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USB50403C通USB50424C , E3
双向TVSarray
斯科茨代尔区划
描述
这种瞬态电压抑制器( TVS )封装在一个SOT- 143
配置1的双向数据接口或线路提供保护。它被设计
在应用程序中使用的地方保护,需要从电压板级
静电放电( ESD)造成的,在IEC 61000-4-2中定义的瞬变,
电快速瞬变( EFT )符合IEC 61000-4-4和二次雷击的影响。
它也可以既锡铅镀终端或符合RoHS
与退火雾锡完成添加一个“E3”后缀的零件号码* 。
这些TVS阵列具有500瓦的峰值功率等级为8/20
微秒
脉搏。
该阵列适用于保护敏感电路组成的TTL , CMOS
DRAM的, SRAM的, HCMOS , HSIC微处理器,
通用串行总线
( USB )
和I / O收发器。该USB504xxC产品提供板级
保护免受静电等引起的浪涌电压,可能会损坏
或心烦敏感电路。
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
SOT–143
特点
保护1双向线路
符合IEC 61000-4-2 , IEC 61000-4-4浪涌保护
提供电隔离保护
UL 94V- 0 flamability分类
可通过添加E3后缀符合RoHS设备
每个线对超低电容3 pF的
超低漏电
应用/优势
EIA- RS485的数据传输速率:
5 Mbs的
10 BASE T以太网
USB数据速率: 900 Mbs的
每EIA标准481-1 -A带&卷轴
7英寸的卷轴;每卷3000件
最大额定值
工作温度: -55 ° C至+ 150°C
存储温度: -55°C至+ 150°C
峰值脉冲功率:500瓦( 8/20微秒,图1 )
脉冲重复频率: < 0.01 %
机械及包装
模压SOT -143表面贴装
重量: 0.035克(近似值)
车身标有标记的设备代码* (见下文)
针#1点定义在封装顶部
电气特性
站在关
电压
V
WM
最大
USB50403C
USB50405C
USB50412C
USB50415C
USB50424C
53
55
512
515
524
3.3
5.0
12.0
15.0
24.0
击穿
电压
V
BR
@ 1毫安
4
6.0
13.3
16.7
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
(图2)
最大
8
10.8
19
24
43
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
(图2)
最大
11
13
26
32
57
待机
当前
I
D
@ V
WM
A
最大
200
40
1
1
1
电容
中(f = 1 MHz)的
C
@0V
pF
最大
3
3
3
3
3
温度
系数
V的
BR
α
VBR
毫伏/°C的
最大
-5
1
8
11
28
部分
设备
记号
*
USB504xxC , E3
*设备
标有E3后缀为符合RoHS选项,如添加53e3 , 55e3 , 512e3 , 515e3和524e3 。
版权
2005
2005年6月28日REV
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第1页
USB50403C通USB50424C , E3
双向TVSarray
斯科茨代尔区划
符号
V
WM
V
BR
V
C
I
D
C
符号定义&
德网络nition
站关电压:可应用在工作温度范围内的最大直流电压。
VWM必须被选择为等于或大于线的工作电压来进行保护。
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
钳位电压:在TVS器件的最大钳位电压时,在承受一定的电流
20脉冲时间
s.
WM 。
电容:限定@ 0伏以1MHz的频率和在皮法规定的瞬态抑制的电容。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图的
PPP峰值脉冲功率( W)
8 / 20μs的脉冲500W
图1
与脉冲时间峰值脉冲功率T =微秒
图2
脉冲波形
概况与原理图
暗淡
A
B
C
C1
D
E
F
G
H
I
J
英寸
最大
0.070
0.080
0.047
0.053
0.027
0.033
0.012
0.018
0.107
0.113
0.042
0.045
0.067
0.079
0.002
0.008
0.003
0.009
0.018
0.023
0.083
0.093
MILLIMETERS
最大
1.78
2.03
1.20
1.40
0.69
0.84
0.30
0.46
2.72
2.87
1.07
1.14
1.70
2.01
0.051
0.20
0.076
0.23
0.46
0.58
2.11
2.36
USB504xxC , E3
焊盘布局
概要
概要
版权
2005
2005年6月28日REV
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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