【数据表MOS场效应PA1870N沟道MOS场效应晶体管切换描述该PA1870是它可以是一个开关器件直】,IC型号UPA1870,UPA1870 PDF资料,UPA1870经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS场效应

PA1870

N沟道MOS场效应晶体管

切换

描述

该

PA1870是它可以是一个开关器件

直接通过2.5 V的电源驱动。

该

PA1870采用低导通电阻和

开关特性优良，并且适用于

应用，例如便携式计算机的电源开关

等等。

8

封装图（单位：mm ）

5

1

2, 3

4

5

6, 7

8

： Drain1

：源1

： GATE1

： GATE2

：源2

： Drain2

1.2最大。

1.0±0.05

0.25

3°

+5°

–3°

0.1±0.05

0.5

0.6

+0.15

–0.1

特点

可以通过一个2.5 V的电源来驱动

低通态电阻

R

DS(on)1

= 20.0 mΩ以下。（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 3.0 A)

R

DS(on)2

= 21.0 mΩ以下。（V

GS

= 4.0 V，I

D

= 3.0 A)

R

DS(on)3

= 27.0 mΩ以下。（V

GS

= 2.5 V，I

D

= 3.0 A)

内置ESD对G- s防护二极管

1

4

0.145 ±0.055

3.15 ±0.15

3.0 ±0.1

6.4 ±0.2

4.4 ±0.1

1.0 ±0.2

订购信息

产品型号

包

电源TSSOP8

0.65

0.27

+0.03

–0.08

0.8最大。

PA1870GR-9JG

0.1

0.10 M

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

注1

注2

等效电路

20

±12

±6.0

±80

2.0

150

V

A

W

°C

Gate1

门

保护

二极管

Source1

Drain1

Drain2

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

ch

T

英镑

体

二极管

Gate2

门

保护

二极管

Source2

体

二极管

总功耗

通道温度

储存温度

-55到+150

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1%

2

2.

装在50厘米× 1.1毫米陶瓷基板

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当

该设备实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定

电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

G14886EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2001年4月NS CP （ K）

日本印刷

商标

5

表示主要修改点。

2000

PA1870

电气特性（T

A

= 25°C)

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

V

DD

= 16 V

V

GS

= 4.0 V

I

D

= 6.0 A

I

F

= 6.0 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 6.0 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 50A /

s

测试条件

V

DS

= 20 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±12 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 3.0 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 3.0 A

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 3.0 A

V

GS

= 2.5 V，I

D

= 3.0 A

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 10 V，I

D

= 3.0 A

V

GS （ ON）

= 4.0 V

R

G

= 10

0.5

5

12.0

13.0

15.0

15.5

20.8

900

295

170

55

210

300

340

10

2

6

0.80

400

1000

20.0

21.0

27.0

1.0

分钟。

典型值。

马克斯。

10

±10

1.5

单位

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

ns

nC

测试电路1开关时间

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

R

L

PG 。

R

G

V

DD

V

DS

V

GS

0

τ

= 1

s

占空比

≤

1%

V

DS

电波表

V

GS

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

（上）

90%

D.U.T.

I

G

= 2毫安

50

R

L

V

DD

90%

PG 。

I

D

0 10%

10%

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

2

数据表G14886EJ2V0DS

PA1870

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

100

80

5

100

正向偏置安全工作区

d

ITE ）

IM 0.5 V

)

