境温度
P
T
- 总功率耗散 - W /包
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
20
40
60
80
2单元
1个单位
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
100
80
60
40
20
安装在陶瓷
基材
2000 mm
2
×
2.2 mm
0
20
40
60
80
100 120 140 160
100 120 140 160
T
A
- 环境温度 - C
T
A
- 环境温度 - C
正向偏置安全工作区
100
d
ITE
IM V ）
)
L 10
on
S(
=
R
D
V
GS
I
D（ DC）的
（在
I
D（脉冲）
PW
1m
s
T
A
= 25C
单脉冲
=1
00
s
I
D
- 漏电流 - 一个
10
10
1
Po
we
r
10
0m
s
ms
DIS
SIP
a
TIO
n
LIM
ITE
d
0.1
安装在陶瓷
基材
2
0.01
2000 mm
×
2.2毫米， 1个单位
1
0.1
10
100
V
DS -
漏源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
日（T ）
- 瞬态热阻 - C / W
1000
R
th
（ CH -A ）
= 73.5C / W
100
10
1
0.1
安装在陶瓷
2000毫米基板
2
×
2.2 mm
单脉冲， 1个单位，T
A
= 25C
0.01
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表G15782EJ1V0DS
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