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UL62H256A
低电压的汽车快32K ×8 SRAM
特点
!
32768 ×8位CMOS静态RAM
!
35和55 ns访问时间
!
常见的数据输入和
描述
进入高阻抗，直到新的信息
是可用的。数据输出有
没有最好的状态。读周期
由W的下降沿完成后，
或以电子邮件的上升沿， respec-
tively 。
数据保存期限保证下
2五，除E号，所有
输入包括NOR门，所以
没有上拉/下拉电阻
是必需的。
该UL62H256A是一个静态RAM
使用CMOS亲制
塞斯技术具有以下
操作模式：
数据输出
- 阅读
- 待机
!
三态输出
- 写
- 数据保留
!
典型值。工作电源电流
存储器阵列的基础上的
35纳秒： 45毫安
6晶体管单元。
55纳秒： 30毫安
!
待机电流< 40微安，在125 ℃下的电路是由fal-激活
E.凌缘的地址和
!
TTL / CMOS兼容
控制输入同时打开。
!
电源电压2.5 - 3.6 V
根据W的信息
!
工作温度范围
-40 ° C至85°C
和G时，数据输入，或输出
-40 ° C至125°C
是活动的。在读周期中，
数据输出被激活的
!
QS 9000质量标准
下降的G力，事后
!
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 ）
数据字将是可利用的
输出DQ0 - DQ7 。后
!
闭锁抗扰度>100毫安
地址变化时，数据输出
!
包装： SOP28 （三百三十〇分之三百密耳）
引脚配置
引脚说明
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
信号名称
A0 - A14
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
电压
地
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
2004年5月7日
1
UL62H256A
框图
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
行地址
输入
行解码器
记忆细胞
ARRAY
512排x
64× 8列
通用数据的I / O
A0
A1
A2
A3
A4
A5
列地址
输入
列解码器
DQ0
检测放大器/
写控制逻辑
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
地址
变化
探测器
时钟
发电机
V
CC
V
SS
E
W
G
真值表
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
* H或L
E
H
L
L
L
W
*
H
H
L
G
*
H
L
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
2
2004年5月7日
UL62H256A
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
- 0.2 V和V
IH
= 2.8V。所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，转型是从稳态电压测量± 200 mV的。
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
输出短路电流
在V
CC
= 3.3 V和V
O
= 0 V
c
a
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
分钟。
-0.3
-0.5
-0.5
-
-40
-40
-65
马克斯。
4.6
V
CC
+ 0.5
b
V
CC
+ 0.5
b
1
85
125
150
100
单位
V
V
V
W
°C
°C
mA
K型
A型
T
a
T
英镑
| I
OS
|
b
c
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
只是，和功能的条件下超出本规范的业务部门所标明的设备操作不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性
最大电压为4.6 V
不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不应该超过30秒。
推荐
工作条件
电源电压
输入低电压
d
输入高电压
d
符号
V
CC
V
IL
V
IH
条件
分钟。
2.5
-0.3
2.0
马克斯。
3.6
0.5
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
-2 V的脉冲宽度为30 ns
2004年5月7日
3
UL62H256A
电气特性
电源电流 - 运行模式
符号
I
CC （ OP ）
V
CC
V
IL
V
IH
t
cW
t
cW
V
CC
V
E
K型
A型
V
CC
V
E
K型
A型
V
CC
I
OH
V
CC
I
OL
V
CC
V
IH
V
CC
V
IL
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
条件
=
=
=
=
=
3.6 V
0.5 V
2.0 V
35纳秒
55纳秒
分钟。
马克斯。
单位
90
70
mA
mA
电源电流 - 待机模式
（ CMOS电平）
I
CC （SB）
= 3.6 V
= V
CC
- 0.2 V
10
40
A
A
电源电流 - 待机模式
（ TTL电平）
I
CC(SB)1
= 3.6 V
= 2.0 V
10
20
= 2.5 V
= -1.0毫安
= 2.5 V
= 2.1毫安
= 3.6 V
= 3.6 V
= 3.6 V
= 0V
=
=
=
=
2.5 V
2.2 V
2.5 V
0.4 V
2.2
0.4
2
-2
-1.0
2.1
mA
mA
V
V
A
A
mA
mA
输出高电压
输出低电压
输入高漏电流
输入低漏电流
输出高电流
输出低电流
输出漏电流
高在三态输出
在低三态输出
V
OH
V
OL
I
IH
I
IL
I
OH
I
OL
I
OHZ
I
OLZ
= 3.6 V
= 3.6 V
= 3.6 V
= 0V
2
-2
A
A
4
2004年5月7日
UL62H256A
开关特性
读周期
读周期时间
地址访问时间到数据有效
芯片使能存取时间到数据有效
G低到数据有效
高到输出的高阻
摹高到输出的高阻
低辐射LOW到输出中低Z
G低到输出低-Z
从地址变更输出保持时间
低到电时间
高到掉电时间
符号
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
HZCE
t
HZOE
t
LZCE
t
LZOE
t
OH
t
PU
t
PD
IEC
t
cR
t
a(A)
t
一（ E）
t
一（ G）
t
DIS （ E）
t
DIS （ G）
t
烯（ E）
t
EN（ G）
t
V（A）
3
0
3
0
35
分钟。
35
马克斯。
分钟。
55
单位
马克斯。
35
35
35
15
12
12
55
55
55
25
15
15
3
0
3
0
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关特性
写周期
写周期时间
把脉冲宽度
写建立时间
地址建立时间
地址有效到写结束
芯片使能建立时间
脉冲宽度芯片使能到结束写入的
数据建立时间
数据保持时间
从写结束地址保持
W低到输出的高阻
摹高到输出的高阻
W高到输出中低Z
G低到输出低-Z
符号
Alt键。
t
WC
t
WP
t
WP
t
AS
t
AW
t
CW
t
CW
t
DS
t
DH
t
AH
t
HZWE
t
HZOE
t
LZWE
t
LZOE
IEC
t
cW
t
w(W)
t
SU（ W）
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
分钟。
35
马克斯。
分钟。
55
单位
马克斯。
35
20
20
0
25
25
25
15
0
0
15
12
0
0
55
35
35
0
40
40
40
25
0
0
20
15
0
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
DIS （ G）
t
EN（ W）
t
EN（ G）
2004年5月7日
5
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