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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第205页 > UPA1476H
数据表
硅晶体管阵列
PA1476
NPN硅功率晶体管阵列
低速切换使用（达林顿晶体管）
工业用
描述
该
PA1476是NPN硅外延达林顿
是建于4电路设计功率晶体管阵列
用于驱动螺线管，继电器，灯等。
26.8 MAX 。
4.0
包装尺寸为
（单位：毫米）
特点
订购信息
1.4
0.6 ±0.1
2.5
方便安装0.1英寸的终端区间。
高
FE
为达林顿晶体管。
浪涌吸收器（齐纳二极管），内置的。
10
2.54
1.4
0.5 ±0.1
产品型号
包
10引脚SIP
质量等级
标准
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
PA1476H
请参考"Quality等级NEC半导体Devices"
（文件编号IEI - 1209 ）， NEC公司发布到
知道的质量等级上的设备和说明书中其
推荐应用。
接线图
3
2
1
4
5
6
7
8
10
9
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功耗
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
I
B（ DC ）
P
T1
**
P
T2
***
T
J
100
±15
100
±15
8
±2
±3
0.2
3.5
28
150
V
V
V
A /单位
A /单位
A /单位
W
W
C
(B)
(C)
PIN号
2，4， 6，8 ：底座（B）的
3 ， 5 ， 7 ， 9 ：集电极（ C）
：发射极（ E）
1, 10
R
1
R
2
(E)
.
R
1
= 10 k
.
.
R
2
= 900
.
T
英镑
-55 + 150℃
*
PW
≤
300
S，占空比
≤
10 %
**
4电路，T
a
= 25 C
***
4电路，T
c
= 25 C
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
文件编号IC- 3565
发布日期1994年P月
日本印刷
分钟。
1994
PA1476
电气特性（T
A
= 25 C)
特征
收藏家泄漏电流
射极漏泄电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
基本饱和电压
启动时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
1.0
单位
测试条件
V
CB
= 75 V，I
E
= 0
V
EB
= 5 V，I
C
= 0
V
CE
= 2 V，I
C
= 1 A
V
CE
= 2 V，I
C
= 2 A
I
C
= 1 A，I
B
= 1毫安
I
C
= 1 A，I
B
= 1毫安
I
C
= 1 A
I
B1
= –I
B2
= 2毫安
.
.
V
CC
= 50 V ，R
L
= 50
.
.
见测试电路
A
mA
—
—
*
*
2000
500
20000
V
CE （ SAT ）
*
V
BE （ SAT ）
*
t
on
t
英镑
t
f
1
1.2
0.4
1.5
2
V
V
s
s
s
*
PW
≤
350
S，占空比
≤
2％/脉冲
开关时间测试电路
.
R
L
= 50
.
V
IN
I
C
T.U.T.
基极电流
电波表
.
V
CC
= 50 V
.
集热器
当前
电波表
t
on
90 %
I
C
10 %
t
英镑
t
f
I
B1
I
B2
I
B1
I
B2
PW
.
PW = 50
s
.
占空比
≤
2 %
.
V
BB
= –5 V
.
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计中的应用。
2
PA1476
典型特征（T
A
= 25 C)
国家外汇管理局降额曲线
工作区
10
安全工作区
胸苷 - 百分比额定电流 - ％
100
I
C
- 集电极电流 - 一个
PW
I
C（脉冲）
I
C（ DC ）
80
60
40
20
20
0
D
林issip
ITE ATIO
d
n
=
0
10
s
S / B
L
s
im
ITE
d
1
0
50
100
150
T
C
- 外壳温度 - C
总功耗对比
环境温度
30
NEC
PA1476
D
n
TIO
pa
si
is
1
m
m
Li
d
ITE
10
s
s
b
S/
m
m
Li
0.1
1
T
C
= 25 C
单脉冲
10
V
CE
- 集电极到发射极电压 - V
总功耗对比
外壳温度
4电路操作
ITE
d
100
P
T
- 总功耗 - W
P
T
- 总功耗 - W
3电路工作
2电路工作
20
1电路工作
4
3
2
1
4电路操作
3电路工作
2电路工作
1电路工作
10
0
25
50
75
100
125
T
a
- 环境温度 - C
150
0
25
50
75
100
125
T
C
- 外壳温度 - C
150
直流电流增益与集电极电流
10000
10
集电极饱和电压
与集电极电流
h
FE
- 直流电流增益
1000
C
0
15
5 C
C
=
7
5
C
T
a
2
5
–2
V
CE （SAT）
- 集电极饱和电压 - V
1
T
a
= –25 C
100
125 C
75 C
25 C
10
0.01
V
CE
= 2.0 V
0.1
1
10
I
C
/I
B
= 1000
0.1
0.1
1
I
C
- 集电极电流 - 一个
–10
I
C
- 集电极电流 - 一个
3
PA1476
基本饱和电压与
集电极电流
10
V
BE （SAT）
- 基本饱和电压 - V
瞬态热阻
R
日（J -C ）
- 瞬态热阻 - C / W
100
V
CE
≤
10 V
10
T
a
= –25 C
1
25 C
125 C
75 C
1
I
C
/I
B
= 1000
0.1
0.1
1
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
0.1
0.1
1
10
PW - 脉冲宽度 - 质谱
100
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
2.0
A
A
A
00
180
0
A
2
16
开关特性
100
I
C
/I
B
= 500
t
on
- TURN ON TIME -
s
t
英镑
- 存储时间 -
s
t
f
- 下降时间 -
s
22
0
1.6
I
C
- 集电极电流 - 一个
A
140
A
120
10
t
on
1.2
A
100
0.8
I
B
= 80
A
t
英镑
1
t
f
0.4
0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
CE
- 集电极到发射极电压 - V
5.0
0.1
0.1
1
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
4
PA1476
参考
文件名称
NEC半导体器件可靠性/质量控制体系。
关于NEC半导体器件质量等级。
半导体设备安装技术手册。
半导体器件封装手册。
先导，以质量为保证半导体器件。
安森美半导体选择指南。
文档编号
TEI-1202
IEI-1209
IEI-1207
IEI-1213
MEI-1202
MF-1134
5
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推荐型号
UVK1C223MHD
UPD23C64380
UPT12
UVY1C223MRD
U632H64D1K25
UPM2A561MPD
UPSD3214AV-40U1T
UPC1488H
USB97C201-MC
UPD23C32040ALGY-MKH
UUD1V221MCL
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UCC3585M
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    UPA1476H
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