数据表
MOS集成电路
PD23C64340 ， 23C64380
64M - BIT掩膜可编程ROM
8M - WORD ×8位（字节模式） / 4M - WORD 16位（字模式）
页面访问模式
描述
该
PD23C64340和
PD23C64380有67,108,864位掩膜可编程ROM 。这个词组织
可选（ BYTE模式： 8,388,608字×8位， WORD模式： 4,194,304字×16位） 。
OE的活性水平（输出使能输入）与掩膜选项进行选择。
该
PD23C64340和
PD23C64380装在48引脚FBGA封装胶带。
特点
引脚与NOR闪存兼容
文字组织
8388608字由8位（字节模式）
4,194,304字×16位（字模式）
页面访问模式
字节模式： 8字节的随机存取页（
PD23C64340)
16字节的随机存取页（
PD23C64380)
WORD模式： 4字随机页面访问（
PD23C64340)
8字的页面随机存取（
PD23C64380)
工作电源电压： V
CC
= 2.7 V至3.6 V
工作电源
电压
V
CC
访问时间/
页面访问时间
NS （ MAX 。 ）
电源电流
（主动模式）
MA（ MAX 。 ）
待机电流
（ CMOS电平输入）
A（ MAX 。 ）
PD23C64340
3.0 V
±
0.3 V
3.3 V
±
0.3 V
100 / 25
90 / 25
40
55
PD23C64380
60
75
30
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销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件M16335EJ3V1DS00 （第3版）
发布日期
七月
2004年NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
2002
PD23C64340 ， 23C64380
引脚配置
/ xxx表示低电平有效的信号。
48引脚FBGA TAPE （ 8 ×6 ）
顶视图
底部视图
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
H
G
F
E
D
C
B
A
A
6
A13
B
A12
C
A14
D
A15
E
A16
F
WORD ，
/ BYTE
G
O15,
A–1
O13
V
CC
O11
O9
/ OE或
OE
H
GND
6
H
GND
G
O15,
A–1
F
WORD ，
/ BYTE
O14
O12
O10
O8
/ CE
E
A16
D
A15
C
A14
B
A12
A
A13
5
4
3
2
1
A9
NC
NC
A7
A3
A8
NC
NC
A17
A4
A10
A21
A18
A6
A2
A11
A19
A20
A5
A1
O7
O5
O2
O0
A0
O14
O12
O10
O8
/ CE
O6
O4
O3
O1
GND
5
4
3
2
1
O6
O4
O3
O1
GND
O13
V
CC
O11
O9
/ OE或
OE
O7
O5
O2
O0
A0
A11
A19
A20
A5
A1
A10
A21
A18
A6
A2
A8
NC
NC
A17
A4
A9
NC
NC
A7
A3
A0到A21
：地址输入
O0至O7 ， O8 ，以O14 ：数据输出
O15 ， A- 1
：数据输出15 （字模式） ，
LSB地址输入（字节模式）
WORD ， /字节
/ CE
/ OE或OE
V
CC
GND
NC
记
DC
：模式选择
：芯片使能
：输出使能
：电源电压
：地面
：无连接
：无所谓
记
一些信号可以被应用，因为该管脚没有连接到该芯片的内侧。
备注
请参阅
封装图
为索引标记。
数据表M16335EJ3V1DS
3
PD23C64340 ， 23C64380
输入/输出引脚功能
引脚名称
WORD ， /字节
输入/输出
输入
功能
该端子的切换， WORD模式和字节模式。
高层
： WORD模式（ 4M字×16位）
低层
：字节模式（ 8M字×8位）
A0到A21
（地址输入）
输入
地址输入引脚。
A0到A21采用不同的WORD模式和字节模式。
字模式（ 4M字×16位）
A0至A21被用作22位的地址信号。
字节模式（ 8M字×8位）
A0至A21被用作上的22位地址信号的总数23比特。
（最小显著位（ A- 1）的组合，以O15 ）。
O0至O7 ， O8到O14
（数据输出）
产量
数据输出引脚。
O0至O7 ， O8 ，以O14用法不同，在WORD模式和字节模式。
字模式（ 4M字×16位）
低15位的16位数据输出O0至O14 。
（最显著位（ O15 ）结合至A- 1 ）。
字节模式（ 8M字×8位）
8位数据输出O0至O7和O8也为O14是高阻抗。
O15 ， A- 1
（数据输出15 ，
LSB地址输入）
输出，输入
O15 ， A-1的使用是不同的WORD模式和字节模式。
字模式（ 4M字×16位）
最显著输出数据总线（ O15 ） 。
字节模式（ 8M字×8位）
所述至少显著地址总线（A -1）。
/ CE
（芯片使能）
输入
芯片启动信号。
当OE为活动状态，输出状态下。
高层
：高阻
低层
：数据输出
/ OE或OE或DC
（输出使能，不关心）
V
CC
GND
NC
输入
输出使能信号。 OE的活跃程度掩膜选项。 OE的有效电平
可以从高活性，低有效选择并不在意，在秩序。
电源电压
地
没有内部连接。 （该信号可以被连接）。
4
数据表M16335EJ3V1DS
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