数据表
MOS集成电路
PD23C64340 , 23C64380
64M - BIT掩膜可编程ROM
8M - WORD ×8位(字节模式) / 4M - WORD 16位(字模式)
页面访问模式
描述
该
PD23C64340和
PD23C64380有67,108,864位掩膜可编程ROM 。这个词组织
可选( BYTE模式: 8,388,608字×8位, WORD模式: 4,194,304字×16位) 。
OE的活性水平(输出使能输入)与掩膜选项进行选择。
该
PD23C64340和
PD23C64380装在48引脚FBGA封装胶带。
特点
引脚与NOR闪存兼容
文字组织
8388608字由8位(字节模式)
4,194,304字×16位(字模式)
页面访问模式
字节模式: 8字节的随机存取页(
PD23C64340)
16字节的随机存取页(
PD23C64380)
WORD模式: 4字随机页面访问(
PD23C64340)
8字的页面随机存取(
PD23C64380)
工作电源电压: V
CC
= 2.7 V至3.6 V
工作电源
电压
V
CC
访问时间/
页面访问时间
NS ( MAX 。 )
电源电流
(主动模式)
MA( MAX 。 )
待机电流
( CMOS电平输入)
A( MAX 。 )
PD23C64340
3.0 V
±
0.3 V
3.3 V
±
0.3 V
100 / 25
90 / 25
40
55
PD23C64380
60
75
30
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销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件M16335EJ3V1DS00 (第3版)
发布日期
七月
2004年NS CP ( K)
日本印刷
商标
表示主要修改点。
2002
PD23C64340 , 23C64380
引脚配置
/ xxx表示低电平有效的信号。
48引脚FBGA TAPE ( 8 ×6 )
顶视图
底部视图
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
H
G
F
E
D
C
B
A
A
6
A13
B
A12
C
A14
D
A15
E
A16
F
WORD ,
/ BYTE
G
O15,
A–1
O13
V
CC
O11
O9
/ OE或
OE
H
GND
6
H
GND
G
O15,
A–1
F
WORD ,
/ BYTE
O14
O12
O10
O8
/ CE
E
A16
D
A15
C
A14
B
A12
A
A13
5
4
3
2
1
A9
NC
NC
A7
A3
A8
NC
NC
A17
A4
A10
A21
A18
A6
A2
A11
A19
A20
A5
A1
O7
O5
O2
O0
A0
O14
O12
O10
O8
/ CE
O6
O4
O3
O1
GND
5
4
3
2
1
O6
O4
O3
O1
GND
O13
V
CC
O11
O9
/ OE或
OE
O7
O5
O2
O0
A0
A11
A19
A20
A5
A1
A10
A21
A18
A6
A2
A8
NC
NC
A17
A4
A9
NC
NC
A7
A3
A0到A21
:地址输入
O0至O7 , O8 ,以O14 :数据输出
O15 , A- 1
:数据输出15 (字模式) ,
LSB地址输入(字节模式)
WORD , /字节
/ CE
/ OE或OE
V
CC
GND
NC
记
DC
:模式选择
:芯片使能
:输出使能
:电源电压
:地面
:无连接
:无所谓
记
一些信号可以被应用,因为该管脚没有连接到该芯片的内侧。
备注
请参阅
封装图
为索引标记。
数据表M16335EJ3V1DS
3
PD23C64340 , 23C64380
输入/输出引脚功能
引脚名称
WORD , /字节
输入/输出
输入
功能
该端子的切换, WORD模式和字节模式。
高层
: WORD模式( 4M字×16位)
低层
:字节模式( 8M字×8位)
A0到A21
(地址输入)
输入
地址输入引脚。
A0到A21采用不同的WORD模式和字节模式。
字模式( 4M字×16位)
A0至A21被用作22位的地址信号。
字节模式( 8M字×8位)
A0至A21被用作上的22位地址信号的总数23比特。
(最小显著位( A- 1)的组合,以O15 )。
O0至O7 , O8到O14
(数据输出)
产量
数据输出引脚。
O0至O7 , O8 ,以O14用法不同,在WORD模式和字节模式。
字模式( 4M字×16位)
低15位的16位数据输出O0至O14 。
(最显著位( O15 )结合至A- 1 )。
字节模式( 8M字×8位)
8位数据输出O0至O7和O8也为O14是高阻抗。
O15 , A- 1
(数据输出15 ,
LSB地址输入)
输出,输入
O15 , A-1的使用是不同的WORD模式和字节模式。
字模式( 4M字×16位)
最显著输出数据总线( O15 ) 。
字节模式( 8M字×8位)
所述至少显著地址总线(A -1)。
/ CE
(芯片使能)
输入
芯片启动信号。
当OE为活动状态,输出状态下。
高层
:高阻
低层
:数据输出
/ OE或OE或DC
(输出使能,不关心)
V
CC
GND
NC
输入
输出使能信号。 OE的活跃程度掩膜选项。 OE的有效电平
可以从高活性,低有效选择并不在意,在秩序。
电源电压
地
没有内部连接。 (该信号可以被连接)。
4
数据表M16335EJ3V1DS