L 4

I

D（脉冲）

on

=

S(

S

R

D

V

G

(@

PW

1m

s

10

ms

=1

0

s

的dT - 降额因子 - ％

I

D

- 漏电流 - 一个

10

I

D（ DC）的

60

1

10

0m

s

DC

40

20

0.1

单脉冲

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

0

30

60

120

90

T

A

- 环境温度 -

C

150

0.01

0.1

1.0

10.0

100.0

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

漏电流与

漏源极电压

25

V

GS

= 4.5 V

20

正向传递特性

100

10

V

DS

= 10 V

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

= 4.0 V

15

I

D

- 漏电流 - 一个

T

A

= 125C

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

25C

75C

25C

10

V

GS

= 2.5 V

5

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.00001

0

0.5

1

1.5

2

2.5

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

GATE截止电压主场迎战

通道温度

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

V

DS

= 10 V

1.5 V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

V

GS （ OFF ）

- 栅极截止电压 - V

10

1

0.1

T

A

=

25

C

25

C

75

C

125

C

0.5

50

0

50

100

150

0.01

0.1

1

10

100

T

ch

- 通道温度 - C

I

D

- 漏电流 - 一个

数据表G14886EJ2V0DS

3

PA1870

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

40

V

GS

= 2.5 V

漏极至源极导通电阻与

漏电流

30

V

GS

= 4.0 V

T

A

= 125C

20

75C

25C

10

30

T

A

= 125C

75C

20

25C

10

0.01

0.1

1

10

100

0

0.01

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

30

V

GS

= 4.5 V

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

漏极至源极导通电阻与

通道温度

30

I

D

= 3.0 A

20

T

A

= 125C

75C

25C

V

GS

= 2.5 V

20

4.0 V

10

4.5 V

0

0.01

0.1

1

10

100

10

50

0

50

100

150

I

D

- 漏电流 - 一个

T

ch

- 通道温度 - C

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

50

电容与

漏源极电压

10000

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

I

D

= 3.0 A

F = 1 MHz的

40

1000

30

C

国际空间站

20

100

C

OSS

C

RSS

10

0

2

4

6

8

10

12

10

0.1

1

10

100

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

4

数据表G14886EJ2V0DS

PA1870

开关特性

1000

源极到漏极二极管的正向电压

100

I

F

- 源极到漏极电流 - 一个

V

GS

= 0V

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

t

D（关闭）

t

f

t

r

100

t

D（上）

10

1

0.1

10

0.1

V

DD

= 10 V

V

GS （ ON）

= 4 V

R

G

= 10

1

I

D

- 漏电流 - 一个

10

0.01

0.4

0.6

0.8

1

1.2

V

F（ S- D）的

- 体二极管正向电压 - V

动态输入特性

6

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

I

D

= 6.0 A

5

4

3

2

1

0

V

DD

= 16 V

10 V

1

2

3

4 5 6 7

Q

g

- 栅极电荷 - 数控

8

9

10

5

1000

瞬态热阻与脉冲宽度

r

第（章-a）的

- 瞬态热阻 - C / W

100

62.5C/W

10

1

单脉冲

安装在陶瓷板

50厘米

2

X 1.1毫米

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

0.1

1m

10 m

100 m

1

PW - 脉冲宽度 - S

10

100

1000

数据表G14886EJ2V0DS

5

数据表

MOS场效应

PA1870

N沟道MOS场效应晶体管

切换

描述

该

PA1870是它可以是一个开关器件

直接通过2.5 V的电源驱动。

该

PA1870采用低导通电阻和

开关特性优良，并且适用于

应用，例如便携式计算机的电源开关

等等。

8

封装图（单位：mm ）

5

1

2, 3

4

5

6, 7

8

： Drain1

：源1

： GATE1

： GATE2

：源2

： Drain2

1.2最大。

1.0±0.05

0.25

3°

+5°

–3°

0.1±0.05

0.5

0.6

+0.15

–0.1

特点

可以通过一个2.5 V的电源来驱动

低通态电阻

R

DS(on)1

= 20.0 mΩ以下。（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 3.0 A)

R

DS(on)2

= 21.0 mΩ以下。（V

GS

= 4.0 V，I

D

= 3.0 A)

R

DS(on)3

= 27.0 mΩ以下。（V

GS

= 2.5 V，I

D

= 3.0 A)

内置ESD对G- s防护二极管

1

4

0.145 ±0.055

3.15 ±0.15

3.0 ±0.1

6.4 ±0.2

4.4 ±0.1

1.0 ±0.2

订购信息

产品型号

包

电源TSSOP8

0.65

0.27

+0.03

–0.08

0.8最大。

PA1870GR-9JG

0.1

0.10 M

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

注1

注2

等效电路

20

±12

±6.0

±80

2.0

150

V

A

W

°C

Gate1

门

保护

二极管

Source1

Drain1

Drain2

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

ch

T

英镑

体

二极管

Gate2

门

保护

二极管

Source2

体

二极管

总功耗

通道温度

储存温度

-55到+150

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1%

2

2.

