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UCC2585

UCC3585

SLUS304F - 1999年7月 - 修订2005年1月

低压同步

降压控制器

特点

VOUT电阻可编程低至0.9 V

3.3 V或5.0 V输入电源

1 ％的直流精度

高效率同步开关

驱动P沟道（高端）和N通道

（低压侧）的MOSFET

无损可编程电流限制

逻辑兼容关机

描述

该UCC3585同步降压控制器

提供灵活的高效率电源转换

输出电压可低至0.9 V与保证

±1%

直流精度。同的输入电压范围

3.0 V至5.5 V ，它仅用于3.3 V的理想选择，

5.0 V只，或其他低电压系统。固定

频率振荡器能够提供的

实用的PWM操作为500 kHz。

该UCC3585驱动互补对

功率MOSFET晶体管。上的P-沟道

高侧和偏低步骤的N沟道

下以高达90％的效率与输入电压。

可编程的双级限流

功能是通过感测上的电压降提供

在整个高端P沟道MOSFET 。这

电路可以被配置成提供脉冲 -

逐脉冲限流七点后，定时关机

连续的故障，或者故障检测后，锁存关闭

化，从而最大的应用灵活性。该

电流限制阈值可设定在一个

广泛用单个电阻。

应用

本地微处理器核心电压电源

耗材台式机和笔记本

电脑

DSP核心和I / O打开电源

高速GTL总线法规

VIN

0.47

14 k

150

10 k

UCC3585

15 VIN

ENB

COMP

VFB

CLSET

SI4562DY

3.7

VIN = 3.3 V

VOUT = 1.8 V

IOUT = 3 A（最大值）

启用

C2 5600 pF的

R2为10kΩ

PDRV 12

ISENSE 11

NDRV

N / C

C3 47 pF的

VOUT

10 SD

C4 0.47

150

2 k

C5 0.1

ISET

C6 470 pF的

PWRGND 13

GND

2 k

RTN

R3 100千欧

RTN

UDG01127

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2001年，德州仪器

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描述（续）

该UCC3585还包括欠压锁定，使能控制逻辑和软启动功能。该

UCC3585被包在16引脚表面贴装和通孔提供。

在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）

}

模拟引脚

最小和最大的强制电压（参考到GND）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至6.3 V

数字引脚

最小和最大的强制电压（参考到GND）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至6.3 V

功率驱动器输出引脚

最大强制电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±1.0

工作结温，T

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至125°C

贮藏温度，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

}

除非另有说明，电压参考接地，电流是正进，负出的，所指定的终端。脉冲定义

为小于10 ％的占空比为500毫微秒的最大持续时间。

N，D和M封装

（ TOP VIEW ）

ENB

COMP

VFB

GND

N / C

ISET

CLSET

VIN

NDRV

PWRGND

PDRV

ISENSE

N / C

可选项

包装设备

-40 ° C至85°C

0 ° C至85°C

DIL （ N）

UCC2585N

UCC3585N

SOIC （ D）

UCC2585D

UCC3585D

QSOP （M ）

UCC2585M

UCC3585M

在M和D软件包可以录音和缠绕。添加的R后缀的设备

型（例如， UCC3585DR ）。

额定功耗表

包

≤

25°C

额定功率

1.1 W

830毫瓦

580毫瓦

降额因子

以上TA = 25°C

11毫瓦/°C的

8.3毫瓦/°C的

5.8毫瓦/°C的

TA = 70℃

额定功率

610毫瓦

450毫瓦

320毫瓦

TA = 85°C

额定功率

440毫瓦

330毫瓦

230毫瓦

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电特性，这些规范保持对于T

= 05C至855C的UCC3585和

= -405C至855C的UCC2585 ，T

= T

= 3.3 V, V

ENB

, V

ISENSE

= V

, V

= 0.9 V,

COMP

= 1.5 V ，C

= 330 pF的，R

ISET

= 100 kΩ的，R

CLSET

= 10千欧，（除非另有说明）

输入电源

参数

电源电流 - 总（有效）

电源电流 - 关闭

VIN turnon阈值（ UVLO ）

VIN turnon滞后

ENB = 0 V

1.60

测试条件

民

典型值

2.3

1.95

110

最大

3.5

2.20

200

单位

电压放大器

参数

测试条件

VIN = 3.0 V至3.6 V ，

见注1

VIN = 3.0 V至3.6 V ，

见注1

开环增益

输出电压高

输出电压低

输出源电流

输出灌电流

注： 1.标准的COMP同在一个单位增益（电压跟随器）结构的误差放大器。

COMP = 0.5 V至2.5 V

ICOMP = -50

ICOMP = 50

TA = 25℃ ，

见注1

TA = 0 ° C至85°C ，

TA = -40 ° C至85°C ，

民

0.891

0.889

0.886

2.80

–175

2.0

典型值

0.9

2.95

0.10

–300

3.0

0.25

最大

0.909

0.911

0.914

单位

输入电压（内部基准电压）

振荡器/ PWM

参数

VIN = 3.3 V

初始精度

CT斜坡峰 - 谷

CT匝道高峰

CT斜坡谷值电压

PWM最大占空比

PWM延迟输出

ENABLE高门槛

实现低阈值

软启动充电电流

