数据表
复合场效应功率晶体管
PA1572B
N沟道功率MOS FET阵列
开关
工业用
描述
该
PA1572B是N沟道功率MOS FET阵列
是建于4电路设计的电磁阀，电机和
灯驱动器。
10
包装尺寸
以毫米为单位
26.8 MAX 。
4.0
特点
全模封装， 4回路
4 V的驾驶可能
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 0.6
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 1 A)
R
DS （ ON）
= 0.8
MAX 。 （V
GS
= 4 V，I
D
= 1 A)
低输入电容西塞= 110 pF的典型。
2.54
1.4
0.6±0.1
订购信息
类型编号
包
10PIN SIP
3
1 2 3 4 5 6 7 8 910
PA1572BH
接线图
5
7
9
2
1
4
6
8
10
绝对最大额定值（T
A
= 25
°C)
漏源极电压（V
GS
= 0)
门源电压（V
DS
= 0)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
总功耗
总功耗
通道温度
存储Tempreature
单雪崩电流
单雪崩能量
* 1 PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
* 3 4电路牛逼
A
= 25
°C
V
DSS
V
GSS （AC）的
I
D（ DS ）
I
D（脉冲）
*1
P
T1
*2
P
T2
*3
T
CH
T
英镑
I
AS
*4
E
AS
*4
60
±20
V
V
±2.0
A /单位
±6.0
A /单位
20
3.0
W
W
电极连接
2，4， 6，8 ：门
3，第5 ，第7 ，第9 ：漏极
1, 10
资料来源：
150
°C
55
至+ 150°C
5.0
0.1
A
mJ
* 2 4电路牛逼
C
= 25
°C
* 4起始物为
CH
= 25
°C,
V
DD
= 30 V, V
GS
= 20 V
→
0, R
G
= 25
,
L = 100
H
内建门二极管是在移交静电保护。
如果高压超过V
GSS
被应用，请追加栅极保护电路。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
一号文件G11177EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1996年P月
日本印刷
10分钟。
2.5
1.4
0.5±0.1
1996
QQ：2880707522 复制