装在50厘米× 1.1毫米陶瓷基板

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当

该设备实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定

电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

G14886EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2001年4月NS CP （ K）

日本印刷

商标

5

表示主要修改点。

2000

PA1870

电气特性（T

A

= 25°C)

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

V

DD

= 16 V

V

GS

= 4.0 V

I

D

= 6.0 A

I

F

= 6.0 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 6.0 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 50A /

s

测试条件

V

DS

= 20 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±12 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 3.0 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 3.0 A

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 3.0 A

V

GS

= 2.5 V，I

D

= 3.0 A

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 10 V，I

D

= 3.0 A

V

GS （ ON）

= 4.0 V

R

G

= 10

0.5

5

12.0

13.0

15.0

15.5

20.8

900

295

170

55

210

300

340

10

2

6

0.80

400

1000

20.0

21.0

27.0

1.0

分钟。

典型值。

马克斯。

10

±10

1.5

单位

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

ns

nC

测试电路1开关时间

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

R

L

PG 。

R

G

V

DD

V

DS

V

GS

0

τ

= 1

s

占空比

≤

1%

V

DS

电波表

V

GS

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

（上）

90%

D.U.T.

I

G

= 2毫安

50

R

L

V

DD

90%

PG 。

I

D

0 10%

10%

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

2

数据表G14886EJ2V0DS

PA1870

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

100

80

5

100

正向偏置安全工作区

d

ITE ）

IM 0.5 V

)

L 4

I

D（脉冲）

on

=

S(

S

R

D

V

G

(@

PW

1m

s

10

ms

=1

0

s

的dT - 降额因子 - ％

I

D

- 漏电流 - 一个

10

I

D（ DC）的

60

1

10

0m

s

DC

40

20

0.1

单脉冲

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

0

30

60

120

90

T

A

- 环境温度 -

C

150

0.01

0.1

1.0

10.0

100.0

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

漏电流与

漏源极电压

25

V

GS

= 4.5 V

20

正向传递特性

100

10

V

DS

= 10 V

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

= 4.0 V

15

I

D

- 漏电流 - 一个

T

A

= 125C

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

25C

75C

25C

10

V

GS

= 2.5 V

5

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.00001

0

0.5

1

1.5

2

2.5

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

GATE截止电压主场迎战

通道温度

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

V

DS

= 10 V

1.5 V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

V

GS （ OFF ）

- 栅极截止电压 - V

10

1

0.1

T

A

=

25

C

25

C

75

C

125

C

0.5

50

0

50

100

150

0.01

0.1

1

10

100

T

ch

- 通道温度 - C

I

D

- 漏电流 - 一个

数据表G14886EJ2V0DS

3

PA1870

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

40

V

GS

= 2.5 V

漏极至源极导通电阻与

漏电流

30

V

GS

= 4.0 V

T

A

= 125C

20

75C

25C

10

30

T

A

= 125C

75C

20

25C

10

0.01

0.1

1

10

100

0

0.01

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

30

V

GS

= 4.5 V

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

漏极至源极导通电阻与

通道温度

30

I

D

= 3.0 A

20

T

A

= 125C

75C

25C

V

GS

= 2.5 V

20

4.0 V

10

4.5 V

0

0.01

0.1

1

10

100

10

50

0

50

100

150

I

D

- 漏电流 - 一个

T

ch

- 通道温度 - C

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

50

电容与

漏源极电压

10000

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

I

D

= 3.0 A

F = 1 MHz的

40

1000

30

C

国际空间站

20

100

C

OSS

C

RSS

10

0

2

4

6

8

10

12

10

0.1

1

10

100

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

4

数据表G14886EJ2V0DS

PA1870

开关特性

1000

源极到漏极二极管的正向电压

100

I

F

- 源极到漏极电流 - 一个

V

GS

= 0V

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

t

D（关闭）

t

f

t

r

100

t

D（上）

10

1

0.1

10

0.1

V

DD

= 10 V

V

GS （ ON）

= 4 V

R

G

= 10

1

I

D

- 漏电流 - 一个

10

0.01

0.4

0.6

0.8

1

1.2

V

F（ S- D）的

- 体二极管正向电压 - V

动态输入特性

6

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

I

D

= 6.0 A

5

4

3

2

1

0

V

DD

= 16 V

10 V

1

2

3

4 5 6 7

Q

g

- 栅极电荷 - 数控

8

9

10

5

1000

瞬态热阻与脉冲宽度

r

第（章-a）的

- 瞬态热阻 - C / W

100

62.5C/W

10

1

单脉冲

安装在陶瓷板

50厘米

2

X 1.1毫米

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

0.1

1m

10 m

100 m

1

PW - 脉冲宽度 - S

10

100

1000

数据表G14886EJ2V0DS

5