注： 3.启用高阈值= （ VIN - 0.5 ）。

TA = 0 ° C至85°C

TA = -40 ° C至85°C

COMP = 2.8 V，

COMP = 2.5 V

测量ENB ，

测量ENB

SS = 0 V ，

TA = 0 ° C至85°C

TA = -40 ° C至85°C

9.0

见注3

测量PDRV

0.3

0.27

100

2.8

0.5

13.5

16.0

19.0

140

VIN = 5.0 V

TA = 0 ° C至85°C

TA = -40 ° C至85°C

测试条件

民

345

1.8

1.7

典型值

420

425

2.1

2.5

0.4

0.40

最大

475

485

2.3

2.8

单位

千赫

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UCC3585

SLUS304F - 1999年7月 - 修订2005年1月

电特性，这些规范保持对于T

= 05C至855C的UCC3585和

= -405C至855C的UCC2585 ，T

= T

= 3.3 V, V

ENB

, V

ISENSE

= V

, V

= 0.9 V,

COMP

= 1.5 V ，C

= 330 pF的，R

ISET

= 100 kΩ的，R

CLSET

= 10千欧，（除非另有说明）

电流限制

参数

比较器的失调电压

VIN = 3.3 V ，

VIN = 5 V ，

VIN = 3.3 V ，

VIN = 5 V ，

SD = 2 V ，

SD灌电流

SD源电流

重新启动阈值

SD = 2 V ，

SD = 2 V

测量SD

TA = 0 ° C至85°C

TA = -40 ° C至85°C

TA = 0 ° C至85°C

TA = -40 ° C至85°C

测试条件

民

10.0

11.0

9.0

9.5

8.5

7.5

0.7

0.40

典型值

11.5

12.5

11.5

12.5

11.0

1.1

0.55

0.70

最大

14.0

15.0

14.0

15.0

13.5

单位

CLSET电流

输出驱动器

参数

上拉电阻（ PDRV ）

下拉电阻（ PDRV ）

上拉电阻（ NDRV ）

下拉电阻（ NDRV ）

死区时间延迟（ PDRV高NDRV高）

死区时间延迟（ NDRV低到PDRV低）

测试条件

-50毫安（源）

50毫安（汇）

-50毫安（源）

百毫安（汇）

50毫安（汇）

见注2

TA = 0 ° C至85°C

TA = -40 ° C至85°C

TA = 0 ° C至85°C

TA = -40 ° C至85°C

TA = 0 ° C至85°C

TA = -40 ° C至85°C

TA = 0 ° C至85°C

TA = -40 ° C至85°C

民

4.5

3.5

6.0

4.0

4.5

2.0

1.5

150

典型值

6.0

9.0

6.0

3.0

215

125

最大

9.0

16.5

9.0

4.5

250

175

单位

注： 1.标准的COMP同在一个单位增益（电压跟随器）结构的误差放大器。

注： PDRV导致NDRV上升至50％ NDRV点下跌到PDRV下跌2.50 ％点。

注： 3.启用高阈值= （ VIN - 0.5 ）。

引脚说明

CLSET ：

CLSET用于编程脉冲由脉冲和过流关断层面为UCC3585 。一

电阻器，连接CLSET和VIN之间设置了过电流阈值。该过电流阈值以下

下列关系式：

1.25

ISET

CLSET

DS ON

COMP ：

输出电压误差放大器的。环路补偿元件连接COMP之间

和VFB 。

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引脚说明

CT ：

高品质的陶瓷电容连接在此引脚与地之间设置PWM振荡器频率

由以下关系式：

7000

振荡器能够可靠运行高达500kHz 。

ENB ：

逻辑1 （V

- 0.5V）在该输入将激活输出驱动器。逻辑零（ 0.5 V）将阻止

输出驱动器的切换。不要让ENB这些层次之间保持稳定的状态。

GND ：

参考电平为IC 。所有电压和电流是相对于GND 。

ISENSE ：

ISENSE监控整个高端P沟道MOSFET开关下降的电压，而这是

在进行。此信息被用于由所述电流限制电路，以检测过电流工况。

ISET ：

电阻器被连接在ISET和地之间，以编程一个精度偏差为许多UCC3585的

电路模块。这个电阻应为100 kΩ的为5 ％的最大容限。 1.25 V通过提供ISET

一个缓冲的版本，内部带隙电压基准。所产生的电流，1.25 V / R

ISET

，被镜像

直接交给CLSET编程过流阈值。

NDRV ：

高电流驱动器输出用于低侧N-沟道MOSFET开关。

PDRV ：

高电流驱动器输出为高侧P沟道MOSFET开关。

PWRGND ：

高电流返回路径的MOSFET驱动器。 PWRGND和GND应终止

一起尽可能接近的器件封装。

SD ：

该引脚可配置电流限制在三种不同的方式任何一种操作。

1.小于250毫伏的SD强行抑制电压关断功能，使逐脉冲限流。

2.从SD到GND电容后连续七提供了一个控制器，转换器关机超时

由电流限制电路，接收过流信号。内部11 μA （典型值）电流吸收器

放电SD电容到0.55 V（典型值），重新启动阈值。关机时间由下式给出：

关闭

0.55 V

其中C

是电容从SD到GND的值， VIN是芯片电源电压（引脚15 ）。

在这一点上，一个软启动周期开始，以及一个1 mA电流源（典型值）快速充电的SD到VIN 。

在软启动，脉冲通过脉冲电流限制使能， 7 -周期计数器被禁止，直到

软启动完成后（即充电至约VIN伏）。

3.强迫大于1 V在SD的电压将导致UCC3585到后七天过电流闭锁

信号被接收。在控制器闭锁， SD必须低于250毫伏重启

控制器。

SS:

低漏电电容连接SS和GND之间将提供软启动功能的转换器。

有关此电容器上的电压慢慢地经由内部13.5充电启动时

（典型值）电流源。输出

电压误差放大器（COMP）的跟踪该电压，从而限制所述控制器的占空比。

VFB ：

反相输入端的电压型误差放大器。共模输入范围从VFB延伸

GND至1.5 V.

VIN ：

电源电压UCC3585 。绕过一个0.1μF的陶瓷电容（最小值）供应高峰

所需的栅极驱动电流来改变放电功率MOSFET栅极。见应用信息

了解详细信息。