U635H256
框图
EEPROM阵列
512 x (64 x 8)
A5
A6
A7
A8
A9
A11
A12
A13
A14
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
E
W
输入缓冲器
商店
行解码器
SRAM
ARRAY
512排x
64× 8列
商店/
召回
控制
V
CC
V
SS
召回
动力
控制
V
CC
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A13
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
真值表forSRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
W
*
H
H
L
G
*
H
L
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
a:
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
C型
K型
T
a
T
英镑
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
0
-40
-65
70
85
150
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2
1997年12月12日
U635H256
推荐
工作条件
电源电压
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
C型
DC特性
工作电源电流
b
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
t
c
t
c
期间平均电源电流
c
商店
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
W
V
IL
V
IH
V
CC
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
t
c
t
c
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC （SB）
V
CC
E
V
IL
V
IH
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 4.5 V
= 0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
= V
IH
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
40
36
33
3
95
75
65
6
马克斯。
K型
单位
分钟。
马克斯。
100
80
70
7
mA
mA
mA
mA
工作电源电流
b
在T
cR
= 200纳秒
（自行车CMOS输入电平）
期间平均电源电流
c
PowerStore
周期
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC3
15
15
mA
I
CC4
4
4
mA
I
CC(SB)1
42
38
35
3
mA
mA
mA
mA
I
CC1
我
CC3
被depedent输出负载和循环率。指定的值与空载输出获得。
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
C：我
CC2
我
CC4
是需要对相应STORE周期的持续时间的平均电流。
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择
表。目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
b:
1997年12月12日
3
U635H256
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
，W = V
IH
)
f
1
t
cR
Ai
地址有效
2
t
a(A)
DQI
产量
前
数据有效
9
t
V（A）
AAAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAAA
输出数据
有效
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期：W = V
IH
)
g
1
t
cR
Ai
地址有效
2
t
a(A)
3
t
一（ E）
7
t
烯（ E）
E
G
DQI
产量
高阻抗
5
t
DIS （ E）
4
t
一（ G）
6
t
DIS （ G）
11
t
PD
8
t
EN（ G）
10
t
PU
AAAAAAAAAAAA
输出数据
AAAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAAA
有效
AAAAAAAAAAAA
I
CC
活跃
待机
号
开关特性
写周期
符号
Alt键。 ＃ 1 Alt键。 ＃ 2
t
AVAV
t
WLWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELEH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVEH
t
AVAV
IEC
t
cW
t
w(W)
t
SU（ W）
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
5
25
35
45
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
25
20
20
0
20
20
20
10
0
0
10
5
35
25
25
0
25
25
25
12
0
0
13
5
45
30
30
0
30
30
30
15
0
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间写结束后，
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
1997年12月12日
5
U635H256
框图
EEPROM阵列
512 x (64 x 8)
A5
A6
A7
A8
A9
A11
A12
A13
A14
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
E
W
输入缓冲器
商店
行解码器
SRAM
ARRAY
512排x
64× 8列
商店/
召回
控制
V
CC
V
SS
召回
动力
控制
V
CC
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A13
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
真值表forSRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
W
*
H
H
L
G
*
H
L
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
a:
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
C型
K型
T
a
T
英镑
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
0
-40
-65
70
85
150
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2
1997年12月12日
U635H256
推荐
工作条件
电源电压
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
C型
DC特性
工作电源电流
b
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
t
c
t
c
期间平均电源电流
c
商店
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
W
V
IL
V
IH
V
CC
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
t
c
t
c
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC （SB）
V
CC
E
V
IL
V
IH
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 4.5 V
= 0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
= V
IH
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
40
36
33
3
95
75
65
6
马克斯。
K型
单位
分钟。
马克斯。
100
80
70
7
mA
mA
mA
mA
工作电源电流
b
在T
cR
= 200纳秒
（自行车CMOS输入电平）
期间平均电源电流
c
PowerStore
周期
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC3
15
15
mA
I
CC4
4
4
mA
I
CC(SB)1
42
38
35
3
mA
mA
mA
mA
I
CC1
我
CC3
被depedent输出负载和循环率。指定的值与空载输出获得。
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
C：我
CC2
我
CC4
是需要对相应STORE周期的持续时间的平均电流。
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择
表。目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
b:
1997年12月12日
3
U635H256
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
，W = V
IH
)
f
1
t
cR
Ai
地址有效
2
t
a(A)
DQI
产量
前
数据有效
9
t
V（A）
AAAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAAA
输出数据
有效
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期：W = V
IH
)
g
1
t
cR
Ai
地址有效
2
t
a(A)
3
t
一（ E）
7
t
烯（ E）
E
G
DQI
产量
高阻抗
5
t
DIS （ E）
4
t
一（ G）
6
t
DIS （ G）
11
t
PD
8
t
EN（ G）
10
t
PU
AAAAAAAAAAAA
输出数据
AAAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAAA
有效
AAAAAAAAAAAA
I
CC
活跃
待机
号
开关特性
写周期
符号
Alt键。 ＃ 1 Alt键。 ＃ 2
t
AVAV
t
WLWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELEH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVEH
t
AVAV
IEC
t
cW
t
w(W)
t
SU（ W）
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
5
25
35
45
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
25
20
20
0
20
20
20
10
0
0
10
5
35
25
25
0
25
25
25
12
0
0
13
5
45
30
30
0
30
30
30
15
0
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间写结束后，
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
1997年12月12日
5
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