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数据表
MOS场效应
PA1741TP
开关
N沟道功率MOS FET
描述
封装图（单位：mm ）
8
5
1, 2, 3
;源
4
;门
5 ，6，7 ，8，9 ;漏
该
PA1741TP是N沟道MOS场效应晶体管器件，具有一个
低通态电阻和开关特性优良，并
设计用于高电压应用，例如DC / DC变换器。
特点
高电压： V
DSS
= 250 V
栅极电压等级： ± 30 V
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 0.79
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A)
低输入电容
C
国际空间站
= 340 pF的典型。 （V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V)
内置栅极保护二极管
小型表面贴装封装（电力HSOP8 ）
1.49 ±0.21
1.44 TYP 。
1
5.2
+0.17
–0.2
4
0.8 ±0.2
S
+0.10
–0.05
6.0 ±0.3
4.4 ±0.15
0.05 ±0.05
0.15
1.27 TYP 。
0.40
1
+0.10
–0.05
0.10 S
0.12 M
订购信息
2.9 MAX 。
2.0 ±0.2
9
4.1最大。
产品型号
包
电力HSOP8
8
PA1741TP
5
绝对最大额定值（T
A
= 25 ℃，除非另有说明。所有的终端连接。 ）
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
Note2
250
±30
±5.0
±15
21
1
150
55
+150
5.0
2.5
5.0
2.5
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
A
mJ
门
保护
二极管
来源
门
体
二极管
漏
1.1 ±0.2
4
等效电路
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note3
Note3
Note4
Note4
I
AS
E
AS
I
AR
E
AR
重复性雪崩电流
重复脉冲雪崩能量
注意事项1 。
2.
3.
4.
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
安装在1英寸×1英寸×0.8毫米的玻璃环氧基板
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 125 V ，R
G
= 25
,
L = 100
H，V
GS
= 20
→
0 V
T
通道（峰值）
≤
150℃， L = 100
H
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过
额定电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件G16373EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2003年4月NS CP （ K）
日本印刷
2003
PA1741TP
电气特性（T
A
= 25 ℃，除非另有说明。所有的终端连接。 ）
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
记
记
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
测试条件
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 125 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
单位
A
A
V
S
2.5
2
3.5
3.5
0.63
340
70
30
11
8
20
6
4.5
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
记
0.79
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 200 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.0 A
I
F
= 5.0 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 5.0 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
11
2
5.5
0.9
120
400
1.5
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
ns
nC
记
脉冲： PW
≤
800
S，占空比
≤
2%
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
2
数据表G16373EJ1V0DS
PA1741TP
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
120
25
总功耗对比
外壳温度
P
T
- 总功耗 - W
100
20
80
15
60
10
40
5
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
100
T
C
= 25°C
单脉冲
I
D（脉冲）
= 15 A
PW =
100
s
I
D
- 漏电流 - 一个
10
I
D（ D C ）
= 5.0 A
1毫秒
1
10米每秒
DC
R
S（上）
廉资讯科技教育
（在V
的s
= 10 V)
功耗廉资讯科技教育
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
R
第（章-a）的
= 125°C / W
100
10
R
TH（ CH-C ）
= 5.95 ° C / W
1
单脉冲
R
第（章-a）的
：安装在玻璃环氧树脂板
（ 1英寸× 1英寸×0.8 MM） ，T
A
= 25°C
R
TH（ CH-C ）
:T
C
= 25°C
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
0.1
100
PW - 脉冲宽度 - S
数据表G16373EJ1V0DS
3
PA1741TP
漏电流与
漏源极电压
20
脉冲
V
GS
= 10 V
正向传递特性
100
10
浦lsed
V
S
= 10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
15
I
D
- 漏电流 - 一个
1
0.1
0.01
0.001
T
A
= 150°C
125°C
75°C
25°C
25°C
10
5
0
0
5
10
15
20
0.0001
0
5
10
15
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
4.5
100
正向转移导纳主场迎战
漏电流
V
S
= 10 V
脉冲
10
T
A
=
25°C
25°C
75°C
125°C
150°C
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
4
3.5
1
3
0.1
2.5
2
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.01
0.01
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻与
漏电流
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.1
1
10
100
脉冲
V
GS
= 10 V
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
D
= 5 A
2.5 A
1A
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表G16373EJ1V0DS
PA1741TP
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻与
通道温度
2
电容与漏源极电压
1000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
1.75
1.5
1.25
V
的s
= 10 V
脉冲
C
国际空间站
100
C
SS
I
D
= 5.0 A
1
0.75
2.5 A
0.5
0.25
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
10
C
RSS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
1
0.1
1
10
100
1000
T
ch
- 通道温度 - C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
100
动态输入/输出特性
2 50
15
I
D
= 5 .0 A
2 00
V
D D
= 2 00 V
1 25 V
6 2.5 V
12
t
D（关闭）
10
t
D（上）
t
r
t
f
1 50
9
1 00
V
GS
V
DS
6
50
3
1
0.1
1
10
100
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12
0
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
源极到漏极二极管
正向电压
100
1000
脉冲
V
GS
= 0 V
10
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
100
1
10
0.1
0.01
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1
0.1
1
10
100
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
数据表G16373EJ1V0DS
5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
DD
125 V
V
DD
==125 V
10 V
V
S
V
GG S
==10 V
R
R
GG
==00
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
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UPB1A220MPD
UFG1H471MHM
USBFTV22G
UNR5217
UWX1A330MCR1GB
UPA1857
UC3861NG4
UKW1J472MPD
UPC4558C5
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UPA1741
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
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UPA1741
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